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[发明专利]改善硅化物阻挡层刻蚀缺陷的方法-CN201811309450.3在审
发明人：吴成龙;罗清威;李赟;周俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-11-05 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善硅化物阻挡层刻蚀缺陷的方法，硅化物阻挡层包含第一阻挡层、第二阻挡层与第三阻挡层，在对所述硅化物阻挡层进行刻蚀时，第一次刻蚀去除所述第三阻挡层，此时所述第二阻挡层作为刻蚀停止层，第二次刻蚀去除所述第二阻挡层，此时所述第一阻挡层作为刻蚀停止层，第三次刻蚀去除所述第一阻挡层。将所述硅化物阻挡层分为三层，所述第二阻挡层与所述第一阻挡层分别作为第一次刻蚀与第二次刻蚀时的刻蚀停止层，能够避免对所述第三阻挡层以及所述第二阻挡层造成过刻蚀，从而有效避免过刻蚀造成的缺陷，由此提高器件性能
阻挡层硅化物阻挡层刻蚀刻蚀停止层去除刻蚀缺陷过刻蚀器件性能三层

[发明专利]二氟化氙气相刻蚀阻挡层的方法-CN201210366144.X有效
发明人：王坚;贾照伟;王晖 -专利权人：盛美半导体设备(上海)有限公司
申请日： 2012-09-27 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氟化氙气相刻蚀阻挡层的方法，包括如下步骤：（1）将二氟化氙气体喷洒到裸露的阻挡层的表面；（2）采用光束仅照射电介质层上表面的阻挡层，使电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率本发明通过向电介质层上表面的阻挡层照射光束，提高了电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率，使电介质层上表面的阻挡层的刻蚀速率高于沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层的刻蚀速率，避免沟槽和连接孔侧壁上的阻挡层过度刻蚀，提高了微观上的刻蚀均匀性
氟化氙气刻蚀阻挡方法

[发明专利]接触孔刻蚀方法、集成电路制造方法以及集成电路-CN201110366186.9有效
发明人：石磊 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2012-02-29 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种接触孔刻蚀方法、集成电路制造方法以及集成电路。根据本发明的一种接触孔刻蚀方法包括：第一接触孔刻蚀阻挡层形成步骤，用于形成第一接触孔刻蚀阻挡层；第一接触孔刻蚀阻挡层刻蚀步骤，用于利用第一掩膜对第一接触孔刻蚀阻挡层进行刻蚀，以便在将要形成接触孔的位置上保留所述第一接触孔刻蚀阻挡层；第二接触孔刻蚀阻挡层形成步骤，用于在所述第一接触孔刻蚀阻挡层刻蚀步骤之后形成第二接触孔刻蚀阻挡层；内层电介质层形成步骤，用于在所述第二接触孔刻蚀阻挡层上形成内层电介质层；接触孔刻蚀步骤，用于利用第二掩膜对内层电介质层进行刻蚀以形成接触孔；接触孔填充步骤，用于利用导电材料填充接触孔刻蚀步骤刻蚀出来的接触孔。
接触刻蚀方法集成电路制造以及

