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[发明专利]半导体元件-CN202310089559.5在审
发明人：纪呈彦;陈炜彤 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2023-02-02 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：该字元线结构包括一第一功函数层、一第二功函数层以及一缓冲结构。该第二功函数层设置在该第一功函数层上。该缓冲结构设置在该第一功函数层与该第二功函数层之间。
半导体元件

[发明专利]一种具有栅极填充结构的MOSFET管-CN202110219802.1在审
发明人：焦庆 -专利权人：中之半导体科技（东莞）有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明系提供一种具有栅极填充结构的MOSFET管，包括衬底，衬底上层叠有n个沟道模块，沟道模块两侧分别设有源极层和漏极层，顶部的沟道模块上设有第二功函数金属层，第二功函数金属层的两侧设有第二阻隔层，第二功函数金属层包覆有第二栅极介电层，第二功函数金属层上设有栅极金属层，栅极金属层的电阻小于第二功函数金属层的电阻，栅极金属层的顶部和两侧填充有间隔层；沟道模块包括第一功函数金属层、第一阻隔层和通道层，第一阻隔层设于第一功函数金属层的两侧，通道层位于第一功函数金属层和第一阻隔层的上方，第一功函数金属层包覆有第一栅极介电层。
一种具有栅极填充结构 mosfet

[发明专利]改善功函数金属边界位移工艺的方法-CN202211259506.5在审
发明人：汪丹丹 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种改善功函数金属边界位移工艺的方法,提供衬底，衬底上形成有鳍式结构，在衬底上形成覆盖鳍式结构的功函数金属层；利用至少一种预处理气体电离为等离子体轰击功函数金属层，使得功函数金属层与底部抗反射涂层结合的紧密度增加；形成覆盖功函数金属层的底部抗反射涂层以及位于底部抗反射涂层上的光刻胶层；光刻打开光刻胶层及其下方的底部抗反射涂层，使得其下方的功函数金属层裸露，之后刻蚀去除裸露的功函数金属层。本发明增加一道等离子体预处理工艺，可以使功函数金属层与底部抗反射层结合得更紧密，减少湿法刻蚀对底部抗反射层底部侧方向的损耗，这样可以减少功函数金属层损失，提高器件性能。
改善函数金属边界位移工艺方法

[发明专利]晶体管及其形成方法-CN201310064001.8有效
发明人：邓浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-02-28 - 公布日： 2014-09-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管及其形成方法，其中，晶体管的形成方法包括：半导体衬底表面具有栅介质薄膜、第一功函数薄膜、伪栅极薄膜和牺牲层；在牺牲层两侧的伪栅极薄膜表面形成掩膜结构；去除牺牲层，并以掩膜结构为掩膜，刻蚀伪栅极薄膜、第一功函数薄膜和栅介质薄膜，直至暴露出半导体衬底为止，形成栅介质层、第一功函数层和伪栅极层；去除部分掩膜结构并暴露出部分伪栅极层表面；之后，以剩余的掩膜结构为掩膜，刻蚀伪栅极层和第一功函数层，直至暴露出栅介质层为止；之后，去除伪栅极层和掩膜结构并形成开口；在开口的侧壁和底部表面形成第二功函数层和栅电极层，第二功函数层的功函数与第一功函数层的功函数不同。
晶体管及其形成方法

[发明专利]用置换金属栅极工艺形成用于晶体管的无边沿接触体-CN201280015650.2有效
发明人： S.波诺思;D.V.霍拉克;C.W.科伯格三世;杨智超 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2012-01-30 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：所述方法包括：在电介质层(201)中形成开口(311)，所述电介质层形成在基板(101)的顶部上，所述开口使所述基板中的晶体管(110)的沟道区域(102)暴露；沉积衬在所述开口内并覆盖所述沟道区域的功函数层(401)；形成覆盖所述功函数层的第一部分(411)的栅极导体(610)，所述功函数层的第一部分位于沟道区域的顶部上；以及去除所述功函数层的第二部分，所述功函数层的第二部分围绕所述功函数层的第一部分，其中，去除所述功函数层的第二部分使所述功函数层的第一部分与所述功函数层的其余部分(412)绝缘。
置换金属栅极工艺形成用于晶体管边沿接触

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202111233334.X在审
发明人：殷立强;王静;崇二敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括基底以及位于基底上的第一鳍部和第二鳍部；在第一鳍部的表面和第二鳍部的表面形成第一功函数层；在第一功函数层上形成第二功函数层；在衬底上形成图形化层，图形化层内具有暴露出位于第一鳍部上的第二功函数层的刻蚀开口；以图形化层为掩膜，采用第一刻蚀工艺去除位于第一鳍部上的第二功函数层，且在去除位于第一鳍部上的第二功函数层的过程中，在位于第一鳍部上的第一功函数层表面形成保护层。通过在第一功函数层的表面形成保护层，能够有效降低在去除第二功函数层的过程中对第一功函数层的刻蚀损伤，进而降低对应晶体管所需要的阈值电压的影响，以此提升最终形成的半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110473591.4在审
发明人：李欣怡;洪正隆;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：第一沟道区域；第二沟道区域；以及包围所述第一沟道区域和所述第二沟道区域的栅极结构，所述栅极结构包括：栅极电介质层；位于所述栅极电介质层上的第一p型功函数金属，所述第一p型功函数金属包括氟和铝；位于所述第一p型功函数金属上的第二p型功函数金属，所述第二p型功函数金属的氟浓度和铝浓度低于所述第一p型功函数金属的氟浓度和铝浓度；以及位于所述第二p型功函数金属上的填充层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]晶体管栅极结构及其形成方法-CN202110539991.0在审
发明人：李欣怡;林加明;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：在一个实施例中，一种器件包括：第一纳米结构；第二纳米结构；包围第一纳米结构和第二纳米结构的栅极电介质，栅极电介质包含电介质材料；以及栅极电极，栅极电极包括：在栅极电介质上的功函数调谐层，功函数调谐层包含纯功函数金属，功函数调谐层的纯功函数金属和栅极电介质的电介质材料将第一纳米结构与第二纳米结构之间的区域完全填充，纯功函数金属具有大于95％原子百分比的金属的成分；以及在功函数调谐层上的填充层。
晶体管栅极结构及其形成方法

