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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]OPC建模方法-CN202311014499.7在审
  • 刘秀梅;罗招龙 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-08-14 - 2023-09-12 - G03F1/36
  • 本发明提供一种OPC建模方法。所述OPC建模方法中，先建立初版光学模型，利用所述初版光学模型对用于进行曝光实验的多个测试图形进行模拟仿真，去除NILS值低于一指定NILS值的所述测试图形，留下的所述测试图形作为待检测图形，在收集曝光实验形成的晶圆数据以进行检测时，收集所述曝光实验得到的来自至少部分所述待检测图形的晶圆数据，不收集被去除的所述测试图形形成的晶圆数据，提高了晶圆数据收集的有效性，缩短了收集和检测晶圆数据的时间，从而缩短了OPC建模的总时间，可以在确保OPC建模准确度的情况下，缩短检测晶圆数据的时间，提高OPC建模效率，有助于避免人力和资源的浪费，节约成本。
  • opc建模方法
  • [发明专利]一种掩模版图形的校正方法及装置-CN202310491664.1有效
  • 刘秀梅;罗招龙;杜宇 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-05-05 - 2023-09-12 - G03F1/36
  • 本发明公开了一种掩模版图形的校正方法及装置，所述校正方法包括以下步骤：输入目标图形和模拟图形；根据模拟图形对目标图形进行循环校正，并预设总循环次数、循环次数阈值和关键尺寸阈值；预设校正系数和校正量阈值，根据目标图形和模拟图形的尺寸差值、校正系数和循环干涉量，获取目标图形的循环修正量，并将循环修正量设为下一次校正循环的循环干涉量；根据循环修正量或校正量阈值调整目标图形，获取初始修正图形；当目标图形的校正循环次数大于等于循环次数阈值，根据初始修正图形的尺寸与关键尺寸阈值的差值，调整初始修正图形，获得校验修正图形；以及当目标图形的校正循环次数达到总循环次数，输出校验修正图形或初始修正图形。
  • 一种模版图形校正方法装置
  • [发明专利]模型建立方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202310042571.0有效
  • 王康;罗招龙 - 合肥新晶集成电路有限公司
  • 2023-01-28 - 2023-06-27 - G06T7/00
  • 本申请涉及一种模型建立方法、装置、计算机设备和存储介质。所述模型建立方法包括：采用扫描电子显微镜测量第一图形在第一倍率下的量测值、第一图形在第二倍率下的量测值、以及第二图形在第一倍率下的量测值；根据第一图形在第一倍率下的量测值和第一图形在第二倍率下的量测值，确定第一图形在第一倍率下与在第二倍率下的量测误差；根据第一图形在第一倍率下与在第二倍率下的量测误差、以及第二图形在第一倍率下的量测值，确定第二图形在第二倍率下的量测值；根据第一图形在第二倍率下的量测值、以及第二图形在第二倍率下的量测值，建立光学邻近校正模型。采用上述模型建立方法建立的OPC模型的准确性得到提高。
  • 模型建立方法装置计算机设备存储介质
  • [发明专利]光学临近修正方法-CN202310220405.5有效
  • 王康;罗招龙;苏正龙 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-03-09 - 2023-06-09 - G03F1/36
  • 本发明提供了一种光学临近修正方法，通过从所有主图形中筛选出所有金属层图形的末端线条与该金属层图形覆盖的孔结构图形之间的距离大于预设值的主图形，形成第一图形组；然后，从所有主图形中筛选出所有相邻两个主图形对应的两个光学临近修正后的图形之间的线端间距位于第一预设范围内的主图形组，形成第二图形组；接着，从第二图形组中筛选出与第一图形组有重叠的主图形组，形成第三图形组；最后，调整第三图形组中的每个主图形的末端线条迭代时向外生长的长度，使得曝光后的每个主图形中的金属层图形完全覆盖孔结构图形。本发明提供的方法能够同时兼顾光刻工艺窗口和OPC收敛度，并且可以避免电路连接问题，提高产品良率。
  • 光学临近修正方法
  • [发明专利]散射条的添加方法、掩膜版的制备方法-CN202310044642.0有效
  • 刘秀梅;罗招龙;吴晨雨 - 合肥新晶集成电路有限公司
  • 2023-01-30 - 2023-05-30 - G03F1/36
  • 本申请涉及一种散射条的添加方法、掩膜版的制备方法。散射条的添加方法包括：在待校正图形的外侧添加至少一初始散射条；利用光学邻近校正模型对待校正图形进行校正得到目标图形；获取目标图形与初始散射条之间的第一距离；第一距离为初始散射条与目标图形之间的最短距离；根据第一距离、待校正图形和目标图形添加至少一目标散射条，其中，目标散射条与目标图形之间的第一最小距离与初始散射条与待校正图形之间的第二最小距离相同。采用本方法能够避免芯片的良率下降。
  • 散射添加方法掩膜版制备
  • [发明专利]一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质-CN202310043073.8有效
  • 李可玉;罗招龙;王康;刘秀梅;赵广 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-01-29 - 2023-05-26 - G03F1/36
  • 本发明涉及半导体技术领域，提供一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质，包括：获取初始掩模版图，所述初始掩模版图包括多个稀疏图形；调整某一个所述稀疏图形的所处位置，使得该所述稀疏图形周围满足预设条件；分别获取该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值；调整该所述稀疏图形周围的边缘放置误差的容忍度值的绝对值之和，使所述绝对值之和小于预设值，该所述稀疏图形位置调整完成；分别调整其余稀疏图形的位置，直至所有稀疏图形位置都调整好后，取得所述所有稀疏图形的位置，生成目标掩模版图。通过本发明公开的一种光掩模版图形的修正方法、装置、设备及介质，能够达到较好的收敛度。
