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[发明专利]CMOS晶体管及制作方法、PMOS晶体管及制作方法-CN201110319092.6有效
发明人：平延磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：所述CMOS晶体管的制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上依次形成栅介质层、第一功函数金属层、第二功函数金属层和多晶硅层，第二功函数金属层的功函数位于NMOS晶体管的功函数范围，第一功函数金属层的功函数位于NMOS晶体管功函数和PMOS晶体管功函数的算术平均值范围，在PMOS晶体管区域对应的第一功函数金属层中进行铝离子注入；形成NMOS晶体管区域对应的栅极结构和PMOS晶体管区域对应的栅极结构。本发明在采用先栅极制作工艺的过程中，可以更稳定准确地控制金属栅极的功函数，使得晶体管具有性能稳定的门限电压。
cmos 晶体管制作方法 pmos

[发明专利]太阳能电池及生产方法、光伏组件-CN202011556800.3有效
发明人：刘继宇;李华 -专利权人：泰州隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：太阳能电池包括：硅基底、掺杂氮化钛层、低功函数金属层和金属电极层；掺杂氮化钛层设置在硅基底的一面，低功函数金属层设置在掺杂氮化钛层的一面，金属电极层设置在低功函数金属层的一面；低功函数金属层包含的低功函数金属高于金属钛的活性；其中，掺杂氮化钛层中包含的低功函数金属是从低功函数金属层中扩散进入形成的。本申请中，由于低功函数金属层可以在退火处理的过程中发生扩散，从而生成掺杂有低功函数金属层中低功函数金属的掺杂氮化钛层，使得掺杂氮化钛层的功函数降低，促进电子输运，进而提高太阳能电池的效率。
太阳能电池生产方法组件

[实用新型]一种半导体器件-CN201821482895.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：多个浅沟槽隔离结构，位于半导体衬底中并定义出一有源区；多个栅沟槽，位于有源区中；多个掩埋栅结构，位于多个栅沟槽中；以及漏区，位于多个掩埋栅结构之间，其中，各个掩埋栅结构包括：栅电介质层，覆盖栅沟槽的底表面和侧壁；功函数层，位于栅电介质层之上；以及栅导电层，覆盖功函数层并填充栅沟槽，其中，功函数层包括第一功函数层和第二功函数层，第一功函数层至少覆盖栅沟槽的底表面，第二功函数层从第一功函数层延续并与栅沟槽的侧壁重叠，第二功函数层具有比第一功函数层低的功函数
功函数层栅沟槽掩埋栅结构半导体器件本实用新型栅电介质层侧壁衬底源区半导体覆盖浅沟槽隔离结构填充栅沟槽产品良率栅导电层功函数漏极漏区泄漏诱导

[发明专利]CMOS晶体管栅极中的凹入功函数金属-CN200780016613.2无效
发明人： W·拉赫马迪;B·麦金太尔;M·K·哈珀;S·M·乔希 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-05-01 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：晶体管栅极包括：衬底，表面上设置有一对间隔物；高k电介质，保形地沉积在所述间隔物之间的衬底上；凹入功函数金属，其在高k电介质上并沿着所述间隔物的侧壁的一部分保形地沉积；第二功函数金属，保形地沉积在凹入功函数金属上；以及电极金属，沉积在第二功函数金属上。所述晶体管栅极可以通过以下步骤形成：将高k电介质保形地沉积在衬底上的间隔物之间的沟槽中、在高k电介质上保形地沉积功函数金属、在功函数金属上沉积牺牲掩模、蚀刻所述牺牲掩模的一部分以暴露功函数金属的一部分、以及蚀刻功函数金属的暴露部分以形成凹入功函数金属。第二功函数金属和电极金属可沉积在凹入功函数金属上。
cmos 晶体管栅极中的凹入功函数金属

