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[发明专利]晶体管及其制造方法-CN202210344583.4在审
发明人：李欣怡;赵皇麟;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：此方法包含形成包含铝和碳的功函数材料在通道结构周围。形成功函数材料在通道结构周围包含施加化学浸泡液，其中化学浸泡液的材料包含铝、碳及氢基材料。功函数材料包含的钛的浓度为功函数材料的0％至小于1.5％。晶体管包含通道结构及设置在通道结构周围的碳化铝(AlC)基功函数材料。功函数材料包含的钛的浓度为功函数材料的0％至小于1.5％。
晶体管及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN201810499745.5有效
发明人：周真 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-05-23 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上预定形成栅极结构的区域形成功函数层，所述功函数层包括TiAl；在真空环境下，对所述功函数层进行退火，将所述功函数层转变为包括位于不同层的富铝的TiAl合金和富钛的TiAl合金，以使所述功函数层在晶圆内的Ti和Al的比例分布更加均匀；对所述功函数层进行氧化，以在所述功函数层的表面形成氧化层。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种调节高K金属栅CMOS器件阈值的方法和CMOS器件-CN201911357653.4在审
发明人：程元伟;郑淑云;刘翰林 -专利权人：宿州市高智信息科技有限公司
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：器件阈值的方法和CMOS器件，该方法包括：提供衬底，所述衬底包括NMOS区域和PMOS区域，所述NMOS区域包含第一鳍片和第二鳍片，所述PMOS区域包含第三鳍片和第四鳍片；依次沉积第一、第二阻挡层和第一功函数层，第一阻挡层和第二阻挡层所用材料不同，第一功函数层材料与第二阻挡层材料不同；去除所述NMOS区域上的第一功函数层；在所述NMOS区域上进行处理，去除所述第一鳍片或所述第二鳍片上的所述第二阻挡层；沉积第二功函数层、第三功函数层，第二功函数层和第三功函数层所用材料不同；在所述PMOS区域上进行处理，去除所述第三鳍片或所述第四鳍片上的所述第三功函数层。
一种调节金属 cmos 器件阈值方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202211091855.0在审
发明人：刘洋 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构的制造方法包括：提供包括PMOS区和NMOS区的基底，PMOS区和NMOS区的基底上形成有栅介质层；形成保护层；形成第一功函数层，第一功函数层位于PMOS区的保护层上，第一功函数层内具有第一调节离子；形成第二功函数层，第二功函数层内具有第二调节离子；进行扩散工艺，使第一调节离子扩散至PMOS区的栅介质层内，使第二调节离子扩散至NMOS区的栅介质层内；去除第二功函数层以及第一功函数层，直至露出保护层；形成第一栅极以及第二栅极，第一栅极位于PMOS区上，第二栅极位于NMOS区上。至少可以解决去除PMOS区和NMOS区的功函数层对栅介质层带来的刻蚀损伤的问题。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]栅极结构的形成方法以及栅极结构-CN201410437368.4有效
发明人：徐建华;张子莹 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提供一种栅极结构的形成方法以及栅极结构，栅极结构的形成方法包括提供衬底，在衬底上形成介质层，并在介质层中形成第一开口、第二开口；形成第一功函数层；仅保留位于第一开口中的第一功函数层，以形成NMOS器件的功函数层；分别在第二开口中以及第一开口中的第一功函数层上形成第二功函数层；形成栅极。栅极结构包括衬底、介质层、位于介质层中的第一开口、第二开口；第一功函数层、第二功函数层、栅极。本发明的有益效果在于，先形成NMOS器件的功函数层有利于加快工艺进度，减少刻蚀过程中对其他半导体器件的影响；省去一道形成扩散阻挡层的工艺；增加了第一开口、第二开口的空间，进而有利于栅极的形成。
功函数层开口栅极结构介质层衬底半导体器件扩散阻挡层刻蚀过程进度保留