  • 一种模版图形修正方法装置设备介质
  • [发明专利]OPC建模方法、OPC建模装置及电子设备-CN202211195322.7有效
  • 王康;罗招龙;吕攀 - 合肥新晶集成电路有限公司
  • 2022-09-29 - 2023-03-28 - G06F30/31
  • 本发明提供了一种OPC建模方法、OPC建模装置及电子设备。该方法包括：获取步骤：获取版图上的多个晶圆数据、与多个晶圆数据一一对应的多个权重以及预设建模条件；建模步骤：根据多个晶圆数据和多个权重建立预备OPC模型；判断步骤：判断预备OPC模型是否满足预设建模条件，在满足的情况下，确定预备OPC模型为目标OPC模型。通过上述方法，可以对版图上的晶圆图形进行预先的补偿修正，从而得到更接近于实际的数据版图结构，进而使得掩膜版的生产制作更加准确，为整个工艺流程的开发节省了宝贵的时间。
  • opc建模方法装置电子设备
  • [发明专利]一种版图图形的修正方法及系统-CN202211002917.6有效
  • 赵广;罗招龙;刘秀梅;吴晨雨 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-08-22 - 2022-11-22 - G03F1/36
  • 本发明涉及集成电路制造领域，并公开了一种版图图形的修正方法，至少包括：设置主图形和辅助图形；调整相邻的主图形间的主图形间距，以及主图形和辅助图形的图形间距离，获得多种组合图形；修正多种组合图形，并获取多种组合图形的仿真工艺窗口信息；设置主图形间距，并根据组合图形和仿真工艺窗口信息的映射关系，获得最优组合图形，并根据多个最优组合图形的重叠度，获取最优图形间距离；以及根据最优图形间距离，为多种主图形匹配最优辅助图形。本发明提供了一种版图图形的修正方法及系统，能够提升半导体图形光学邻近校正的效率和精度。
  • 一种版图图形修正方法系统
  • [发明专利]光学临近修正方法、装置及电子设备-CN202210506434.3有效
  • 刘秀梅;罗招龙;赵广 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-05-11 - 2022-08-19 - G03F1/36
  • 本发明提供了一种光学临近修正方法、装置及电子设备。在本发明提供了一种光学临近修正方法中，其通过将测试版图中的所有主图形按照图形尺寸的不同进行分类，然后将分类后的各类主图形集合中的主图形按照其图形尺寸的不同设置不同的光学临近修正的循环迭代次数，从而避免了现有技术中对测试版图中的任何主图形都采用同一光学临近修正的循环迭代次数（利用小图形尺寸的主图形的收敛度而确定的次数较多的OPC循环迭代次数），造成的测试版图的整体OPC执行时间过长，以及人力和物力资源浪费的问题。
  • 光学临近修正方法装置电子设备
  • [发明专利]光学临近修正方法及装置-CN202210335630.9有效
  • 赵广;罗招龙;刘秀梅 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-04-01 - 2022-07-19 - G03F1/36
  • 本发明提供了一种光学临近修正方法及装置，应用于半导体技术领域。由于本发明提供的光学临近修正方法可以在每次OPC修正后或某次OPC修正后，开始对主图形与其周围的辅助图形之间的距离进行调整，从而避免了现有技术中在对主图形进行辅助图形添加后，由于OPC修正导致的版图中主图形的部分形状改变，引起的经过OPC修正后的主图形和其周围的辅助图形之间的距离发生变化（变小），进而降低了版图的光刻工艺窗口、OPC修正过程中的准确度以及延缓研发进度的问题。
  • 光学临近修正方法装置
  • [发明专利]一种版图图形的修正方法及系统-CN202210315047.1有效
  • 王康;罗招龙;洪银;杜远远 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-03-29 - 2022-07-08 - G03F1/36
  • 本发明公开了一种版图图形的修正方法及系统，其包括以下步骤：设置输入图形，且所述输入图形包括主图形和辅助图形；根据光刻机的光强阈值获取曝光阈值范围；将所述输入图形进行修正，并输出所述输入图形的光强图；判断所述辅助图形的光强是否小于最小曝光阈值；当所述辅助图形的光强小于最小曝光阈值时，获取修正后的输入图形；以及当所述辅助图形的光强等于或大于最小曝光阈值时，重新修正所述输入图形，直至所述辅助图形的光强阈值小于最小曝光阈值。通过本发明提供的一种版图图形的修正方法及系统，可提高曝光显影的准确率。
  • 一种版图图形修正方法系统
  • [发明专利]一种光学临近效应修正模型的获取方法及系统-CN202210315048.6有效
  • 王康;罗招龙;吴晨雨;杜宇 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2022-03-29 - 2022-07-05 - G03F1/36
  • 本发明公开了一种光学临近效应修正模型的获取方法及系统，其包括以下步骤：建立初始模型；设置测试图形，并在所述测试图形的一侧设置监控图形，且所述测试图形和所述监控图形之间具有间隙；获取光刻机的曝光阈值范围；调整所述初始模型中的参数，修正所述测试图形和所述监控图形，并获取所述测试图形和所述监控图形的光强分布图，以及所述测试图形和所述监控图形在晶圆上的模拟图形；以及将所述间隙的光强值小于曝光阈值范围，且所述模拟图形与目标图形拟合度最高时的初始模型，作为光学临近效应修正模型。通过本发明提供的一种光学临近效应修正模型的获取方法及系统，可提高半导体制程的准确率。
  • 一种光学临近效应修正模型获取方法系统
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