[发明专利]改善器件性能的方法-CN201610531705.5在审
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-07-07 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种改善器件性能的方法，包括提供基底；在所述基底上形成高k栅介质层；在所述高k栅介质层上形成功函数层；对所述功函数层进行退火处理，所述退火处理在含有晶化促进离子的氛围下进行，所述退火处理适于减小所述功函数层的晶粒尺寸；在进行所述退火处理之后，在所述功函数层上形成金属层。本发明减小了功函数层的晶粒尺寸，使得不同功函数层之间的等效功函数值差异性减小，从而改善了器件中不同晶体管之间的失配问题。
改善器件性能方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910356548.2在审
发明人：张毅俊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括相邻的N型晶体管区和P型晶体管区；在基底上形成功函数层，功函数层包括：形成在P型晶体管区的P型功函数层和形成在N型晶体管区的N型功函数层；去除N型晶体管区和P型晶体管区交界处的功函数层，形成开口；形成开口后，在基底上形成横跨N型晶体管区和P型晶体管区的栅极层，用于与剩余的P型功函数层构成P型栅极结构，还用于与剩余的N型功函数层构成N型栅极结构本发明实施例，形成开口，使得N型功函数层或者P型功函数层不易位于不同类型的晶体管区中，扩大了形成功函数层的工艺窗口，使得半导体结构的性能得到提高。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种栅极及其形成方法-CN201510048272.3有效
发明人：张青竹;殷华湘;闫江;李俊峰;杨涛;刘金彪;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅极的形成方法，包括：在栅介质层上形成单层且掺杂的金属功函数调节层，以使得目标功函数介于金属功函数层与掺杂的粒子的功函数之间；在金属功函数调节层上形成其他栅极层。
一种栅极及其形成方法

[发明专利]金属栅极结构及其制作方法-CN201310395528.9无效
发明人：郑存闵;何念葶;陈健豪;张净云;黄信富;蔡旻錞;孙启原;许启茂 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-09-03 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：该金属栅极结构包含一半导体基底、一栅极介电层、一多层结构的P型功函数层以及一导电金属层。栅极介电层设置于半导体基底上。多层结构的P型功函数层设置于栅极介电层上，且多层结构的P型功函数层包含至少一结晶状(crystalline)P型功函数层以及至少一非结晶状(amorphous)P型功函数层。此外，导电金属层设置于多层结构的P型功函数层上。
金属栅极结构及其制作方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201510367484.8有效
发明人：张海洋;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：提供基底以及位于基底表面的层间介质层，所述层间介质层内形成有暴露出基底表面的凹槽，凹槽包括沿鳍部延伸方向排列的第一区域、第二区域和第三区域；在凹槽的第一区域和第三区域形成非晶硅层，暴露出第二区域的第一功函数层表面；对第二区域的第一功函数层进行掺杂处理，将第二区域的第一功函数层转化为第二功函数层；去除所述第一区域的非晶硅层；对第三区域的非晶硅层进行退火处理，将第三区域的第一功函数层转化为第三功函数层；在所二功函数层表面、第三功函数层表面以及第一功函数层表面形成金属栅极。本发明同一金属栅极下方具有功函数值不同的三种功函数层，有效的改善形成的半导体器件的电学性能。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体器件-CN201910601851.4在审
发明人：朴钟昊;金完敦;金元洪;白贤浚;李炳训;任廷爀;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：第一晶体管，包括衬底上的第一栅堆叠；以及第二晶体管，包括衬底上的第二栅堆叠，其中第一栅堆叠包括设置在衬底上的第一铁电材料层、设置在第一铁电材料层上的第一功函数层和设置在第一功函数层上的第一上栅电极，其中第二栅堆叠包括设置在衬底上的第二铁电材料层、设置在第二铁电材料层上的第二功函数层和设置在第二功函数层上的第二上栅电极，其中第一功函数层包括与第二功函数层相同的材料，以及其中第一栅堆叠的有效功函数不同于第二栅堆叠的有效功函数
功函数层栅堆叠铁电材料层衬底有效功函数上栅电极晶体管半导体器件

[发明专利]纳米片晶体管堆叠-CN202080048698.8在审
发明人：戈立新;陆叶;J·J·朱 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2020-07-02 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：p型晶体管包括p型沟道(210)和第一功函数层集合(213)。第一功函数层集合包围p型沟道。基于第一功函数层集合，p型沟道被配置为用于p型导电。n型晶体管包括n型沟道(220)和第二功函数层集合(223)。第二功函数层集合包围n型沟道。基于第二功函数层集合，n型沟道被配置为用于n型导电。第一功函数层集合和第二功函数层集合不同。
纳米晶体管堆叠