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[发明专利]用于校准半导体装置的阻抗的基于定时的仲裁方法和设备-CN201880041232.8有效
发明人： C·G·维杜威特;J·约翰逊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供用于基于定时的ZQ校准的仲裁器电路的系统和设备。实例系统包含电阻器和多个芯片。所述多个芯片中的每一个进一步包含耦合到所述电阻器的端子以及校准电路。所述校准电路至少部分地基于对于所述多个芯片中的对应的芯片唯一的定时信息确定所述电阻器是否是可供使用的。所述多个芯片中的每个芯片的所述定时信息具有所述多个芯片共用的固定持续时间。
用于校准半导体装置阻抗基于定时仲裁方法设备

[发明专利]存储器系统的错误评估-CN202310017473.1在审
发明人： M·D·詹金森;S·A·艾克迈尔;C·G·维杜威特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请涉及存储器系统的错误评估。存储器装置可配置成监测所述存储器装置的存取错误，以评估此类错误与所述存储器装置自身的故障或所述存储器装置之外的故障相关的可能性。例如，存储器装置可监测一组存储体中的每一个的相应错误数量，并且如果所述存储器装置检测到多个存储体与阈值存取错误数量相关联，那么所述存储器装置可推断存在所述存储器装置之外的故障。所述存储器装置可存储此类检测的指示，其可用于支持故障诊断或解决工作，例如在存取错误更可能是系统故障的结果时阻止更换存储器装置。
存储器系统错误评估

[发明专利]熔丝匹配逻辑中的共享组件-CN202211308360.9在审
发明人： J·S·雷赫迈耶;C·G·维杜威特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本发明涉及熔丝匹配逻辑中的共享组件。一种存储器装置包含存储器单元阵列和熔丝组集，所述熔丝组集包含存储与所述存储器单元阵列中的多个缺陷存储器单元对应的共同位信息的共同熔丝组。所述存储器装置包含与所述多个缺陷存储器单元中的相应缺陷存储器单元对应的多个匹配子电路。每个匹配子电路可被配置成提供对所述存储器单元阵列的存储器单元的存储器单元地址是否匹配所述相应缺陷存储器单元的地址的确定。所述多个匹配子电路可包含共享的共同位处理电路，其被配置成接收所述存储器单元地址的一部分与所述共同位信息之间的比较的共同逐位结果。所述共同位处理电路可确定所述共同位信息是否匹配所述存储器单元地址的所述部分。
匹配逻辑中的共享组件

[发明专利]存储器裸片处的初始化延迟-CN202211241892.5在审
发明人： J·S·雷赫迈耶;C·G·维杜威特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-10-11 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C16/20 文献下载
摘要：本公开涉及存储器裸片处的初始化延迟。指示使存储器装置的多个存储器裸片初始化的命令的信令可由所述存储器装置接收。所述存储器装置的存储器裸片的初始化可在所述存储器裸片处且至少部分基于所述存储器裸片的熔丝阵列的熔丝状态相对于由所述存储器装置接收所述信令延迟一时间量。以错开或异步方式使所述存储器装置的存储器裸片的初始化延迟可均匀分配所述存储器裸片的功耗以降低或消除相关联功率尖峰的可能性。
存储器裸片处初始化延迟

[发明专利]可选择熔丝组及相关方法、装置及系统-CN202111061997.8有效
发明人： C·G·维杜威特;J·S·雷赫迈耶;S·A·艾克迈尔 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：本发明公开可选择熔丝组及相关方法、装置及系统。一种装置可包含数个存储器存储体及数个锁存器组，其中每一锁存器组与存储器存储体相关联。所述装置还可包含包括数个熔丝的熔丝阵列。所述装置可进一步包含经配置以从所述数个熔丝中的第一组熔丝读取数据且将来自所述第一组熔丝的数据广播到所述数个锁存器组中的第一锁存器组的电路系统。此外，响应于与所述第一组熔丝相关联的修复结果是第一状态，所述电路系统可经配置以读取第二组熔丝且将所述第二组熔丝广播到所述第一锁存器组。
可选择熔丝组相关方法装置系统