[发明专利]一种芯片及该芯片接触孔自对准刻蚀方法-CN202011052273.2在审
发明人：孙少俊;张栋;黄鹏 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种芯片及该芯片接触孔自对准刻蚀方法。其中，芯片包括：衬底层、硅化物阻挡层和介质层；衬底层上形成器件层；硅化物阻挡层覆盖在器件层上；硅化物阻挡层包括从器件层上依次层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，第二阻挡层与第一阻挡层之间为高刻蚀选择比；侧墙结构和第一阻挡层之间为高刻蚀选择比；介质层形成于硅化物阻挡层上。方法包括：提供上述芯片；定义出接触孔图案；进行第一次刻蚀，刻蚀去除接触孔图案位置处的介质层和第二阻挡层；使得第一次刻蚀的停止面位于第一阻挡层中；根据接触孔图案，进行第二次刻蚀，刻蚀去除接触孔图案位置处的第一阻挡层
一种芯片接触对准刻蚀方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202211203762.2在审
发明人：王少伟;吴双双;王春阳 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开实施例公开了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底；形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层覆盖所述衬底的部分上表面；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖所述刻蚀阻挡层；从所述介质层的顶部向所述刻蚀阻挡层刻蚀，形成暴露所述刻蚀阻挡层的第一通孔；在所述第一通孔内形成第一导电层；从与所述衬底的上表面相对的下表面向所述刻蚀阻挡层刻蚀所述衬底，形成暴露所述刻蚀阻挡层的第二通孔；去除所述刻蚀阻挡层，形成开口；在所述第二通孔及所述开口内形成第二导电层
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201410135925.7有效
发明人：曾以志 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管的形成方法，在晶体管的后栅工艺中，在源漏区上方的刻蚀阻挡层表面形成保护层，对刻蚀阻挡层进行刻蚀，减薄栅极结构上的刻蚀阻挡层，减薄栅极结构上的刻蚀阻挡层以后，栅极结构之间的间距增大，使得在栅极结构之间能够更容易地填充层间介质层在减薄栅极结构上的刻蚀阻挡层的过程中，保护层起到保护源漏区上方的刻蚀阻挡层免受刻蚀影响的作用，使得在减薄栅极结构上的刻蚀阻挡层之后，源漏区上方的刻蚀阻挡层的厚度基本不发生变化，能够为源漏区提供有效的保护
晶体管形成方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示装置-CN201610189104.0在审
发明人：张慧娟;刘建宏 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：所述薄膜晶体管包括第一刻蚀阻挡层、第二刻蚀阻挡层、源极、漏极、绝缘层和有源层；绝缘层设置在有源层、第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层上，绝缘层上设有第一接触孔和第二接触孔；源极通过第一接触孔与有源层电联接，漏极通过第二接触孔与有源层电联接；第一刻蚀阻挡层位于有源层与源极之间；第二刻蚀阻挡层位于有源层与漏极之间。在绝缘层上刻蚀接触孔时，可直接刻蚀到第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层，防止欠刻的问题，又通过第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层对有源层进行阻挡，防止刻蚀过程中刻蚀到有源层，防止过刻的问题，提高了制作薄膜晶体管的良率
一种薄膜晶体管制作方法阵列显示装置

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201110357976.0在审
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-11-11 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：所述形成方法包括步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成粘合层、刻蚀阻挡层和介质层，所述刻蚀阻挡层的介电常数位于2.2～2.5；依次刻蚀所述介质层、刻蚀阻挡层和粘合层至露出所述半导体衬底，形成沟槽；在所述沟槽中填充满金属层。所述半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的粘合层、刻蚀阻挡层和介质层，所述刻蚀阻挡层的介电常数位于2.2～2.5；位于半导体衬底上且贯穿介质层、刻蚀阻挡层和粘合层的金属布线层或导电插塞。本发明中刻蚀阻挡层可以减小半导体器件的RC互连延迟；且在刻蚀阻挡层和半导体衬底之间设置的粘合层可以提高刻蚀阻挡层和半导体衬底之间的结合力。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]铝焊垫制造方法以及集成电路制造方法-CN201210169778.6无效
发明人：周军 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2012-09-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：铝焊垫制造方法包括：阻挡层及保护层形成步骤，用于在基板上形成刻蚀阻挡层和钝化保护层；刻蚀步骤，用于对刻蚀阻挡层和钝化保护层进行刻蚀以形成铝垫开口；铝阻挡层形成步骤，用于在刻蚀阻挡层和钝化保护层的铝垫开口的侧壁和底部以及刻蚀阻挡层和钝化保护层上形成铝阻挡层；铝金属层形成步骤，用于在铝阻挡层形成步骤之后的结构上布置一个铝层，其中铝填充了刻蚀阻挡层和钝化保护层的铝垫开口；铝去除步骤，用于去除铝阻挡层上的铝层以及铝垫开口中的部分铝；铝再次沉积步骤，用于在铝去除步骤之后的结构上重新布置铝层，其中利用铝层重新填充了刻蚀阻挡层和钝化保护层的铝垫开口的空白空间。
铝焊垫制造方法以及集成电路

[发明专利]无金属阻挡层的铜后道互连工艺-CN201110194242.5有效
发明人：朱骏;张旭昇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明无金属阻挡层的铜后道互连工艺解决了现有技术中金属连线过程中由于存在金属层刻蚀阻挡层残留导致的整体电容上升，进而导致电容延迟时间长的问题，淀积金属层刻蚀阻挡层后，依靠光刻、刻蚀首先去除非金属导线区域的多余金属层刻蚀阻挡层，随后淀积金属绝缘介质，再次光刻、刻蚀金属导线槽，并移除置于金属导线槽下部的剩余金属层刻蚀阻挡层，最终实现无金属层刻蚀阻挡层的铜互连工艺。
金属阻挡铜后道互连工艺

