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[发明专利]层叠封装型半导体封装-CN202010942244.7在审
发明人：李旼镐;俞裁旭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：提供了一种层叠封装(POP)型半导体封装，该POP型半导体封装包括下封装，该下封装具有第一尺寸并且包括下半导体芯片在其中的下封装基板、在下封装基板和下半导体芯片上的上再分布结构、和对准标记。该POP型半导体封装还可以包括上封装，该上封装具有小于第一尺寸的第二尺寸并且包括上封装基板和上半导体芯片。上封装基板可以安装在下封装的上再分布结构上并且电连接到下封装，并且上半导体芯片可以在上封装基板上。对准标记可以用于识别上封装，并且对准标记可以在下封装上在上封装的外边界下方和附近。
层叠封装半导体

[发明专利]一种半导体装置-CN202210472559.9在审
发明人：杨正官;魏冬寒;孙平如 -专利权人：深圳市聚飞光电股份有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明适用于半导体封装领域，提供了一种半导体装置。半导体装置包括基板和半导体芯片，所述基板的一面为封装面，所述半导体芯片封装于所述封装面，所述半导体芯片的顶部设置有电极，所述封装面设置有用于与所述电极通过导线连接的接线部，所述半导体芯片设置有缺口，至少部分所述接线部位于所述缺口内本发明所提供的一种半导体装置，其在基板面积一定的情况下，有效地增加了半导体芯片的有效面积，产品应用的信号强度得以提升，产品使用性能更优，用户体验佳。
一种半导体装置

[发明专利]用于芯片封装件的结构和形成方法-CN201610737866.X在审
发明人：余振华;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2017-05-24 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了芯片封装件的结构和形成方法。该芯片封装件包括半导体管芯和部分地或全部地包封半导体管芯的封装层。该芯片封装件还包括位于半导体管芯和封装层上方的聚合物层。该芯片封装件还包括聚合物层上方的介电层。介电层基本由半导体氧化物材料制成。此外，该芯片封装件包括位于介电层中的电连接至半导体管芯的导电焊盘的导电部件。
用于芯片封装结构形成方法

[发明专利]用于芯片封装件的结构和形成方法-CN202111543112.8在审
发明人：余振华;邱文智 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-26 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了芯片封装件的结构和形成方法。该芯片封装件包括半导体管芯和部分地或全部地包封半导体管芯的封装层。该芯片封装件还包括位于半导体管芯和封装层上方的聚合物层。该芯片封装件还包括聚合物层上方的介电层。介电层基本由半导体氧化物材料制成。此外，该芯片封装件包括位于介电层中的电连接至半导体管芯的导电焊盘的导电部件。
用于芯片封装结构形成方法

[发明专利]半导体芯片封装和方法-CN201210317192.X有效
发明人：乌多·奥塞尔勒基纳;斯特凡·兰道;福尔克尔·斯特鲁特兹 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片封装件和制造半导体芯片封装件的方法。本发明的实施方式包括：基板和设置在基板上并由封装材料横向地包围的半导体芯片。该封装件还包括在半导体芯片附近的电流轨道，电流轨道通过隔离层与半导体芯片隔离；第一外部焊垫以及使电流轨道与第一外部焊垫接触的通路接点。
半导体芯片封装方法

[发明专利]半导体封装结构及制造方法-CN201610795600.0在审
发明人：權容台;李俊奎 -专利权人： NEPES株式会社
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有输出端金属图案的引线键合型半导体封装结构及制造方法。根据本发明实例的半导体封装结构包括，上下之间可传输电信号并形成贯通部的框架、容纳于贯通部中的第一半导体芯片、将所述框架及所述第一半导体芯片成型为一体的第一封装体、堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片、将第二半导体芯片与框架的信号部电性连接的引线、将第二半导体芯片与引线成型为一体的第二封装体，以及连接在框架、第一半导体芯片下部并将所述框架与第一半导体芯片电性连接的配线部。在对引线键合之前先对第一半导体芯片和框架进行封装，可预防引线键合中发生的热量导致第一半导体芯片和框架的偏移。
半导体封装结构制造方法

[发明专利]半导体封装件及其制法-CN201210585201.3有效
发明人：程吕义 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件包括线路增层、半导体芯片、电子组件与封装胶体，该半导体芯片覆晶接置于该线路增层的顶面，且具有贯穿的凸块，该电子组件接置于该半导体芯片上，该封装胶体形成于该线路增层的顶面上，且包覆该半导体芯片与电子组件。
半导体封装及其制法

[发明专利]半导体封装-CN201611166844.9在审
发明人：全炫水 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体封装。该半导体封装包括电路基板；半导体芯片，安装在电路基板上并电连接到电路基板；光电芯片，安装在半导体芯片上；以及粘合部，插置在半导体芯片和光电芯片之间。
半导体封装

[实用新型]基于半导体芯片封装体的嵌入式封装结构-CN201520964329.X有效
发明人：蔡亲佳 -专利权人：蔡亲佳
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L23/535 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于半导体芯片封装体的嵌入式封装结构，所述嵌入式封装结构包括：线路板，其具有相对设置的第一表面和第二表面；设于所述线路板内的、至少一个可容置半导体芯片封装体的开口或空腔；设置于所述开口或空腔内的半导体芯片封装体；封装材料，至少将线路板的第一表面覆盖及填充所述开口或空腔内未被半导体芯片封装体占据的空间；重布线层，至少可电气连接半导体芯片封装体和线路板。本实用新型中的半导体芯片封装体组装采用线路板嵌入式技术方案，可以简化半导体芯片封装体的组装工艺流程，提高组装品质和性能，有效减小组装面积。
基于半导体芯片封装嵌入式结构