[发明专利]多个存储器装置的交错刷新地址计数器以及相关方法、装置和系统-CN202110804574.4有效
发明人： C·G·维杜威特;J·S·雷赫迈耶 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：公开了多个存储器装置的交错刷新地址计数器以及相关的方法、装置和系统。一种方法可以包含调整多个存储器装置中的至少一个存储器装置的刷新地址计数器的计数，使得所述至少一个存储器装置的所述刷新地址计数器的所述计数偏离所述多个存储器装置中的至少一个其它存储器装置的刷新地址计数器的计数。所述方法还可以包含在所述多个存储器装置的每一个处接收刷新命令。进一步地，所述方法可以包含在所述多个存储器装置的每一个处刷新由相关联的刷新地址计数器的计数指示的一行存储器单元。
存储器装置交错刷新地址计数器以及相关方法系统

[发明专利]存储器裸片处的自刷新延迟-CN202211200306.2在审
发明人： C·G·维杜威特;L·D·史密斯;J·S·雷赫迈耶 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本公开涉及存储器裸片处的自刷新延迟。指示进入自刷新SREF模式的指令的第一信令可由多个存储器裸片并发地接收。响应于所述多个存储器裸片中的存储器裸片进入所述SREF模式，所述存储器裸片的存储体的自刷新可在所述存储器裸片处且基于所述存储器裸片的熔丝阵列的熔丝状态相对于由所述存储器裸片接收所述信令延迟一时间量。以错开或异步方式使存储器裸片的存储体的自刷新延迟可均匀分配所述存储器裸片的功耗以降低或消除相关联功率尖峰的可能性。
存储器裸片处刷新延迟

[发明专利]晶体管反熔丝以及相关装置、系统和方法-CN202210916983.8在审
发明人： C·G·维杜威特;J·S·雷赫迈耶;宫下俊彦 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G11C17/16 文献下载
摘要：公开了晶体管反熔丝以及相关装置、系统和方法。一种设备可包含可配置为第一节点与第二节点之间的短路或可配置为所述第一节点与所述第二节点之间的开路的反熔丝。所述反熔丝可包含选择晶体管和反熔丝晶体管。所述选择晶体管的源极或漏极可电耦合到所述第一节点。所述选择晶体管的栅极可被配置成接收选择电压。所述反熔丝晶体管的栅极可电耦合所述选择晶体管的所述源极或漏极中的另一个。所述反熔丝晶体管的源极或漏极可电耦合到所述第二节点。还公开了相关联装置、系统和方法。
晶体管反熔丝以及相关装置系统方法

[发明专利]用于存储器装置中的命令时序的延迟元件-CN202211019179.6在审
发明人： J·S·雷赫迈耶;C·G·维杜威特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-24 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C8/18 文献下载
摘要：本公开涉及用于存储器装置中的命令时序的延迟元件。在存储器装置中执行命令的时序可受延迟元件的影响。延迟元件单元的所述延迟元件可引起命令路径的可变延迟。可基于存储在存储器装置的熔丝阵列中的设置来激活所述延迟元件。所述延迟元件可用于改变所述存储器装置的电流汲取的时序。
用于存储器装置中的命令时序延迟元件

[发明专利]计算系统中的存储器放置-CN202211051823.8在审
发明人： J·S·雷赫迈耶;C·G·维杜威特 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： G11C5/04 文献下载
摘要：设备和方法可涉及计算系统中的存储器放置。存储器模块可放置于存储器插槽中以将所述存储器模块耦合到所述计算系统。所述存储器模块和/或所述存储器插槽可具有热质量，所述热质量可用于确定所述存储器模块中的哪些模块放置在所述存储器插槽中的哪些插槽上。
计算系统中的存储器放置

[发明专利]存储器封装中的命令的熔丝延迟-CN202210729074.3在审
发明人： C·G·维杜威特;L·D·史密斯;J·S·雷赫迈耶 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本申请涉及存储器封装中的命令的熔丝延迟。熔丝可存储不同延迟状态以致使针对存储器封装的不同存储器裸片交错命令的执行。熔丝阵列可包含在所述存储器封装中且经编程以致使命令的执行针对不同裸片延迟不同量。所述熔丝阵列可经制造且接着经编程以针对不同裸片引起不同延迟。
存储器封装中的命令延迟