[发明专利]具有HKMG的SRAM-CN201810207615.X有效
发明人：陈品翰 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-03-14 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有HKMG的SRAM，单元结构中包括两个相邻的共用金属栅的第一PMOS管和第二NMOS管，第一PMOS管的HKMG的栅介质层和金属栅之间具有第一和二功函数层。第一功函数层仅位于第一PMOS管区域中并在侧面形成有第一阻障层。第二功函数层叠加在第一功函数层的表面并横向延伸到第二NMOS管的形成区域中，且在第一功函数层的侧面处两功函数层之间隔离有所述第一阻障层。本发明能防止SRAM单元结构的PMOS管的功函数层被相邻的共金属栅的NMOS管的功函数层的材料和金属栅的金属材料横向渗入，从而能提高SRAM单元结构中的PMOS管的稳定性。
具有 hkmg sram

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710130724.1有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2020-12-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在所述第一功函数层上形成牺牲层后，氧化所述第一功函数层，在所述第一功函数层与所述牺牲层之间形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成金属栅极，所述金属栅极与所述扩散阻挡层和第一功函数层用于构成栅极结构一方面本发明方案中所形成的扩散阻挡层有效的避免了金属栅极中的杂质离子扩散到第一功函数层中，从而提高了第一功函数层的性能；另一方面，在形成牺牲层之后再氧化所述第一功函数层形成扩散阻挡层，所述牺牲层可以有效控制氧化所述第一功函数层时通入反应物的流量
半导体结构及其形成方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201210425644.6有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-30 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：包括：提供表面具有介质层的半导体衬底，介质层内具有贯穿其厚度的第一开口，第一开口内具有栅极结构，且栅极结构的表面与介质层表面齐平，栅极结构包括：位于第一开口底部的栅介质层、覆盖栅介质层以及第一开口侧壁的功函数层、以及位于功函数层表面且填充满第一开口的栅极层，功函数层和栅极层的材料为金属；刻蚀功函数层，使功函数层的顶部表面低于介质层表面；在刻蚀功函数层之后，刻蚀栅极层，使栅极层的表面低于介质层表面、且高于功函数层表面；在刻蚀栅极层之后，在栅极层和功函数层表面形成绝缘层，绝缘层的表面与介质层表面齐平，且绝缘层的材料与介质层的材料不同。
晶体管形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910152043.4有效
发明人：周飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，阱区和漂移区交界处的基底上形成有初始金属栅结构，初始金属栅结构包括初始功函数层，初始金属栅结构一侧的阱区内形成有源区，初始金属栅结构另一侧的漂移区内形成有漏区；去除位于漂移区基底上靠近漏区一侧部分宽度的初始金属栅结构，形成开口，剩余初始金属栅结构作为金属栅结构，剩余初始功函数层作为功函数层；对开口露出的功函数层进行离子掺杂处理，当形成NMOS晶体管时，离子掺杂处理用于增大靠近漏区一侧功函数层的功函数，当形成PMOS晶体管时，离子掺杂处理用于减小靠近漏区一侧功函数层的功函数；形成填充开口的隔离结构。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]CMOS晶体管及制作方法、NMOS晶体管及制作方法-CN201110318999.0有效
发明人：平延磊;鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-19 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：所述CMOS晶体管的制作方法包括：提供包括NMOS晶体管区域和PMOS晶体管区域的半导体衬底；在半导体衬底上形成栅介质层；在栅介质层上形成功函数金属层，功函数金属层的功函数位于PMOS晶体管功函数范围；在NMOS晶体管区域对应的功函数金属层中进行N型离子注入；在功函数金属层上形成多晶硅层；分别刻蚀多晶硅层、功函数金属层和栅介质层，形成NMOS晶体管区域对应的栅极结构和PMOS晶体管区域对应的栅极结构。本发明在采用先栅极制作工艺的过程中，可以更稳定准确地控制金属栅极的功函数，使得晶体管具有性能稳定的门限电压。
cmos 晶体管制作方法 nmos

