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[发明专利]适用于片上存储EDAC的可配置后台刷新方法-CN201310166940.3有效
发明人：刘宗林;刘必慰;陈书明;孙永节;梁斌;刘胜;陈小文;罗恒;吴虎成;许邦建 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2013-05-08 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：一种适用于片上存储EDAC的可配置后台刷新方法，步骤为：将系统时钟通过近秒时钟产生电路和刷新定时器的两次分频之后产生刷新时钟，刷新时钟的上升沿触发一次片上存储器的刷新操作，一次刷新操作包含多个刷新请求；刷新操作根据刷新地址寄存器的内容产生刷新请求和刷新地址、发向仲裁逻辑，刷新请求对从存储体读出的数据进行纠错后写回存储器，如出现1位错误或1位以上错误，则将该信息写入刷新控制寄存器；刷新操作再根据刷新地址寄存器的内容产生新的刷新请求和刷新地址并进行处理，直到刷新地址寄存器中的起始地址域内容大于终止地址域内容，则本次刷新操作完毕。
适用于存储 edac 配置后台刷新方法

[发明专利]用于嵌入式DRAM的刷新控制器及刷新控制方法-CN200810128078.6有效
发明人：李宇飞;陆泳;杨浩 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2008-07-29 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种用于嵌入式DRAM的刷新控制器，被配置为接收外部存取信号，产生刷新使能信号(REFN)、刷新地址信号(CRA)和冲突信号，所述嵌入式DRAM包括多个存储库组，所述控制器包括：状态控制模块，根据刷新间隔和时钟周期产生刷新使能信号REFN和最后刷新信号last_ccr；刷新搜索模块，在所述多个存储库组中搜索至少一个该刷新间隔内待刷新的存储库组，并根据所述外部存取信号和搜索到的存储库组产生刷新地址信号CRA；记分板模块，根据所述刷新地址信号CRA和外部存取信号记录所述多个存储库组的每一个的状态；冲突探测模块，根据所述外部存取信号、最后刷新信号last_ccr和所述每个存储库的状态产生冲突信号。本发明还提供了相应的刷新控制方法。
用于嵌入式 dram 刷新控制器控制方法

[发明专利]刷新存储器器件的方法、刷新地址产生器和存储器器件-CN201210167901.0有效
发明人：朴哲佑;崔周善;黄泓善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-05-25 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：为了带有刷新调节地刷新存储器器件，以刷新周期产生刷新地址。当刷新地址是第二地址时，在具有第一地址的弱单元上、而非在具有第二地址的第一强单元上执行相应刷新。当刷新地址是第三地址时，在第一强单元和具有第三地址的第二强单元之一上执行相应刷新。只存储用于第一、第二和第三地址之一的地址信息，以使存储器容量可被减小。在替换的方面中，当刷新地址是至少一个预定地址中的任何一个时，取决于标志，在弱单元、第一强单元和第二强单元之一上执行相应刷新，以进行刷新调节。
刷新存储器器件方法地址产生器

[发明专利]地址列表更新方法、装置、介质及电子设备-CN202010108888.6在审
发明人：黄青刚 -专利权人：腾讯科技（深圳）有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： G06F9/54 文献下载
摘要：本公开提供了一种地址列表更新方法、装置、介质及电子设备。该方法包括：依次接收对应于服务提供方的待处理的地址列表；根据地址列表的接收次序确定当前待处理的最新地址列表；通过地址刷新线程读取最新地址列表，并按照最新地址列表更新本地存储的服务提供方的可用地址列表。本公开通过地址刷新线程读取在地址列表中确定出的最新地址列表，实现对本地存储的可用地址列表的更新。一方面，在监听到地址列表的更新消息时，减少了地址列表的刷新次数，降低了地址列表的时延，保证了地址列表的实时性和准确性，进一步提高了服务的可用性；另一方面，无需频繁刷新地址列表，减少了地址刷新线程负载，提升了地址刷新线程的有效刷新效率
地址列表更新方法装置介质电子设备

