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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]执行刷新操作的存储器及其操作方法-CN201910859226.X有效
发明人： 李约瑟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本申请公开了一种执行刷新操作的存储器及其操作方法。存储器包括：第一区域至第N区域，其分别基于第一刷新控制信号至第N刷新控制信号而被刷新；控制信号发生电路，其适用于通过顺序地延迟第一刷新控制信号而产生第二刷新控制信号至第N刷新控制信号，并且通过延迟第N刷新控制信号而产生第一刷新控制信号；地址计数器，其适用于基于第N刷新控制信号而改变刷新地址，该刷新地址与激活第一刷新控制信号至第N刷新控制信号的每次循环相对应；以及刷新停止电路，其适用于当所述循环被重复预定次数时停止刷新操作。
执行刷新操作存储器及其操作方法

[发明专利]半导体存储装置、其操作方法和包括其的半导体存储系统-CN202210175026.4在审
发明人： 李约瑟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：本申请公开了半导体存储装置、其操作方法以及包括其的半导体存储系统。该半导体存储装置包括第一存储单元阵列、第二存储单元阵列以及锤击控制电路。第一存储单元阵列包括第一行锤击存储单元。第二存储单元阵列包括第二行锤击存储单元。锤击控制电路进行控制以将对第一字线的激活操作的次数存储到第二行锤击存储单元中，以及进行控制以将对第二字线的激活操作的次数存储到第一行锤击存储单元中。
半导体存储装置操作方法包括存储系统

[发明专利]堆叠式半导体器件-CN202210105784.9在审
发明人： 李约瑟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：本公开提供了一种堆叠式半导体器件。堆叠式半导体器件包括彼此电连接的多个堆叠的半导体裸片、电连接到堆叠的半导体裸片当中的最下层半导体裸片的第一电力线、形成在堆叠的半导体裸片当中的最上层半导体裸片上方的第二电力线、以及电连接第一电力线与第二电力线的外部连接线。
堆叠半导体器件

[发明专利]存储器件-CN202110544338.3在审
发明人： 李约瑟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G11C7/18 文献下载
摘要：本申请公开了存储器件。该存储器件包括：数据储存电路，其被配置为：当执行算术激活操作时访问其中储存有第一数据的单元阵列，当执行第一读取操作时输出所述第一数据，当执行激活操作时访问其中储存有第二数据的单元阵列，和当执行第二读取操作时输出所述第二数据。该存储器件还包括算术电路，其被配置为：接收通过所述第一读取操作产生的锁存数据和通过所述第二读取操作产生的读取数据，以及对所述锁存数据和所述读取数据执行算术运算。
存储器件

[发明专利]集成电路-CN201710874031.3有效
发明人：金昌铉;具岐峰;宋清基;尹炳国;李约瑟;李宰承 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-09-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：可以提供一种包括半导体器件的集成电路。半导体器件可以被配置为比较根据半导体器件的内部延迟时间产生的选通信号的相位，并且被配置为根据选通信号的相位的比较结果来控制内部命令被输入至半导体器件的内部电路的时间点。
集成电路

[发明专利]层叠半导体器件和包括其的半导体系统-CN202010385974.1在审
发明人： 李约瑟;李东河;黄善宇 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-05-09 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G11C29/56 文献下载
摘要：本发明公开了层叠半导体器件以及包括其的半导体系统。该层叠半导体器件包括多个半导体芯片，所述多个半导体芯片被层叠并经由多个穿通电极传送信号，其中所述半导体芯片中的至少一个包括：第一时钟发生电路，其适于通过根据用于指示高速测试操作和低速测试操作的操作信息信号对外部时钟进行分频或缓冲来产生第一测试时钟和第二测试时钟；第一锁存电路，其适于根据所述第一测试时钟和所述第二测试时钟来锁存测试控制信号，以产生第一锁存信号和第二锁存信号；以及输入信号控制电路，其适于通过根据所述第一测试时钟重新锁存所述第二锁存信号并根据所述第二测试时钟重新锁存所述第一锁存信号来产生第一内部控制信号和第二内部控制信号。
层叠半导体器件包括半导体系统

