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[实用新型]一种双引线框架叠合设计半导体器件封装结构-CN201420768716.1有效
发明人：曹周;敖利波 -专利权人：杰群电子科技（东莞）有限公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双引线框架叠合设计半导体器件封装结构，包括：第一引线框架和第二引线框架，封装时，所述第二引线框架叠放在所述第一引线框架上，所述第一引线框架包括：第一芯片座、至少一个第一芯片栅极管脚、第二芯片座、至少一个第二芯片漏极管脚、至少一个第二芯片栅极管脚和第一引线框架外框，所述第二引线框架包括：铜桥、至少一个第二引线框架管脚和第二引线框架外框。本实用新型所述的双引线框架叠合设计半导体器件封装结构利用第二引线框架上的铜桥直接将第一芯片的漏极和第二芯片的源极连接起来，用铜桥代替了导线，提高了半导体器件的电流承载能力，且铜桥能够吸收芯片瞬时产生的热量
一种引线框架叠合设计半导体器件封装结构

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211114771.4在审
发明人：里卡多·杨多克;亚当·布朗;诺曼·斯塔珀尔伯格;马诺耶·巴拉克瑞南 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体器件，包括引线框架、使用第一焊料被附接至引线框架的管芯、使用第二焊料被附接至管芯的源极夹和栅极夹、以及被附接至引线框架的漏极夹。半导体器件被倒置，使得源极夹和栅极夹被定位在半导体器件的底侧上，其中引线框架被定位在半导体器件的顶侧上，使得引线框架是顶部暴露的漏极夹。源极夹和/或漏极夹包括半切锁定特征。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]应用双层引线框架的堆叠式功率半导体器件及其制备方法-CN201110237557.3有效
发明人：薛彦迅;何约瑟;哈姆扎·耶尔马兹;石磊;鲁军;赵良 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2011-07-26 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种倒装芯片的功率半导体器件及方法，更确切的说，本发明涉及一种利用倒装芯片的封装方式并应用双层引线框架的所制备的包含金属氧化物半导体场效应晶体管的堆叠式功率半导体器件及其制造方法。主要是将多个第一芯片与第一引线框架连接，同时将多个第二芯片与第二引线框架连接，并利用联接片连接第一芯片背面的电极至第一引线框架所包含的部分底层基座上，翻转第一引线框架之后与第二引线框架进行堆叠封装，再进行切割，旨在使所获得的堆叠式功率半导体器件所容纳的芯片尺寸最大或堆叠式功率半导体器件的封装体最小。
应用双层引线框架堆叠功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件封装-CN201780066917.3在审
发明人：孔成民 -专利权人： LG伊诺特有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：公开了根据一个实施例的半导体器件封装，所述半导体包括：基板；设置在基板上的第一引线框架和第二引线框架；发光元件，电连接到第一引线框架和第二引线框架；反射层，设置在基板上以反射从发光元件发出的光；以及透镜，设置在基板上以覆盖发光元件、反射层、以及第一引线框架和第二引线框架。
引线框架基板半导体器件封装发光元件反射层透镜覆盖发光元件电连接反射半导体

[发明专利]半导体装置-CN201611232698.5有效
发明人：香月尚 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明的半导体装置能抑制大型化，并确保可允许来自半导体元件的发热的热容量。半导体装置(100)中，引线框架(151)的一端部经由焊料(141)连接到电路图案(112c)，另一端部从壳体(160)向外侧延伸。同样，引线框架(152)的一端部经由焊料(142)连接到电路图案(112d)，另一端部从壳体(160)向外侧延伸。此时，被引线框架(151)覆盖的电路图案(112a、112b)分别埋设在绝缘层(131、132)中。另外，半导体元件(180)隔着焊料(170)设置在引线框架(151)的电路图案(112c)上方的区域。引线(190)将半导体元件(180)与引线框架(152)的电路图案(112d)上方的区域电连接。
半导体装置

[发明专利]引线框架的处理产线-CN201610029131.1有效
发明人：黄春杰;陈概礼;黄利松 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种引线框架的处理产线。所述引线框架的处理产线包括取料机构、引线框架处理槽、引线框架夹具、引线框架推送设备及水刀。所述取料机构的推料装置通过第一驱动装置驱动，可实现自动工作。所述引线框架处理槽的固持机构将半导体引线框架维持在竖直位置，使得半导体引线框架占用空间小且浸泡时间长，获得较佳的浸泡效果。所述引线框架夹具，设置的接液槽能够完全接收引线框架上滴落的化学处理液，避免化学处理液滴落在气缸、导轨等结构而造成腐蚀。
引线框架处理

[实用新型]引线框架的处理产线-CN201620042052.X有效
发明人：黄春杰;陈概礼;黄利松 -专利权人：上海新阳半导体材料股份有限公司
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种引线框架的处理产线。所述引线框架的处理产线包括取料机构、引线框架处理槽、引线框架夹具、引线框架推送设备及水刀。所述取料机构的推料装置通过第一驱动装置驱动，可实现自动工作。所述引线框架处理槽的固持机构将半导体引线框架维持在竖直位置，使得半导体引线框架占用空间小且浸泡时间长，获得较佳的浸泡效果。所述引线框架夹具，设置的接液槽能够完全接收引线框架上滴落的化学处理液，避免化学处理液滴落在气缸、导轨等结构而造成腐蚀。
引线框架处理

