“极化激元”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果255790个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种激发极化激元反向切伦科夫辐射的方法-CN202310458141.7在审
发明人：戴庆;吴晨晨;郭相东;杨晓霞;张姝 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种激发极化激元反向切伦科夫辐射(CR)的方法，涉及纳米光源和电子激发技术领域，包括：S1.在芯片基底制备支持负群速度色散的双曲极化激元材料或双曲极化激元异质结材料；S2.基于制备的双曲极化激元材料，利用运动的带电粒子激发极化激元反向CR；S3.将运动的带电粒子放置于双曲极化激元材料或双曲极化激元异质结材料表面，当运动的带电粒子波矢与极化激元满足波矢匹配条件，则发生反向CR。本发明1)使用纳米线的等离激元模仿运动的带电粒子可以有效地激发极化激元反向CR；2)可以在其他基于双曲极化激元材料的异质结构中进一步调节。
一种激发极化反向切伦科夫辐射方法

[发明专利]一种具有低对称性布洛赫模式的二维极化激元光子晶体-CN202310716581.8在审
发明人：武英杰;崔震洋;郑斌;陈红胜 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低对称性布洛赫模式的二维极化激元光子晶体。包括衬底层和位于衬底层上的极化激元层，所述极化激元层为面内各向异性极化激元材料，并且，所述极化激元层具有周期性缺陷结构。该光子晶体基于极化激元材料，激发的极化激元能够突破衍射极限，实现亚波长尺度的光场约束和调控，有望应用于高集成度的片上光子回路；由于光子晶体中极化激元的面内各向异性，该光子晶体中的布洛赫模式具有低对称性，光子晶体的能带结构沿着第一布里渊区(Brillouin zone)边界的不同路径具有不同的结构；利用面内各向异性极化激元可以通过旋转光子晶体周期性结构的取向调控极化激元光子晶体的光学响应，提供新的光子晶体调控手段
一种具有对称性布洛赫模式二维极化光子晶体

[发明专利]一种基于金属微纳天线的面内各向异性极化激元器件及其制备方法和激发方法-CN202110418768.0有效
发明人：陈焕君;蒋菁遥;郑泽波;邓少芝 -专利权人：中山大学
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于金属微纳天线的面内各向异性极化激元器件及其制备方法和激发方法。该器件包括面内各向异性激元材料薄膜和叠设于面内各向异性激元材料薄膜上的金属微纳天线结构；所述金属微纳天线结构由等离极化激元材料制成。本发明将金属微纳天线与各向异性极化激元材料进行集成，可通过远场激发金属微纳天线的等离极化激元共振，并进一步通过该共振对面内各向异性极化激元进行激发，从而实现极化激元的远场高效激发。
一种基于金属天线各向异性极化元器件及其制备方法激发

[发明专利]一种大面积少层/单层极化激元晶体及其制备方法-CN202210356150.0在审
发明人：陈焕君;廖慧珍;黄悟朝;邓少芝;许宁生 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-04-06 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种大面积少层/单层极化激元晶体及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：利用反应离子束对多层极化激元晶体刻蚀至少层/单层，即得所述大面积少层/单层的极化激元晶体。本发明提供的制备方法能够自由实现极化激元晶体层数的调控，得到大面积少层/单层极化激元晶体，且便于操作、使用能耗较低。
一种大面积单层极化晶体及其制备方法

[发明专利]一种平面型单片式极化激元超透镜及制备方法-CN202310774607.4在审
发明人：武英杰;崔震洋;郑斌;陈红胜 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-06-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面型单片式极化激元超透镜，包括自下而上设置的衬底层和极化激元层，所述极化激元层上表面设置具有几何形状的台阶结构，在使用时通过所述台阶结构对入射极化激元进行汇聚，以形成焦点。本发明提供的平面型单片式极化激元超透镜为平面型单片式器件，容易与现有的片上集成系统兼容，并且不需要金属天线、周期性阵列或其他辅助结构，制作工艺简单，能实现高分辨率和可调节的极化激元面内聚焦。
一种平面单片极化激元超透镜制备方法