[发明专利]叠层半导体器件及其测试方法-CN201911273384.3在审
发明人： 李约瑟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种层叠半导体器件包括半导体芯片，每个半导体芯片包括：信号传送电路，所述信号传送电路分别将命令、地址和芯片选择信号传送至第一至第三穿通电极，并且根据测试控制信号分别将测试地址和芯片ID传送至第二穿通电极和第三穿通电极；命令接收电路，所述命令接收电路在从第三穿通电极传送的信号与芯片ID彼此相同时，将测试命令或从第一穿通电极传送的信号传送至内部电路；以及测试控制电路，所述测试控制电路根据上层芯片的测试控制信号的去激活来激活测试控制信号，并根据测试控制信号生成测试命令和测试地址。
半导体器件及其测试方法

[发明专利]存储器件及其操作方法-CN201711077950.4在审
发明人：崔海郎;金六姬;李宰承;曹美铉;李东宰;姜景弼;池性洙;元炯植;郑宪三;李约瑟 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：一种存储器件的操作方法，所述存储器件包括多个存储单元，所述操作方法可以包括：测量所述多个存储单元中的至少一部分存储单元的数据保持时间；以及利用测量结果优化对所述多个存储单元的刷新操作。
存储单元存储器件数据保持刷新操作测量优化

[发明专利]电脑汉语词组快速输入方法及键盘-CN88108128.0无效
发明人： 李约瑟;李淑德;李骏兴;甄建军 -专利权人：甄建军
申请日： 1988-12-05 - 公布日： 1990-06-20 - 主分类号： G06F3/023 文献下载
摘要：一种电脑汉语词组快速输入方法，涉及到以汉语拼音方式输入汉字为特征的汉字输入方法领域，其特征在于不仅具有单字输入方式，而且还具有字串输入方式，优点是极大的提高了汉字的输入速度，大幅度减少了同音字问题，减少了每个汉字的计算机输入所需的字母数，为电子计算机的中外文互译创造了条件。本发明还提供了一种便于汉字输入的键盘，在键盘的英文字母键的便于操作者观察的位置上标注有汉语拼音或汉语拼音和其名称。
电脑汉语词组快速输入方法键盘

[发明专利]汉语的输入处理方法-CN88100306.9在审
发明人： 李约瑟;羽深邦男;石和田四郎 -专利权人：三井东圧化学株式会社
申请日： 1988-01-20 - 公布日： 1989-09-13 - 主分类号： G06F3/023 文献下载
摘要：本发明涉及一种汉语输入处理方法。该方法通过字母字符键用拼音标记法或罗马字省略标记字将汉语输入，经预先贮存于汉语输入系统内设置的存储器中的罗马字标记省略语一一对应汉字标记汉语字典，将输入的省略文字变换处理成为完整形的汉语，其优点为使汉语输入处理方法实现了既迅速且准确的愿望，有极大的实用价值。
汉语输入处理方法

[其他]电脑型汉语拼音文字输入法-CN85102522无效
发明人： 李约瑟;江觉贤;李崇颐;董庭辉;董国辉;吴重远 -专利权人：中国中文信息研究会汉字编码专业委员会;天津南开大学;河南省机械研究所;河南省轻工业研究所
申请日： 1985-04-10 - 公布日： 1987-02-04 - 主分类号： G06F3/023 文献下载
摘要：电脑型汉语拼音文字输入法属于电子计算机中文信息处理的关键技术领域。采用本专利可以原封不动地使用电子计算机的ASCii西文键盘，完成中文信息的快速键入、输出、贮存、通讯、编辑、检索等工作。电脑型汉语拼音文字输入法的技术特征是以汉语拼音方案为基础而创造的。它是至今为止既不需要死记硬背汉字编码，又符合汉语自然语言规律，它特别是适合大信息量中文信息打字输入的方法。
电脑汉语拼音文字输入法

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