[发明专利]具有粘合剂溢流凹部的经修改的引线框架设计-CN201710762746.X有效
发明人： R·罗德里奎兹;A·M·阿谷唐;J·塔利多;M·马纳罗;E·M·卡达格;R·塞奎多 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及一种引线框架，该引线框架具有在引线框架的主体中的凹部，用以收集从将半导体管芯耦合至引线框架的制造工艺中溢流的胶。该凹部在半导体管芯的边缘下方延伸，使得粘合至半导体管芯的胶的任何趋势被该胶粘附至凹部的壁的趋势所抵消，并且至少部分地填充凹部的体积。此外，用于收集粘合剂的凹部还可以在引线框架的边缘上形成锁模，该锁模在物理和温度应力期间提供引线框架与密封剂之间更加持久的连接。
具有粘合剂溢流修改引线框架设计

[发明专利]用于半导体封装件的间隔体框架-CN202110747395.1在审
发明人： I·尼基廷 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：一种在半导体封装件生产期间进行框架处理的方法包括：提供引线框架，所述引线框架具有通过第一系杆固定到所述引线框架的外围的引线；提供多规格间隔体框架，所述多规格间隔体框架具有通过第二系杆固定到所述间隔体框架的外围的间隔体，所述间隔体比所述第二系杆厚；以及使所述多规格间隔体框架与所述引线框架对准，使得所述多规格间隔体框架的所述间隔体和所述第二系杆不接触所述引线框架的所述引线。还描述了一种功率半导体模块以及一种组装功率半导体模块的方法。
用于半导体封装间隔框架

[发明专利]引线框架、半导体器件以及电路装置-CN201911157131.X在审
发明人：赵良;陈松 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种引线框架、半导体器件以及电路装置。其中，引线框架包括框架单元，框架单元包括：散热片，设有安装孔；芯片载台，用于安装半导体芯片；以及缓冲层，在散热片的厚度方向上连接于散热片和芯片载台之间。本发明实施例提供的引线框架，能够减小在安装过程中半导体芯片受到的应力，防止半导体芯片产生裂纹。
引线框架半导体器件以及电路装置

[实用新型]引线框架、半导体器件以及电路装置-CN201922046737.8有效
发明人：赵良;陈松 -专利权人：瑞能半导体科技股份有限公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种引线框架、半导体器件以及电路装置。其中，引线框架包括框架单元，框架单元包括：散热片，设有安装孔；芯片载台，用于安装半导体芯片；以及缓冲层，在散热片的厚度方向上连接于散热片和芯片载台之间。本实用新型实施例提供的引线框架，能够减小在安装过程中半导体芯片受到的应力，防止半导体芯片产生裂纹。
引线框架半导体器件以及电路装置

[实用新型]一种防止半导体焊接芯片时结合材溢出的新型结构-CN201320561108.9有效
发明人：敖利波;汪金 -专利权人：杰群电子科技（东莞）有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实用新型提供一种防止半导体焊接芯片时结合材溢出的新型结构，包括引线框架、半导体芯片，所述半导体芯片通过结合材粘结于所述引线框架上，所述结合材的四周设有阻胶墙，所述阻胶墙为引线框架上一凸起的挡块框，所述阻胶墙也可以为引线框架上一凹陷的凹槽本实用新型提供的一种防止半导体焊接芯片时结合材溢出的新型结构，解决了半导体焊接半导体芯片时，结合材因过多而导致溢出的现状，为后续封装等过程提高了效率及封装质量。
一种防止半导体焊接芯片结合溢出新型结构

[发明专利]半导体装置-CN202010959502.2在审
发明人：山口翔;唐泽纯 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：根据一个实施方式的半导体装置包括第一引线框架、第二引线框架、半导体芯片和导电部件。第二引线框架具有设置有凹部的第一面，并且与第一引线框架分离。半导体芯片搭载于第一引线框架。导电部件具有第二面，该第二面通过导电粘合剂连接至第一面，第二面具有至少部分地容纳在所述凹部中的凸部，并且导电部件将半导体芯片和第二引线框架彼此电连接。
半导体装置

[发明专利]具有夹具对准凹口的半导体封装和相关方法-CN202310207094.9在审
发明人：马可·艾伦·马翰伦 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：具有夹具对准凹口的半导体封装和相关方法。在一个实施例中，一种电子组件可包括引线框架及第一半导体裸片。引线框架可包括引线框架顶部侧、与引线框架顶部侧相对的引线框架底部侧，及在引线框架顶部侧处的顶部凹口。顶部凹口可包括顶部凹口基底，顶部凹口基底位于引线框架顶部侧与引线框架底部侧之间，且界定顶部凹口的凹口长度；且顶部凹口还可包括顶部凹口第一侧壁，顶部凹口第一侧壁沿着凹口长度从引线框架顶部侧延伸到顶部凹口基底第一半导体裸片可包括裸片顶部侧、与裸片顶部侧相对且安装到引线框架顶部侧上的裸片底部侧，及裸片周边。顶部凹口可位于裸片周边的外侧。本文中还揭示其它实例及相关方法。
具有夹具对准凹口半导体封装相关方法

[发明专利]具有夹具对准凹口的半导体封装和相关方法-CN201710172718.2有效
发明人：马可·艾伦·马翰伦 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：具有夹具对准凹口的半导体封装和相关方法。在一个实施例中，一种电子组件可包括引线框架及第一半导体裸片。引线框架可包括引线框架顶部侧、与引线框架顶部侧相对的引线框架底部侧，及在引线框架顶部侧处的顶部凹口。顶部凹口可包括顶部凹口基底，顶部凹口基底位于引线框架顶部侧与引线框架底部侧之间，且界定顶部凹口的凹口长度；且顶部凹口还可包括顶部凹口第一侧壁，顶部凹口第一侧壁沿着凹口长度从引线框架顶部侧延伸到顶部凹口基底第一半导体裸片可包括裸片顶部侧、与裸片顶部侧相对且安装到引线框架顶部侧上的裸片底部侧，及裸片周边。顶部凹口可位于裸片周边的外侧。本文中还揭示其它实例及相关方法。
具有夹具对准凹口半导体封装相关方法