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[发明专利]一种光学邻近校正模型的建模方法、装置、设备及介质-CN202310587451.9有效
发明人：王康;罗招龙 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光学邻近校正模型的建模方法、装置、设备及介质，包括：获取晶圆版图数据集与初始光学邻近校正模型；在所述初始光学邻近校正模型中设置期望成本；将所述晶圆版图数据集输入到所述初始光学邻近校正模型进行优化训练，以生成中间光学邻近校正模型；以及根据所述中间光学邻近校正模型内的期望成本与预设标准阈值的比较结果，以生成目标光学邻近校正模型。通过本发明公开的一种光学邻近校正模型的建模方法、装置、设备及介质，能够提升光学邻近校正模型的模拟精确度。
一种光学邻近校正模型建模方法装置设备介质

[发明专利]设计和制造光学微影掩膜的方法及系统-CN201410369382.5有效
发明人： P·维尔马;T·P·卢坎 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2014-07-30 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及设计和制造光学微影掩膜的方法及系统，提供一种设计光学光罩的方法，该方法包括设置目标图案；以光学邻近校正(OPC)模型校正该目标图案；调整该目标图案及/或该光学邻近校正模型；以及校正第一校正图案校正该目标图案包括使用光学邻近校正(OPC)模型以产生包含边缘位置误差(EPE)信息、第一校正图案及/或该预图案化开口的模拟轮廓的光学邻近校正输出信息。调整该目标图案及/或该光学邻近校正模型包括以基于该光学邻近校正输出信息的在光学邻近校正的基础上的调整。校正该第一校正图案包括回应以该光学邻近校正为基础的调整而使用该光学邻近校正模型来产生第二校正图案。
设计制造光学微影掩膜方法系统

[发明专利]光学邻近校正方法-CN202010495023.X在审
发明人：杜杳隽;李亮 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本申请公开了一种光学邻近校正方法，其包括：提供原始光刻图案和所述原始光刻图案的光学邻近校正特征；基于所述原始光刻图案和所述光学邻近校正特征训练第一神经网络和第二神经网络；提供待校正光刻图案；交替地使用训练后的第一神经网络和训练后的第二神经网络对所述待校正光刻图案实施光学邻近校正，以获得中间掩膜图案；基于所述中间掩膜图案建立所述待校正光刻图案的光学邻近校正模型；以及基于所述光学邻近校正模型对待校正光刻图案进行光学邻近校正。本申请所公开的方法能够缩短光学邻近校正的时间。
光学邻近校正方法

[发明专利]校正光学邻近校正模型的方法-CN201210184916.8有效
发明人：黄宜斌 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种校正光学邻近校正模型的方法，包括：提供具有图形的半导体衬底；对图形进行数据采样，获得采样数据；将采样数据分成第一组数据和第二组数据；利用第一组数据校正待校正的光学邻近校正模型，获得校正的光学邻近校正模型；利用校正的光学邻近校正模型获得模拟图形，对模拟图形进行数据采样获得模拟数据，与第一组数据对应的模拟数据与第一组数据之间的误差小于预定值；判断第二组数据对应的模拟数据与第二组数据之间的误差是否小于预定值；如果判断结果为是，将校正的光学邻近校正模型作为校正好的光学邻近校正模型；如果判断结果为否，重新校正待校正的光学邻近校正模型。本技术方案对待校正光学邻近校正模型进行校正耗费的时间相对很短。
校正光学邻近模型方法

[发明专利]光学邻近校正方法-CN202011307961.9在审
发明人：董明 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种光学邻近校正方法，包括如下步骤：提供包括阵列区域和非阵列区域的光掩膜版图设计，阵列区域包括多个至少一种重复图形；对阵列区域进行第一光学邻近校正，在多个重复图形中选择一个作为特征图形进行光学邻近校正，将其光学邻近校正结果应用于其他重复图形；对非阵列区域进行第二光学邻近校正，对每个图形一一进行光学邻近校正。本发明针对阵列区域和非阵列区域分别进行第一光学邻近校正和第二光学邻近校正，有效减少了阵列区域中重复图形之间的特征尺寸波动，改善了晶圆面内特征尺寸的均匀性，提升了器件良率。
光学邻近校正方法

