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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种窄划片槽的晶圆结构-CN201410191891.3在审
发明人：陈志龙;王国兵;高凤来 -专利权人：北京同方微电子有限公司
申请日： 2014-05-07 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：一种窄划片槽的晶圆结构，涉及半导体元件IC技术领域。本发明的表面布满整齐排列多个芯片，每个芯片上设有多个CP测试晶粒。其结构特点是，在每个光照的部分芯片上置有多个测试晶粒，各芯片之间的划片槽采用激光划片的方式进行窄缝隙切割。同现有技术相比，本发明可以不受测试晶粒尺寸的影响而缩减划片槽的宽度，降低芯片成本。
一种划片结构

[发明专利]一种划片切割方法及系统-CN202210388820.7有效
发明人：高金龙;吕孝袁;张宁宁;高阳 -专利权人：苏州优力科瑞半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种划片切割方法及系统，本发明实施例提供一种划片切割方法，包括：根据初始步进参数和基准位置，获取当前机台的理论切割位置；根据所述理论切割位置与实际对准位置，获取所述当前机台的单步进误差；本发明实施例提供一种划片切割方法及系统，以实现提高划片切割的精度。
一种划片切割方法系统

[实用新型]窄划片槽的晶圆结构-CN201420231132.0有效
发明人：陈志龙;王国兵;高凤来 -专利权人：北京同方微电子有限公司
申请日： 2014-05-07 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：窄划片槽的晶圆结构，涉及半导体元件IC技术领域。本实用新型的表面布满整齐排列多个芯片，每个芯片上设有多个CP测试晶粒。其结构特点是，在每个光照的部分芯片上置有多个测试晶粒，各芯片之间的划片槽采用激光划片的方式进行窄缝隙切割。同现有技术相比，本实用新型可以不受测试晶粒尺寸的影响而缩减划片槽的宽度，降低芯片成本。
划片结构

[实用新型]晶圆、微机电结构、麦克风和终端-CN202122119090.4有效
发明人：孟燕子;荣根兰;孙恺;胡维 -专利权人：苏州敏芯微电子技术股份有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H04R19/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶圆、微机电结构、麦克风和终端，该晶圆包括：衬底；多个阵列单元，位于衬底上方，相邻的阵列单元被划片道分隔；以及振膜，覆盖多个阵列单元和划片道所在的衬底表面，其中，每个阵列单元包括第一背板与位于第一背板上的第二支撑部通过将振膜覆盖至划片道所在的衬底的表面，从而保护了划片道处的衬底。
晶圆微机结构麦克风终端

[实用新型]转运托盘-CN202320169520.X有效
发明人：张兴华 -专利权人：深圳西斯特科技有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B65D19/38 文献下载
摘要：转运托盘包括本体和定位件；本体上开设有容纳槽，容纳槽用于容纳划片刀，容纳槽的槽底开设有多个间隔设置的排水孔，排水孔用于排出容纳槽内的水；定位件设于本体，且位于容纳槽的中心，定位件用于插接于划片刀以对划片刀进行定位该转运托盘能够排出多余的水分，有利于减少划片刀上残留的水渍。
转运托盘

[实用新型]一种漏水检测电路及装置-CN202223426294.3有效
发明人：孔乐乐;徐旭;朱时成 -专利权人：苏州镁伽科技有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01M3/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种漏水检测电路及装置，应用于划片机，主要包括检测线、漏水检测电路和电压转换电路，将检测线设立于划片机的易漏水部位，在发现划片机出现漏水时能够快速响应，并将因为漏水产生的信息传输至漏水检测电路，漏水检测电路在识别出漏水情况后能够及时告警，避免划片机因为长时间漏水而造成的损失。
一种漏水检测电路装置

[发明专利]版图结构和版图结构的布局方法-CN202210940163.2在审
发明人：覃春雷 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：版图结构包括：芯片区域和环绕芯片区域的划片道区域，其中，芯片区域包括相邻的第一边和第二边，划片道区域包括第一划片道区域和第二划片道区域，第一划片道区域沿第一边的长度方向延伸，第二划片道区域沿第二边的长度方向延伸；第一套刻标记和第二套刻标记，分别位于第一划片道区域和第二划片道区域中；其中，第一套刻标记包括沿第一边的长度方向排列的第一子标记，第二套刻标记包括沿第二边的长度方向排列的第二子标记，第一子标记所在区域在第一边的长度方向上的长度大于其在第二边的长度方向上的长度
版图结构布局方法

[发明专利]具有划片槽导体的半导体晶片和相关方法-CN201711466756.5在审
发明人： J·J·欧唐纳;C·G·莱登;S·吉尔里;J·E·D·赫维茨;B·伯克莱 -专利权人：亚德诺半导体集团
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本公开涉及具有划片槽导体的半导体晶片和相关方法。提供了一种半导体晶片，包括至少两个集成电路(IC)；划片槽，邻近所述至少两个IC延伸；和第一导体，在划片槽内延伸并电耦合所述至少两个IC。
划片槽半导体晶片导体电耦合延伸集成电路邻近