[发明专利]使用相同功函数材料的复合功函数层的形成-CN202110063658.7在审
发明人：李欣怡;洪正隆;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及使用相同功函数材料的复合功函数层的形成。方法包括在半导体区上形成栅极电介质层，和使用第一含铝前驱物沉积第一含铝功函数层。所述第一含铝功函数层在所述栅极电介质层上方。使用第二含铝前驱物沉积第二含铝功函数层，所述第二含铝前驱物不同于所述第一含铝前驱物。所述第二含铝功函数层沉积在所述第一含铝功函数层上方。在所述第二含铝功函数层上方形成传导区。
使用相同函数材料复合形成

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011311641.0在审
发明人：陈建;涂武涛;王彦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底，衬底上具有介质层，衬底包括第一区；第一开口，位于第一区的介质层内；第一功函数层，位于第一开口的底部和侧壁上，第一功函数层的顶部表面低于介质层的顶部表面；第二功函数层和第三功函数层，位于第一开口中的第一功函数层表面以及第一开口侧壁上，第二功函数层和第三功函数层的顶部表面低于介质层的顶部表面且高于第一功函数层的顶部表面；第四功函数层，位于第一开口中的第三功函数层表面以及第一开口侧壁上
半导体结构及其形成方法

[发明专利]有机发光元件-CN201610804999.4有效
发明人：孟心飞;洪胜富;冉晓雯;张浩文;徐振航 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光元件，包含第一电极、第一发光层、第一低功函数层、第二低功函数层、导电抗蚀刻层、第一电洞注入层、第二发光层以及第二电极。第一发光层位于第一电极上方。第一低功函数层位于第一发光层上方。第二低功函数层位于第一低功函数层上方，第二低功函数层的功函数大于第一低功函数层的功函数。导电抗蚀刻层位于第二低功函数层上方。第一电洞注入层位于导电抗蚀刻层上方。
有机发光元件

[发明专利]半导体器件的集成制造方法-CN202110508218.8在审
发明人：翁文寅 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的集成制造方法，形成m种厚度的第一类金属功函数层的步骤包括：步骤一、从底部到顶部将厚度最厚的第一类金属功函数层分成第一个、第二个直至第m个第一类金属功函数子层；步骤二、进行m次循环工艺，每一次循环工艺中包括一次金属功函数全面沉积工艺和一次金属功函数选择性刻蚀工艺；循环工艺设置为：各次金属功函数全面沉积工艺依次形成第一至第m个第一类金属功函数子层；各次金属功函数选择性刻蚀工艺的刻蚀区域依次缩小以保证每次金属功函数选择性刻蚀工艺都仅对一个单独的第一类金属功函数子层进行刻蚀本发明能避免在较厚的第一类金属功函数层的底部产生下切，从而能使金属功函数边界效应最优化。
半导体器件集成制造方法

[发明专利]多阈值电压晶体管及其形成方法-CN201610962602.4有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种多阈值电压晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底上具有层间介质层和贯穿层间介质层的三个开口，三个开口用于形成第一类型的晶体管；在第一开口、第二开口和第三开口的侧壁和底部形成第二类型的第一功函数层、位于第一功函数层上第一类型的第二功函数层；去除第一开口中的第二功函数层后，对第一开口中的第一功函数层进行改性处理，形成改性功函数层，改性功函数层的有效功函数值大于第一功函数层的有效功函数值；之后去除第二开口中的第二功函数层；之后在三个开口的侧壁和底部形成第一类型的第三功函数层。
阈值电压晶体管及其形成方法