[发明专利]用于错误校正的设备、系统和方法-CN202210896329.5在审
发明人：藤原敬典;V·科蒂;C·G·维杜威特;J·M·约翰逊;K·G·韦哈恩 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明描述了用于错误校正的设备、系统和方法。存储器装置可具有若干存储器单元，所述存储器单元中的每一者存储信息位。可使用一或多个错误校正码(ECC)来确定所述信息位是否含有任何错误。为减轻邻近存储器单元的故障的影响，可将信息分成第一群组和第二群组，其中每一群组含有来自不邻近于所述群组的其它存储器单元的存储器单元的信息。每一信息群组可包含数据位和用于校正那些数据位的奇偶校验位。举例来说，作为读取操作的部分，第一ECC电路可从偶数编号的存储器单元接收信息，同时第二ECC电路可从奇数编号的存储器单元接收信息。
用于错误校正设备系统方法

[发明专利]具有用于代替有缺陷存储器单元的冗余存储器单元的存储器装置及相关系统和方法-CN202110850791.7有效
发明人： C·G·维杜威特;J·S·雷赫迈耶;S·A·艾克迈尔;吉田健二 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C29/00 文献下载
摘要：本申请总体上涉及具有用于代替有缺陷存储器单元的冗余存储器单元的存储器装置以及相关系统和方法。公开了存储器装置。存储器装置可包含存储器阵列，所述存储器阵列包含分割成数个存储器段的数个存储器单元。所述数个存储器段中的每一个可包含冗余存储器单元群组，所述冗余存储器单元群组可配置成代替所述存储器段的有缺陷存储器单元群组进行存取。所述存储器装置还可包含可配置成指示所述数个存储器段中的一存储器段的冗余存储器单元群组将代替所述存储器段的有缺陷存储器单元群组进行存取的一组锁存器。所述一组锁存器可包含可配置成指示所述存储器段或所述一组锁存器的状态的段锁存器。所述一组锁存器还可包含可配置成指示所述存储器段内的所述有缺陷存储器单元群组的地址锁存器。还公开了相关系统和方法。
具有用于代替缺陷存储器单元冗余装置相关系统方法

[发明专利]用于错误校正的设备、系统和方法-CN202080091729.8在审
发明人：藤原敬典;V·科蒂;C·G·维杜威特;J·M·约翰逊;K·G·韦哈恩 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明描述了用于错误校正的设备、系统和方法。存储器装置可具有若干存储器7单元，所述存储器单元中的每一者存储信息位。可使用一或多个错误校正码(ECC)来确定所述信息位是否含有任何错误。为减轻邻近存储器单元的故障的影响，可将信息分成第一群组和第二群组，其中每一群组含有来自不邻近于所述群组的其它存储器单元的存储器单元的信息。每一信息群组可包含数据位和用于校正那些数据位的奇偶校验位。举例来说，作为读取操作的部分，第一ECC电路可从偶数编号的存储器单元接收信息，同时第二ECC电路可从奇数编号的存储器单元接收信息。
用于错误校正设备系统方法

[发明专利]基于半导体装置的操作电压电平进行的动态微调选择及相关方法和系统-CN202210008656.2在审
发明人： C·G·维杜威特;J·S·雷赫迈耶 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：公开了基于半导体装置的操作电压电平进行的动态微调选择以及相关联的方法和系统。预期某些半导体装置在两个或更多个操作电压电平下操作。在一些实施例中，可以对所述半导体装置进行表征以确定跨多个操作电压电平的最佳时序和/或电压状况。因此，可取决于可存储在所述半导体装置的非易失性存储器NVM阵列中的所述操作电压电平来标识多组时序和/或电压状况。在操作期间，所述半导体装置可以确定当前供应到所述半导体装置的所述操作电压电平，并且选择存储在所述NVM阵列中的所述时序和/或电压状况中的一个，使得所述半导体装置可以在已经为在所述操作电压电平下操作的所述半导体装置预定的所述最佳时序和/或电压状况下操作。
基于半导体装置操作电压电平进行动态微调选择相关方法系统

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