[发明专利]一种OLED器件的制备方法-CN201910183588.1有效
发明人：张建军;居宇涵 -专利权人：合肥视涯技术有限公司
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明公开一种OLED器件的制备方法，包括：形成反射层；形成中间层，中间层包括至少两个非金属透明化合物层和至少一个刻蚀阻挡层，每个刻蚀阻挡层位于相邻两个非金属透明化合物层之间；刻蚀阻挡层包括多个刻蚀阻挡块，每个刻蚀阻挡块位于一个子像素发光区域内，同一刻蚀阻挡层内的刻蚀阻挡块对应的子像素发光区域的发光颜色相同，不同刻蚀阻挡层中的刻蚀阻挡块对应的子像素发光区域的发光颜色不同；去除非发光区内的非金属透明化合物层，以及各子像素发光区域内刻蚀阻挡块上的非金属透明化合物层；去除刻蚀阻挡层；形成第一电极层、像素限定层、发光功能层和第二电极层；其中，刻蚀阻挡层和非金属透明化合物层之间的刻蚀比大于10:1。
一种 oled 器件制备方法

[发明专利]一种用于铝制程芯片的均匀去层方法-CN201711375704.7有效
发明人：单书珊;乔彦彬;马强;李建强 -专利权人：北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国家电网公司
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于铝制程芯片的均匀去层方法，包括：获取芯片的层厚度信息，层厚度信息包括金属布线层厚度、介质通孔层厚度和阻挡层厚度；根据层厚度信息和刻蚀速率确定第一刻蚀时间，并在预设的刻蚀气体内刻蚀第一阻挡层，第一阻挡层为位于金属布线层外表面侧的阻挡层；利用橡皮磨除金属布线层；在刻蚀气体内刻蚀第二阻挡层，第二阻挡层为位于金属布线层内表面侧的阻挡层。该方法将橡皮作为磨除金属布线层的工具，可以选择性刻蚀铝，避免了过孔现象和边缘效应。
阻挡层层厚度刻蚀金属布线层刻蚀气体布线层除金属芯片铝制橡皮选择性刻蚀边缘效应介质通孔速率确定内表面预设

[发明专利]接触孔的形成方法-CN200910199989.2有效
发明人：张海洋;孙武;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种接触孔的形成方法，包括：在半导体衬底上形成布线层，所述半导体衬底分为器件密集区、器件非密集区和切割区；在布线层上依次形成第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层；在第二刻蚀阻挡层上形成绝缘介质层；刻蚀绝缘介质层和第二刻蚀阻挡层，形成接触孔图形，其中至少一个区域的接触孔图形内残留有第二刻蚀阻挡层；沿接触孔图形刻蚀剩余第二刻蚀阻挡层和第一刻蚀阻挡层，形成接触孔开口图形，使器件密集区、器件非密集区和切割区的接触孔开口图形内残留第一刻蚀阻挡层的厚度接近一致；沿接触孔开口图形刻蚀去除第一刻蚀阻挡层，形成接触孔。
接触形成方法

[发明专利]CMOS管的形成方法-CN201210328206.8有效
发明人：洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS管的形成方法，通过在第一伪栅极结构的顶部和侧壁形成第一刻蚀阻挡层，在第二区域的第二伪栅极结构的顶部和侧壁形成第二刻蚀阻挡层，且形成所述第一刻蚀阻挡层时的射频频率大于形成第二刻蚀阻挡层时的射频频率，后续刻蚀第一刻蚀阻挡层时的速率大于刻蚀第二刻蚀阻挡层时的速率，去除第一伪栅极结构时，所述第二刻蚀阻挡层可以充当第二伪栅极结构的保护层，节省了工艺步骤，形成的CMOS管的性能稳定。
cmos 形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201610080746.7有效
发明人：刘继全;龚春蕾 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区域和第二区域；在衬底上形成刻蚀阻挡层，形成刻蚀阻挡层的步骤包括在第一区域衬底表面形成第一刻蚀阻挡层；在衬底和第一刻蚀阻挡层上形成鳍部材料层，鳍部材料层与第一刻蚀阻挡层的材料不相同；图形化所述第一区域和第二区域的鳍部材料层以及第二区域的衬底，在第一区域形成暴露出刻蚀阻挡层的第一开口，并在第二区域形成初始鳍部；形成覆盖第一开口处第一刻蚀阻挡层及初始鳍部之间衬底的隔离层，刻蚀阻挡层与隔离层的组成元素不同；对隔离层进行刻蚀，产生刻蚀副产物，对刻蚀副产物进行检测，刻蚀至刻蚀副产物发生变化。其中，通过刻蚀阻挡层实现对晶体管鳍部高度的控制。
半导体结构及其形成方法

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