[发明专利]MEMS圆片级封装的划片方法-CN201510180002.8在审
发明人：任霄峰;胥超;杨志;徐永青;杨拥军 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2015-04-16 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS圆片级封装的划片方法，涉及微电子机械加工方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在第一晶圆的背面制备划片标记，正面进行常规的MEMS加工工艺，完成圆片级MEMS结构阵列的制备；将上述圆片级MEMS结构阵列与载有相应微腔结构的第二晶圆进行对准键合，从而进行圆片级封装；通过DRIE刻蚀工艺完成MEMS芯片的输入输出端口的制备，刻蚀的同时完成切割槽的制备；沿第一晶圆背面的划片标记进行划片。所述划片方法具有工艺简单、成本低、效率高的特点。
mems 圆片级封装划片方法

[发明专利]一种硅晶圆划片加工方法-CN201810395246.1在审
发明人：刘晓玲 -专利权人：刘晓玲
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： B24B1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅晶圆划片加工方法，包括依次进行的如下步骤：步骤一：使用激光在硅晶圆背面标刻十字图形，激光波长1064nm，功率3W，速度200mm/s，划槽宽度25μm，划槽深度5μm；步骤二：使用砂轮划片机从硅晶圆的正面切割道进行划片，速度50mm/s，划槽宽度26μm，划槽深度20μm；步骤三：以激光标刻的十字图形为参考对位，使用砂轮划片机从硅晶圆的背面划片，速度25mm/s，划槽宽度26μm，完全划透晶圆。
硅晶圆划槽砂轮划片加工十字图形划片机划片背面激光标刻激光波长切割道标刻对位晶圆激光参考

[实用新型]晶圆结构-CN201520820333.9有效
发明人：万蔡辛;朱佳辉 -专利权人：北京卓锐微技术有限公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：公开了一种晶圆结构，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一表面和第二表面；多个管芯，所述多个管芯形成于所述衬底的第一表面，所述多个管芯分别包括第一功能层和多个第二功能层；所述第一功能层由划片道隔开，所述划片道用于激光切割；所述第二功能层位于所述划片道中，并且属于相邻两个管芯的所述第二功能层相对设置，位于激光扫描路径的两侧隔开预定距离；以及多个划片标记，所述划片标记设置于所述衬底上，位于所述相对设置的两个第二功能层之间。
结构

[实用新型]一种DD马达电机的划片环-CN201920332660.8有效
发明人：孙家全;徐长远;潘禄 -专利权人：沈阳汉为科技有限公司
申请日： 2019-03-16 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H02K5/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种DD马达电机的划片环，包括划片环，所述划片环上安装有润滑油补偿结构，且位于润滑油补偿结构内圈安装有冷却结构；本实用新型涉及划片环技术领域，该DD马达电机的划片环，通过其上的润滑油补偿结构使其在运行过程中
划片润滑油补偿结构本实用新型冷却结构马达电机转子机械磨损热量吸收热量循环运行过程转动过程冷却液内圈顺滑海绵补充外部吸收

[实用新型]一种真空压缩袋-CN202120814496.1有效
发明人：华立寅 -专利权人：宁波华寅包装科技有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B65D30/24 文献下载
摘要：本实用新型公一种真空压缩袋，包括袋体，所述袋体上设有真空阀和开口，所述开口处设有密封条，所述密封条上滑动连接有封口划片，位于所述密封条的两端处分别设置有限位凸起，所述限位凸起配合封口划片的侧面以抵住封口划片脱离密封条与现有技术相比，本实用新型的优点在于：本实用新型结构简单，本实用新型增加了限位凸起，限位凸起抵住封口划片上的凸块，能够防止封口划片从真空压缩袋上脱离。
一种真空压缩

[发明专利]一种激光划片的方法及系统-CN201610946556.9有效
发明人：周士安;任红艳;吴明 -专利权人：国神光电科技（上海）有限公司
申请日： 2016-11-02 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： B23K26/364 文献下载
摘要：本发明提供一种激光划片的方法及系统，所述方法包括：激光器生成包络可调、线偏振、同源且相干由超短激光脉冲构成的两路激光：第一脉冲串和第二脉冲串；改变第一脉冲串或第二脉冲串的偏振态，使一个具有水平偏振，另一个具有垂直偏振；改变第一脉冲串或第二脉冲串的发散角使第一脉冲串和第二脉冲串具有不同的发散角；将第一脉冲串和第二脉冲串进行合束后聚焦于待划片物上并于待划片物上形成上下两层分别由若干聚焦点组成的切割层；利用两个切割层中聚焦点于待划片物上的划动对待划片物进行划片本发明采用两路脉冲串的激光划片方法，适用于较厚晶圆片（>150um）的一次性切割，改善厚片加工的外观直线度和外观效果，还可以提高电性良率。
一种激光划片方法系统

[发明专利]背照式CMOS图像传感器的低温测试方法-CN202010296316.5有效
发明人：刘楠;姜舶洋;周泉;寺西信一;王欣洋 -专利权人：长春长光辰芯光电技术有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种背照式CMOS图像传感器的低温测试方法，包括：S1、沿背照式CMOS图像传感器的划片槽对晶圆进行不完全切割；其中，第一次划片切割不完全切断两个相邻的晶粒，仅在两个相邻的晶粒之间切割出预设宽度及深度的空隙；S2、对第一次划片切割后的晶圆进行低温探针测试；S3、对经过低温探针测试后的晶圆进行二次划片；其中，沿第一次划片切割出的空隙对划片槽进行延伸切割，将划片槽划开完全切断两个相邻的晶粒。
背照式 cmos 图像传感器低温测试方法

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