[发明专利]散热半导体芯片封装件及其制造方法-CN201510212043.0在审
发明人：金朝汉;朴喜津;金庆洙;李在珍 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及散热半导体芯片封装件及其制造方法。所述制造散热半导体芯片封装件的方法，包括将半导体芯片的第一表面附接至绝缘膜上，将涂布液注入到半导体芯片的第二表面上以形成液化的涂布层；以及固化所述液化的涂布层以形成散热层。因此，散热半导体芯片封装件以及制造所述散热半导体芯片封装件的方法形成了与半导体芯片直接接触的散热层以使散热效果最大化。
散热半导体芯片封装及其制造方法

[发明专利]散热半导体芯片封装件及其制造方法-CN202010352924.3在审
发明人：金朝汉;朴喜津;金庆洙;李在珍 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及散热半导体芯片封装件及其制造方法。所述制造散热半导体芯片封装件的方法，包括将半导体芯片的第一表面附接至绝缘膜上，将涂布液注入到半导体芯片的第二表面上以形成液化的涂布层；以及固化所述液化的涂布层以形成散热层。因此，散热半导体芯片封装件以及制造所述散热半导体芯片封装件的方法形成了与半导体芯片直接接触的散热层以使散热效果最大化。
散热半导体芯片封装及其制造方法

[发明专利]具有侧面I/O的增强型I/O半导体芯片封装和冷却组装件-CN202210397535.1在审
发明人：杜连昌;J·L·斯莫利;S·奈卡恩蒂;E·W·巴德里乌斯;Y·曾;张新军;M·印;张志超;C·张;Y·范;周明理;G·迎;Y·任;C·J·赵;卢俊;K·王;T·G·汉娜;V·K·波杜;M·A·施密瑟尔;L·冯 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-04-15 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：描述了一种半导体芯片封装。半导体芯片封装具有基板。基板在基板的附加表面区域上具有侧面I/O。侧面I/O耦合到半导体芯片封装内的半导体芯片的I/O。还描述了一种冷却组装件。冷却组装件具有用于引导电缆以连接到半导体芯片侧面I/O的通道，该侧面I/O位于冷却模块的底座和电子电路板之间，该电子电路板位于垫板和背板之间，并且该电子电路板通过其中插入半导体芯片封装的插口耦合到半导体芯片的第二
具有侧面增强半导体芯片封装冷却组装

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610058677.6有效
发明人：岛贯好彦 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2006-03-08 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提高了半导体器件的可靠性。该半导体器件包括封装衬底、半导体芯片、导线、芯片键合膜、多个焊接凸点和密封体，其中封装衬底具有干型抗蚀剂膜，其覆盖了形成在主表面和背表面上的多个导体部分中的一些导体部分且由膜形成；半导体芯片安装在封装衬底上方；导线电连接半导体芯片和封装衬底；芯片键合膜布置在封装衬底的主表面和半导体芯片之间；多个焊接凸点形成在封装衬底的背表面上；以及密封体由树脂制成。通过在封装衬底的主表面和背表面上形成由膜制成的干型抗蚀剂膜，可以抑制封装衬底的翘曲，并因此可以防止在回流安装时出现封装裂缝，从而提高半导体器件的可靠性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体芯片封装件、系统以及制造方法-CN201510514194.1在审
发明人： A·M·蒂武西奥;常洁;李根赫 -专利权人：快捷半导体（苏州）有限公司
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体芯片封装件、一种包括该半导体芯片封装件的系统以及相应的制造方法。该半导体芯片封装件包括引线框架，所述引线框架包括一个芯片附着盘和布置在该芯片附着盘一侧的至少一个引线片；至少一个半导体芯片，所述至少一个半导体芯片被布置在所述引线框架的所述芯片附着盘上；模制材料，用于覆盖所述芯片附着盘和所述引线片的至少一部分，以形成半导体芯片封装件；其中在半导体芯片封装件的底部设置有用于增加爬电距离的爬电凹槽，该爬电凹槽位于所述芯片附着盘和所述引线片之间的模制材料中。本发明的半导体芯片封装件可具有更大的源-漏爬电距离，从而能够在应用于高压电子产品时提供更好的绝缘性。
半导体芯片封装系统以及制造方法

[发明专利]嵌入式半导体封装件及其制造方法-CN202080031123.5在审
发明人：小仓信雄;席徳哈斯·拉维常德兰;维卡特许·维·桑达兰;拉欧·尔·潭马拉 -专利权人：乔治亚技术研究公司;长瀬产业株式会社
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本公开描述半导体封装件，更具体地，描述芯片嵌入式半导体封装件。封装件包括芯板，芯板具有延伸通过芯板的孔。半导体芯片嵌入芯片孔内。模塑料可以沿着芯板的一侧定位。在一些示例中，半导体芯片嵌入模塑料内。在其他示例中，半导体芯片黏附到模塑料。本文所述的芯板的热膨胀系数(CTE)值可以被调整，以在半导体芯片于使用期间升温时减少封装件的翘曲。
嵌入式半导体封装及其制造方法

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