[发明专利]存储器装置、刷新控制电路和操作存储器装置的方法-CN201910140654.7在审
发明人：辛薰;金度延;宋镐永;李东洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：公开一种存储器装置、刷新控制电路和操作存储器装置的方法。所述存储器装置包括：多个存储体、锤地址管理器和刷新控制器。锤地址管理器管理关于所述多个存储体的访问地址，并提供访问地址中的用于锤刷新操作的锤地址，其中，锤地址是比其他访问地址被访问更多的访问地址。刷新控制器基于锤地址生成锤刷新地址信号，其中，锤刷新地址信号对应于与对应于锤地址的行物理上邻近的行，使得与对应于锤地址的行物理上邻近的行通过锤刷新操作被刷新。
访问地址刷新地址信号存储器装置地址管理器刷新控制器刷新操作存储体邻近刷新控制电路操作存储器地址生成访问管理

[发明专利]多个存储器装置的交错刷新地址计数器以及相关方法、装置和系统-CN202110804574.4有效
发明人： C·G·维杜威特;J·S·雷赫迈耶 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：公开了多个存储器装置的交错刷新地址计数器以及相关的方法、装置和系统。一种方法可以包含调整多个存储器装置中的至少一个存储器装置的刷新地址计数器的计数，使得所述至少一个存储器装置的所述刷新地址计数器的所述计数偏离所述多个存储器装置中的至少一个其它存储器装置的刷新地址计数器的计数所述方法还可以包含在所述多个存储器装置的每一个处接收刷新命令。进一步地，所述方法可以包含在所述多个存储器装置的每一个处刷新由相关联的刷新地址计数器的计数指示的一行存储器单元。
存储器装置交错刷新地址计数器以及相关方法系统

[发明专利]半导体存储器及其操作方法、存储器控制器和系统-CN200810085097.5有效
发明人：川畑邦范 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-03-17 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：当存储器刷新地址计数器中所保持的主块地址与和访问请求对应的访问块地址一致时，将其计数器值传输到副刷新地址计数器。其后，副刷新地址计数器以高于主刷新地址计数器的优先级而操作，直到其计数器值达到最终值。因此，可以在彼此无干扰的情况下同时执行访问操作和刷新操作。结果，有可能在电路尺寸增加最少的情况下执行刷新操作，而没有访问效率的任何恶化。
半导体存储器及其操作方法控制器系统

[发明专利]用于半导体存储器件的刷新控制电路及方法-CN201110446500.4有效
发明人：沈荣辅 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明提供了用于半导体存储器件的刷新控制电路及方法。本发明提供一种半导体存储器件，包括：刷新计数器，其响应于在激活模式下被使能的激活模式信号而对刷新信号计数和输出刷新地址；外部地址输入缓冲器，其响应于在外部地址刷新模式下被使能的模式选择信号而缓冲外部地址以输出内部地址；地址选择器，其响应于刷新信号和模式选择信号，在正常刷新模式下输出来自刷新计数器的刷新地址作为选择行地址，而在外部地址刷新模式下输出来自外部地址输入缓冲器的内部地址作为选择行地址；以及行地址译码器，其通过将选择行地址译码来产生用于顺序地访问字线的行地址选择信号
用于半导体存储器件刷新控制电路方法

[发明专利]用于刷新半导体装置的存储器的设备-CN201910738623.1有效
发明人：伊藤丰;持田义史;荒木宏卫 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-08-12 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本申请涉及用于刷新半导体装置的存储器的设备。本文揭示一种设备，其包含：存储器单元阵列；行锤击刷新电路，其经配置以基于所述存储器单元阵列的存取历史产生行锤击刷新地址；冗余电路，其经配置以存储所述存储器单元阵列的多个有缺陷地址；以及行预解码器，其经配置以当所述行锤击刷新地址匹配于所述多个有缺陷地址中的任一者时在所述行锤击刷新地址上跳过刷新操作
用于刷新半导体装置存储器设备

[发明专利]执行刷新操作的存储器及其操作方法-CN201910859226.X有效
发明人：李约瑟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本申请公开了一种执行刷新操作的存储器及其操作方法。存储器包括：第一区域至第N区域，其分别基于第一刷新控制信号至第N刷新控制信号而被刷新；控制信号发生电路，其适用于通过顺序地延迟第一刷新控制信号而产生第二刷新控制信号至第N刷新控制信号，并且通过延迟第N刷新控制信号而产生第一刷新控制信号；地址计数器，其适用于基于第N刷新控制信号而改变刷新地址，该刷新地址与激活第一刷新控制信号至第N刷新控制信号的每次循环相对应；以及刷新停止电路，其适用于当所述循环被重复预定次数时停止刷新操作。
执行刷新操作存储器及其操作方法

