[发明专利]一种芯片及该芯片接触孔自对准刻蚀方法在审
| 申请号： | 202011052273.2 | 申请日： | 2020-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112185932A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 孙少俊;张栋;黄鹏 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种芯片及该芯片接触孔自对准刻蚀方法。其中，芯片包括：衬底层、硅化物阻挡层和介质层；衬底层上形成器件层；硅化物阻挡层覆盖在器件层上；硅化物阻挡层包括从器件层上依次层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，第二阻挡层与第一阻挡层之间为高刻蚀选择比；侧墙结构和第一阻挡层之间为高刻蚀选择比；介质层形成于硅化物阻挡层上。方法包括：提供上述芯片；定义出接触孔图案；进行第一次刻蚀，刻蚀去除接触孔图案位置处的介质层和第二阻挡层；使得第一次刻蚀的停止面位于第一阻挡层中；根据接触孔图案，进行第二次刻蚀，刻蚀去除接触孔图案位置处的第一阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 接触 对准 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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