[发明专利]光学邻近校正的方法-CN200710044547.1有效
发明人：刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-08-03 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G03F7/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于半导体层的光学邻近校正的方法，在该光学邻近校正的方法中，半导体层包括最佳聚焦平面和散焦平面的半导体平面，其中，包括以下步骤：首先对为最佳聚焦平面的半导体平面使用用于最佳聚焦平面的光学邻近校正模型；再对为散焦平面的半导体平面使用用于散焦平面的光学邻近校正模型。采用本发明的光学邻近校正的方法不仅能实现半导体层上的不同区域的光学邻近校正，而且可以补偿由于拓扑效应产生的临界尺寸变化。
光学邻近校正方法

[发明专利]光学邻近校正模型的校正方法-CN201210313494.X有效
发明人：王辉;时雪龙 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-29 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：种光学邻近校正模型的校正方法，包括：提供多个具有图形的半导体衬底，所述多个具有图形的半导体衬底分别在不同光刻条件下获得；分别对所述多个具有图形的半导体衬底中的图形进行采样，获得多组采样数据，同一具有图形的半导体衬底的采样数据为一组；提供待校正的光学邻近校正模型；利用每一组采样数据分别对所述待校正的光学邻近校正模型进行校正，获得多个校正的光学邻近校正模型，一种光刻条件对应一个校正的光学邻近校正模型。解决现有技术中在某些光刻条件下获得的光刻胶图形并不理想，仍有光学邻近效应产生的图形粘连现象。
光学邻近校正模型方法

[发明专利]建立光学邻近校正模型的方法及光学邻近校正的方法-CN202111034437.3在审
发明人：李其衡;粟雅娟;董立松;张利斌;陈睿;苏晓菁 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种建立光学邻近校正模型的方法及光学邻近校正的方法。该建立光学邻近校正模型的方法，包括：针对设计好的各图案，根据各图案之间的密切系数来划分图案组；分别为划分好的每个图案组建立相匹配的光学邻近校正模型；其中，密切系数包括图案形状异同、图案密度、图案与自身周围图案的距离以及图案功能异同中的至少一个参数本公开的建立光学邻近校正模型的方法，根据各图案之间的密切系数来划分图案组，分别为划分好的每个图案组建立相匹配的光学邻近校正模型，大大提高了各图案组所对应的光学邻近校正模型的匹配度，从而能够实现在利用各光学邻近校正模型对相匹配的图案组进行图案模型化时降低图案模型化时产生的误差和不良率
建立光学邻近校正模型方法

[发明专利]光学邻近修正操作方法与光学邻近修正操作装置-CN202110533878.1在审
发明人：胡国信;赵育逵;邱崇益 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种光学邻近校正操作方法与光学邻近校正操作装置。光学邻近校正操作方法包括以下步骤。获得一光掩模布局图。若光掩模布局图具有至少一缺陷热点，则根据缺陷热点，从光掩模布局图取出至少一局部区域图案。以一机器学习模型分析局部区域图案，以获得至少一光学邻近校正策略。执行光学邻近校正策略，修正光掩模布局图。
光学邻近修正操作方法操作装置

[发明专利]光学邻近校正方法-CN200810207517.2有效
发明人：张飞 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-12-22 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种光学邻近校正方法，包括：测量掩模版上的测试图形，获得所述测试图形的图形参数；根据所述掩模版进行曝光，获得所述曝光形成的图形参数；对所述曝光形成的图形参数进行过滤处理；根据所述曝光形成的图形参数和所述测试图形的图形参数，获得与所述曝光采用的扫描形式对应的校正因子；根据所述校正因子，对原有光学邻近校正模型进行更新，获得与所述曝光采用的扫描形式对应的光学邻近校正模型。本发明根据曝光时采用不同的扫描形式所造成的参数差异，计算校正因子，并对原有的光学邻近校正模型进行更新，获得更新的光学邻近校正模型，从而提高了光学邻近校正的准确性。
光学邻近校正方法