[发明专利]倒角的替代栅极结构-CN201910274505.X在审
发明人：王海艇;路荣涛;张志强;许国伟;臧辉;S·贝瑟尔;谢瑞龙 -专利权人：格芯公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：该结构包括：位于沟槽结构中的凹陷的栅极电介质材料；位于凹陷的栅极电介质材料上位于沟槽结构内的多个凹陷的功函数材料；位于沟槽结构内并且位于凹陷的栅极电介质材料和多个凹陷的功函数材料上方的多个附加功函数材料；位于沟槽结构内并且位于多个附加功函数材料之上的栅极金属，栅极金属和多个附加功函数材料具有位于沟槽结构的顶表面下方的平坦表面；以及位于栅极金属和多个附加功函数材料之上的帽盖材料。
功函数沟槽结构凹陷栅极电介质材料栅极金属栅极结构倒角半导体结构帽盖材料平坦表面顶表面替换替代制造

[发明专利]晶体管的制造方法-CN201110338884.8有效
发明人：平延磊;鲍宇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的制造方法，包括：提供衬底；在衬底上形成高K介质层；在高K介质层上形成具有第一功函数的帽层；在帽层上形成具有第二功函数的金属材料；通过热退火使所述金属材料向所述帽层扩散，形成功函数金属层；在功函数金属层上形成金属电极层本发明通过热退火使所述金属材料向所述帽层扩散，形成功函数金属层，可以通过调节金属材料和帽层的厚度，或者通过调节热退火的工艺条件，获得功函数可调节的功函数金属层。
晶体管制造方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201310092799.7在审
发明人：何永根;陈勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2014-09-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：，第一有源区和第二有源区的类型相反；在衬底上形成高K介质层、位于高K介质层上的导电层，将位于第一有源区的导电层定义为第一导电层，位于第二有源区的导电层定义为第二导电层；对第一导电层和/或第二导电层进行功函数调整；进行功函数调整后，图形化第一导电层、第二导电层和高K介质层，形成位于第一有源区的第一栅极及位于第一栅极下的第一高K栅介质层，位于第二有源区的第二栅极及位于第二栅极下的第二高K栅介质层。本发明通过对第一导电层和/或第二导电层进行功函数调整，不使用刻蚀工艺，不会损伤高K介质层。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201310388783.0在审
发明人：金柱然;前田茂伸;金峰奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-08-30 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：半导体基板，包括第一区和第二区；分别在第一区和第二区上的第一晶体管和第二晶体管，其中第一晶体管包括第一栅绝缘层图案，第二晶体管包括第二栅绝缘层图案，第一晶体管和第二晶体管两者都包括功函数调整膜图案和栅金属图案，其中第一晶体管的功函数调整膜图案包括与第二晶体管的功函数调整膜图案相同的材料，第一晶体管的栅金属图案包括与第二晶体管的栅金属图案相同的材料，包含在第一栅绝缘层图案中用于调节第一晶体管的阈值电压的金属的浓度不同于包含在第二栅绝缘层图案中用于调节第二晶体管的阈值电压的金属的浓度
半导体器件及其制造方法

[发明专利]栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件-CN201210246572.9有效
发明人：杨红;马雪丽;王文武;韩锴;王晓磊;殷华湘;闫江 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：区和所述pMOSFET区分别具有栅沟槽，所述栅沟槽的底部分别有栅介质层；在所述衬底的表面上形成栅介质保护层；在所述栅介质保护层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成吸氧元素层；在所述吸氧元素层上形成第一功函数调整层；刻蚀所述nMOSFET区之上的第一功函数调整层，直至露出所述刻蚀阻挡层；在所述衬底的表面上形成第二功函数调整层；进行金属层淀积和退火处理，以在所述栅沟槽内填充金属层；以及去除所述栅沟槽之外的金属层。
栅极结构形成方法半导体器件以及

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