[发明专利]基于同位素富集降低极化激元材料光学损耗的器件及方法-CN202110900319.X有效
发明人：赵永潜;陈佳宁;鲍丽宏;陈建翠 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-08-06 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于同位素富集来降低极化激元材料的光学损耗的器件，包括：单元素同位素富集的极化激元材料薄片；和所述极化激元材料薄片被置于其上的衬底。本发明的器件可以是高Q值纳米微腔，波导，耦合器等极化激元光子器件。本发明还涉及一种基于同位素富集来降低极化激元材料的光学损耗的方法。本发明制备工艺简单，在室温下用常规的散射型近场扫描显微镜激发，即可产生寿命长，光学损耗低的声子极化激元。
基于同位素富集降低极化材料光学损耗器件方法

[发明专利]一种基于声子极化激元的相位调制方法-CN202210084966.2在审
发明人：戴庆;胡海;陈娜;滕汉超 -专利权人：国家纳米科学中心
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G02F1/015 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于声子极化激元的相位调制方法，所述方法应用于相位调制器件，所述相位调制方法包括：采用散射光或红外光照射作为入射光照射所述金属天线，激发所述氧化钼层衍生出氧化钼声子极化激元；通过调整所述石墨烯条带的化学掺杂时间，调控石墨烯条带载流子浓度；以调整石墨烯等离激元和所述氧化钼声子极化激元的杂化模式的色散，改变传输到石墨烯条带区域的氧化钼声子极化激元的杂化模式的相速度，实现对氧化钼声子极化激元的相位调制；所述石墨烯等离激元为所述石墨烯条带被入射光照射激发产生本发明的相位调制方法基于本发明所述的相位调制器件，通过改变石墨烯条带载流子浓度从而实现氧化钼声子极化激元传输相位的连续动态调控。
一种基于极化相位调制方法

[发明专利]一种基于表面等离极化激元传播特性变化的电场探测装置-CN202011265664.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：彭彦莉
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： G01R29/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于表面等离极化激元传播特性变化的电场探测装置，包括基底、加热部、贵金属薄膜、表面等离极化激元激发部、表面等离极化激元探测部、有机共轭聚合物材料，基底的表面设有凹坑，加热部填充凹坑，贵金属薄膜置于基底和加热部上，表面等离极化激元激发部和表面等离极化激元探测部分别置于贵金属薄膜上加热部的两侧，有机共轭聚合物材料置于加热部顶部的贵金属薄膜上。
一种基于表面极化传播特性变化电场探测装置

[发明专利]一种从有机晶体微腔中的拓扑谷发射的螺旋激子极化激元激光器-CN202210210709.9在审
发明人：廖清;付红兵;龙腾 -专利权人：首都师范大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01S3/06 文献下载
摘要：在这项发明中，我们展示了基于特定的局部非平凡带几何形状的有机各向异性微晶腔的拓扑谷的螺旋激子极化激元激光。拓扑光子学为开发具有强大的无损光传输和可控螺旋度的光子器件提供了重要平台。将光子与激子(或激子极化激元激光)混合会产生具有手性模式的非平凡激子极化激元激光能带，从而允许在强耦合光物质系统中操纵螺旋激光器。这种激子极化激元激光激光器沿不同的角度方向发射不同螺旋度的激光。螺旋拓扑激子极化激元激光激光器可以为探索涉及光物质相互作用的新拓扑现象和基于激子极化激元激光的自旋电子器件的开发提供一个完美的平台。
一种有机晶体中的拓扑发射螺旋激子极化激光器

[发明专利]声子极化激元增强的平面型阻挡杂质带长波红外探测器及制备方法-CN202211327398.0在审
发明人：杨青;孟雷欣;武英杰;刘旭 -专利权人：之江实验室
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种声子极化激元增强的平面型阻挡杂质带长波红外探测器及制备方法。器件自下而上依次为衬底，水平排列的接触层、吸收层和阻挡层，声子极化激元增强层以及金属电极；其中，衬底和阻挡层为本征半导体，接触层和吸收层为通过离子注入制备得到的掺杂半导体，声子极化激元增强层为通过沉积法制备得到的具有周期性微纳结构的声子极化激元材料薄膜本发明的特点是利用微纳结构耦合入射光并激发声子极化激元，通过声子极化激元的限域光场约束效应增强探测器在长波红外波段的光吸收性能，制作工艺简单、灵敏度高的长波红外探测器。
极化增强平面阻挡杂质长波红外探测器制备方法