[发明专利]半导体存储器装置和在其中执行行锤击处理操作的方法-CN202211533031.4在审
发明人：赵诚珍;柳廷旻 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，存储器单元阵列中具有多行存储器单元；以及行锤击处理器，被配置为在对存储器单元的所述多行执行刷新操作时生成刷新地址。行锤击处理器(RHH)包括：权重分配器，被配置为：接收多个行地址，将权重分配给由此接收的所述多个行地址中的每个，并且生成与所述多个行地址中的每个对应的权重数据。RHH还包括攻击地址生成器，被配置为：基于权重数据来确定存储器单元的行的攻击地址；以及刷新地址生成器，被配置为：接收攻击地址并生成刷新地址，刷新地址包括邻近攻击地址的存储器单元行的地址信息。
半导体存储器装置其中执行行锤击处理操作方法

[发明专利]半导体存储器件及其操作方法、存储器系统-CN201310184668.1有效
发明人：郑仁喆 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：一种半导体存储器件、存储器系统、以及一种操作半导体存储器件的方法，该半导体存储器件包括存储单元阵列、刷新控制电路、地址计数器和地址转换器。存储单元阵列包括多个存储单元。刷新控制电路被配置为接收刷新命令并在一个刷新周期期间输出m个刷新控制信号以便刷新该半导体存储器件的所有存储单元。地址计数器被配置为响应于m个刷新控制信号产生用于刷新存储单元的计数信号。地址转换器被配置为接收计数信号并且通过响应于周期选择信号转换计数信号来输出刷新地址。地址转换器被配置为输出刷新地址，使得在一个刷新周期期间的m个刷新控制信号的数量是可变的。
半导体存储器件及其操作方法存储器系统

[发明专利]可降低数据保持方式中电流消耗的半导体存储装置-CN200310122536.2无效
发明人：有富谦悟;井上好永 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2003-12-10 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：设有刷新请求(PHYS1，PHYS2)的发送周期不同的刷新定时器(26a、26b)和根据该刷新请求产生刷新地址的刷新地址发生电路(20a、20b)。在行选择电路中，对每一行设定根据发送周期不同的刷新地址(QAD1、QAD2)中的哪一个来选择字线。能够以不同的刷新周期刷新各字线，只是对间歇刷新不良的字线以短周期进行刷新，剩余字线均以长周期刷新。从而，能够降低自刷新方式时的电流消耗。
降低数据保持方式电流消耗半导体存储装置

[发明专利]一种刷新动态随机存取存储器的方法和装置-CN201310169071.X有效
发明人：肖世海;杨伟;廖奇 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2013-05-09 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种刷新动态随机存取存储器的方法和装置，以减小DRAM的刷新开销和减小芯片功耗。所述方法包括内存控制器以第一刷新周期为周期向第一刷新地址计数器发送第一刷新命令，以第二刷新周期为周期向第二刷新地址计数器发送第二刷新命令；第一刷新地址计数器接收第一刷新命令后输出第一行地址，以使行地址多路选择器按照第一刷新周期对DRAM对应于第一行地址的存储单元进行刷新，第二刷新地址计数器接收第二刷新命令后输出中间地址，以使行地址多路选择器按照第二刷新周期对DRAM对应于第二行地址的存储单元进行刷新。本发明可以根据存储单元行的数据保持时间不同而采用不同的刷新周期，减小DRAM的刷新开销和芯片功耗。
一种刷新动态随机存取存储器方法装置

[发明专利]用于产生刷新地址的设备和方法-CN202111304641.2在审
发明人：野口英和 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本申请案涉及用于产生刷新地址的设备和方法。用于计算目标刷新地址的设备和方法可包含可用于计算与侵害者行具有多种空间关系的受害者行地址的电路。由所述电路计算的所述受害者行地址的所述空间关系可至少部分地基于提供到所述电路的控制信号的状态。也就是说，所述电路可用于通过改变所述控制信号的所述状态来计算不同受害者行地址。
用于产生刷新地址设备方法