[发明专利]光学邻近校正方法及优化光学邻近校正模型的方法-CN201810175079.X有效
发明人：杜杳隽;沈泫 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-03-02 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近校正方法及优化光学邻近校正模型的方法，优化光学邻近校正模型的包括：获取测试图形的标准空间像光强函数沿特征尺寸方向的若干极小值点和若干极大值点；获取特征尺寸方向上的若干连续的位置区间；根据待优化区间的标准空间像光强函数、以及相邻位置区间的标准空间像光强函数建立待优化区间的光学邻近校正模型；基于各个位置区间的光学邻近校正模型对测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形；对测试图形进行实际曝光，获得实际曝光图形；获取模拟曝光图形与实际曝光图形之间的位置偏差；若位置偏差在阈值范围外，调整光学邻近校正模型至模拟曝光图形与实际曝光图形的位置偏差在阈值范围内。提高了光学邻近校正模型的精度。
光学邻近校正方法优化模型

[发明专利]光学邻近修正方法-CN201510005960.1有效
发明人：王兴荣;张迎春 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-01-06 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学邻近修正方法，通过在对待校正图形执行第一光学邻近修正获得第一校正图形后，采用从制程所对应的工艺窗口模型中所选择的具有最大间距值的模型和具有最小线宽值的模型对第一校正图形进行校验，确定易偏离点，并对该易偏离点进行目标修正后，执行第二光学邻近修正获得第二校正图形，并采用上述工艺窗口模型对该第二校正图形进行检验，在光学邻近修正期间穿插对第一校正图形的修改，从而保障了易偏离点能够及时的发现和修正，减轻了后续光学邻近修正进行冗余运算的数据量，缩短了掩膜数据的运算时间，因无需额外重新确定光学邻近修正的目标图形进行循环修正，从而缩短了光学邻近修正的周期，进而提高了生产效率。
光学邻近修正方法

[发明专利]采用光学邻近校正目标的掩膜系统及其制造方法-CN201010176796.8有效
发明人： K·T·谢;S·C·玉;L·M·Y·贵;K·K·C·梁;L·L·毛 -专利权人：新加坡格罗方德半导体制造私人有限公司
申请日： 2010-05-12 - 公布日： 2010-11-17 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及采用光学邻近校正目标的掩膜系统及其制造方法。一种掩膜系统的制造方法，包括：提供设计数据；自该设计数据生成大体呈圆形的光学邻近校正(optical proximity correction；OPC)目标；偏置该大体呈圆形的光学邻近校正目标的部分；以及在通过所述偏置该大体呈圆形的光学邻近校正目标的部分而产生的形状基础上生成掩膜数据
采用光学邻近校正目标系统及其制造方法

[发明专利]一种数据处理系统及方法-CN202011310254.5有效
发明人：张雷 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种数据处理系统及方法，用于处理第一光学邻近效应校正任务，第一光学邻近效应校正任务包括：第一子任务和第二子任务，系统包括：第一处理单元和第二处理单元。在接收到第二光学邻近效应校正任务且第二光学邻近效应校正任务的优先级大于第一光学邻近效应校正任务的优先级时，第一处理单元停止处理第一子任务，而处理第二光学邻近效应校正任务。在接收到优先级较高的任务时，优先级较高的校正任务和优先级较低的校正任务能够被同时处理，节省光学邻近效应校正时间。
一种数据处理系统方法

[发明专利]掩膜板的光学邻近校正方法-CN201210101392.1有效
发明人：王辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2013-10-23 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种掩膜板的光学邻近校正方法，包括：将集成电路设计图案分解成若干特征图案和若干非特征图案；将每一个所述特征图案采用其所对应的特征模型进行基于二维模型的光学邻近校正；将每一个所述非特征图案采用整体模型进行基于二维模型的光学邻近校正；将经过光学邻近校正后的所有特征图案和所有非特征图案组合成掩膜板图案。在掩膜板厚度对整个集成电路设计图案的光学邻近校正产生影响的情况下，本发明的方法能够在较短的时间内达到较好的校正效果，在校正时间和校正效果上实现了很好的结合，满足光刻工艺的要求。
掩膜板光学邻近校正方法

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