[发明专利]一种激发二维范德华材料极化激元的方法-CN202010763275.6有效
发明人：戴庆;郭相东;杨晓霞;高鹏;李宁 -专利权人：国家纳米科学中心;北京大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01Q15/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种激发二维范德华材料极化激元的方法，所述方法包括如下步骤：使用高能电子照射二维范德华材料，实现二维范德华材料极化激元的激发。所述方法利用高能电子波长短的优势，提供超高动量补偿和超高空间分辨，从而借助电子辐射出的电磁场诱导二维范德华材料上产生表面电磁波，即极化激元。所述方法不仅能够对多层二维范德华材料的极化激元进行有效激发，还能够对单层二维范德华材料进行有效激发，这不仅能够为二维范德华材料极化激元的研究提供基础，有利于探索新材料中的极化激元与量子限域效应，也能够为将二维范德华材料用于小型光子学器件提供理论基础
一种激发二维范德华材料极化方法

[发明专利]一种人工表面等离子体激元馈电的双极化贴片天线阵列-CN202111447665.3在审
发明人：李雨键;曹迪;王均宏 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01Q21/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种人工表面等离子体激元馈电的双极化微带贴片天线阵列。包括：双极化微带贴片天线阵列和两组基于人工表面等离子体激元的串联馈电网络；基于人工表面等离子体激元的串联馈电网络由位于介质基片下表面的直线型人工表面等离子体激元传输线、4段位于介质基片上表面的V型人工表面等离子体激元传输线以及用于连接基片上下表面传输线的集成于基片中的金属柱构成；双极化微带贴片天线阵列的辐射贴片位于介质基片的上表面，金属地板位于介质基片的下表面。本发明利用基于人工表面等离子体激元的串联馈电网络对双极化微带贴片天线阵列进行馈电；单层结构，结构紧凑，易于加工实现；具有良好的阻抗带宽和稳定的方向图和定向辐射特性。
一种人工表面等离子体馈电极化天线阵列

[发明专利]基于人工表面等离极化激元的定向耦合器-CN201210355249.5无效
发明人：崔铁军;沈晓鹏;赵沛;杨艳 -专利权人：东南大学
申请日： 2012-09-21 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01P5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于人工表面等离极化激元的定向耦合器，包括输入端、隔离端、耦合端、直通端和耦合段，所述输入端、隔离端、耦合端、直通端和耦合段均由平面等离极化激元波导组成，所述平面等离极化激元波导由周期性排列的金属单元组成，所述金属单元上均设置有垂直于所述平面等离极化激元波导长度方向的凹槽，所述凹槽均位于所述平面等离极化激元波导的同侧。
基于人工表面极化定向耦合器

[发明专利]一种光学激发产生自旋极化电子和自旋电流的方法-CN201210495644.3有效
发明人：闫存极;韩立;顾文琪 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种利用光学激发产生自旋极化电子和自旋电流的方法，利用光学全反射在界面上所产生的倏逝波与位于该界面上产生自旋极化电子和自旋电流的功能层所包含的由表面等离激元金属材料构成的具有纳米特征尺寸的结构发生相互作用，激发表面等离激元，使共振跃迁的表面自由电子在表面等离激元金属材料构成的结构的表面有效磁场中发生自旋进动，形成共同的自旋磁矩分量，从而在产生自旋极化电子的功能层中产生了自旋极化电子，进而伴随着表面等离激元在表面
一种光学激发产生自旋极化电子电流方法

[发明专利]基于少层二维半导体材料形成布拉格激子极化激元的方法-CN202111371233.9在审
发明人：尚景智;胡韩伟;张学文;何思霖 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于少层二维半导体材料形成布拉格激子极化激元的方法，包括如下步骤：(1)采用高真空电子束蒸镀技术在Si衬底表面交替沉积一定对数的折射率不同的介质膜材料，形成分布式布拉格反射镜，构造平板半微腔；(2)采用机械剥离或是化学气相沉积法将少层二维半导体材料制备在平板半微腔上；(3)在合适的激发光源作用下便可以形成激子极化激元。本发明大幅简化了传统的谐振腔或增益介质的多重插入式结构设计，在少层二维半导体材料表面形成激子极化激元，使得激子极化激元更容易观测和调控，有利于实用型二维半导激子极化激元器件的开发及应用。
基于二维半导体材料形成布拉格激子极化方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条