[发明专利]集成电路的制造方法-CN201910922353.X在审
发明人：朱龙琨;黄懋霖;吴伟豪;江国诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种集成电路的制造方法，包含露出多个通道区，所述通道区包含p型通道区和n型通道区；形成栅极介电层于露出的通道区上方；以及形成功函数金属结构于栅极介电层上方。功函数金属结构包含形成于p型通道区上方的p型功函数金属部分和形成于n型通道区上方的n型功函数金属部分，且p型功函数金属部分比n型功函数金属部分薄。此方法还包含形成填充金属层于功函数金属结构上方，使得填充金属层直接接触p型功函数金属部分和n型功函数金属部分两者。
集成电路制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201810304571.2有效
发明人：涂火金 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-04-08 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供基底；在所述基底上形成功函数层；对所述功函数层进行氧化处理形成氧化层；在所述氧化层上形成电极层。本发明在基底上形成功函数层后，对所述功函数层进行氧化处理形成氧化层，由于氧具有较高的电负性，因此与所述功函数层相比，经氧化处理所形成的氧化层具有更高的有效功函数，而且，对所述功函数层进行氧化处理后，所形成的氧化层为非晶态结构，所述氧化层能够对电极层中的金属原子起到阻挡作用，降低所述金属原子扩散至所述功函数层中的概率，从而减小对PMOS晶体管的有效功函数的影响；综上，通过所述氧化层，能够增加PMOS晶体管的有效功函数，以满足PMOS晶体管功函数的要求。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制作工艺-CN201210217772.1有效
发明人：蔡旻錞;黄信富;许启茂;林进富;陈健豪;陈威宇;孙启原;谢雅雪;郑存闵 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-06-27 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制作工艺，该半导体结构包含有一功函数金属层、一（功函数）金属氧化层以及一主电极。功函数金属层位于一基底上。（功函数）金属氧化层位于功函数金属层上。主电极位于（功函数）金属氧化层上。此外，本发明也提供一种半导体制作工艺，用以形成上述的半导体结构。
半导体结构及其制作工艺

[发明专利]具有HKMG的PMOS-CN201810330468.5在审
发明人：王世铭;黄志森;许佑铨 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-04-13 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有HKMG的PMOS，HKMG包括栅介质层和金属栅，在栅介质层和金属栅之间形成有依次叠加的第一功函数层、第二功函数层和第一阻障层，第一功函数层为PMOS的功函数层；第二功函数层为NMOS的功函数层；第一阻障层用于防止金属栅的材料向下渗透到第一功函数并对第一功函数层产生影响，使PMOS的性能稳定。本发明能防止金属栅的金属材料穿透到底部的PMOS管的功函数层中，从而能提高PMOS的稳定性；不需要额外增加光罩，不会增加工艺的复杂性，工艺成本低；不会影响到NMOS的特性。
功函数层金属栅栅介质层阻障层金属材料工艺成本向下渗透依次叠加功函数光罩穿透

[发明专利]制造金属栅极的方法-CN201380021611.8有效
发明人：吕新亮;赛沙德利·甘古利;阿蒂夫·努里;梅特伊·马哈贾尼;陈世忠;雷雨;傅新宇;唐薇;斯里尼瓦斯·甘迪科塔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：在此所述的方法通常包括在半导体基板上形成高k介电材料；在该高k介电材料之上沉积高k介电帽层；沉积PMOS功函数层，其具有正功函数值；沉积NMOS功函数层；在该NMOS功函数层之上沉积NMOS功函数帽层；除去至少一部分的PMOS功函数层或至少一部分的NMOS功函数层；和沉积填充层。沉积高k介电帽层、沉积PMOS功函数层或沉积NMOS功函数帽层可包括氮化钛、氮化钛硅、或氮化钛铝的原子层沉积。可先沉积PMOS或NMOS中的任一者。
制造金属栅极方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202011009963.X在审
发明人：黄竞加;廖伟明 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：第三字线结构及第四字线结构设置在隔离结构中，其中第三字线结构及第四字线结构分别包含底部功函数层、位于底部功函数层上的中间功函数层、以及位于中间功函数层上的顶部功函数层。中间功函数层具有功函数大于顶部功函数层的功函数及底部功函数层的功函数。本发明的半导体结构可实现较高的驱动电流与较低的阈值电压敏感度，且可以避免短通道效应。
半导体结构及其制造方法