[发明专利]铝焊垫制造方法以及集成电路制造方法无效
| 申请号： | 201210169778.6 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102664155A | 公开（公告）日： | 2012-09-12 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供铝焊垫制造方法以及集成电路制造方法。铝焊垫制造方法包括：阻挡层及保护层形成步骤，用于在基板上形成刻蚀阻挡层和钝化保护层；刻蚀步骤，用于对刻蚀阻挡层和钝化保护层进行刻蚀以形成铝垫开口；铝阻挡层形成步骤，用于在刻蚀阻挡层和钝化保护层的铝垫开口的侧壁和底部以及刻蚀阻挡层和钝化保护层上形成铝阻挡层；铝金属层形成步骤，用于在铝阻挡层形成步骤之后的结构上布置一个铝层，其中铝填充了刻蚀阻挡层和钝化保护层的铝垫开口；铝去除步骤，用于去除铝阻挡层上的铝层以及铝垫开口中的部分铝；铝再次沉积步骤，用于在铝去除步骤之后的结构上重新布置铝层，其中利用铝层重新填充了刻蚀阻挡层和钝化保护层的铝垫开口的空白空间。 | ||
| 搜索关键词： | 铝焊垫 制造 方法 以及 集成电路 | ||
【主权项】：
一种铝焊垫制造方法，其特征在于包括：阻挡层及保护层形成步骤，用于在基板上形成刻蚀阻挡层和钝化保护层；刻蚀步骤，用于对刻蚀阻挡层和钝化保护层进行刻蚀以形成铝垫开口；铝阻挡层形成步骤，用于在刻蚀阻挡层和钝化保护层的铝垫开口的侧壁和底部以及刻蚀阻挡层和钝化保护层上形成铝阻挡层；铝金属层形成步骤，用于在铝阻挡层形成步骤之后的结构上布置一个铝层，其中铝填充了刻蚀阻挡层和钝化保护层的铝垫开口；铝去除步骤，用于去除铝阻挡层上的铝层以及铝垫开口中的部分铝；铝再次沉积步骤，用于在铝去除步骤之后的结构上重新布置铝层，其中利用铝层重新填充了刻蚀阻挡层和钝化保护层的铝垫开口的空白空间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司，未经上海华力微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210169778.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：马达的驱动控制方法及驱动控制系统
- 下一篇：一种六自由度线缆拖动装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
