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[发明专利]光刻胶曝光装置-CN201310586140.7有效
发明人：闫晓剑;田朝勇 -专利权人：四川虹视显示技术有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻胶曝光装置，包括掩模板、反射金属薄膜和光束发生装置，掩模板的透光部分为光栅，曝光时，掩模板位于涂敷有光刻胶的基板的正上方，反射金属薄膜置于基板上与光栅对应的位置处，光束发生装置产生的曝光光束透过掩模板上的光栅均匀的直射到基板上的光刻胶上，实现光刻胶的曝光，同时，反射金属薄膜的边缘对照射到其上的曝光光束产生散射。采用本发明的光刻胶曝光装置进行光刻胶曝光时，正性光刻胶可以产生边缘与基板表面成锐角的光刻胶图案，负性光刻胶可以产生边缘与基板表面成钝角的光刻胶图案，配合传统的光刻胶曝光方法，可以通过一种光刻胶实现不同光刻胶图案的要求，简化光刻胶曝光工艺，减低成本。
光刻曝光装置

[实用新型]一种应用于光刻机的辅助设备-CN202222037642.1有效
发明人：陈志特;王华 -专利权人：东莞锐视光电科技有限公司
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种应用于光刻机的辅助设备，光刻机用于对涂覆了光刻油墨的基板进行光刻加工以制得PCB，辅助设备包括：底座支架组件、辅助装置以及曝光模组，辅助装置用于对光刻油墨进行加速反应处理，加速反应处理为通过辅助装置提高基板上的光刻油墨的活性以提升曝光效果；曝光模组用于对涂覆了光刻油墨的基板进行曝光，以制得PCB；其中，基板可固定于底座支架组件上并接受辅助装置的加速反应处理和曝光模组的曝光处理。本实用新型通过设置辅助装置对基板上的光刻油墨进行加速反应处理，使涂覆在基板上的光刻油墨在曝光前或曝光过程中温度升高，其分子活动更加剧烈，有效提高了光刻油墨在曝光过程中的光固化速度，进而提高了PCB的光刻效率
一种应用于光刻辅助设备

[发明专利]光刻曝光装置-CN201410225848.4有效
发明人：王婷婷;杨晓青;王帆 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻曝光装置，包括照明单元，用于为光刻曝光装置提供照明光；图案化装置，为所述光刻曝光装置提供光刻图形；分光装置，位于投影曝光光路中，用于将入射的照明光分为多束，并出射到不同的视场中；投影物镜，用于将掩模图形成像于曝光基底上。本发明的光刻曝光装置通过增设分光装置，将照射光分为相同的两束，可以在不增大掩模尺寸的前提下曝出大视场，降低掩模制造成本，承载曝光基底的运动台运动间距增大，节省了部分加速和减速时间，曝光一片曝光基底所用的总运行时间，或同时曝光多片曝光基底所用的总运行时间减少，进而提高了曝光产率。
光刻曝光装置

[发明专利]曝光分辨率优化方法、装置、电子设备及存储介质-CN202311037238.7有效
发明人：曹子峥;周延;皮雅稚;余少华 -专利权人：鹏城实验室
申请日： 2023-08-17 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种曝光分辨率优化方法、装置、电子设备及存储介质，涉及光刻领域，本申请将光刻系统的可调曝光参数和可调曝光参数的曝光结果输入至预设优化模型得到目标参数，其中，可调曝光参数至少包括光源相位；基于目标参数对光刻系统进行调节形成新曝光参数的光刻系统；基于新曝光参数的光刻系统进行曝光得到新的曝光结果，将目标参数作为新的可调曝光参数，基于新的可调曝光参数和新的曝光结果返回执行将光刻系统的可调曝光参数和可调曝光参数的曝光结果输入至预设优化模型得到目标参数的步骤本申请实施例，加入了光源相位作为可调曝光参数之一，参与到优化过程中，丰富了优化方向，改善调控的精细度，从而提高光刻分辨率的增强效果。
曝光分辨率优化方法装置电子设备存储介质

[发明专利]一种光刻方法、光刻装置和计算机存储介质-CN202111287054.7在审
发明人：汪恒 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-11-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种光刻方法、光刻装置和计算机存储介质，该方法包括：确定光刻机的曝光强度；根据曝光强度，确定光刻机对应的目标预设区间；根据目标预设区间，确定曝光剂量符合目标曝光剂量的至少一个目标晶圆；其中，目标预设区间与目标曝光剂量之间具有对应关系；利用光刻机对至少一个目标晶圆进行光刻处理。本申请能够提高光刻机的生产能力。
一种光刻方法装置计算机存储介质

[发明专利]光刻装置及其方法-CN200610127823.6有效
发明人：金龙勋;徐真愚 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社
申请日： 2006-09-20 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻装置和方法以通过最小化光刻工艺线的总体布局而提高产量，其中光刻装置包括加载或者卸载基板的加载/卸载单元；在基板上涂敷光刻胶的涂敷线；曝光基板上涂敷的光刻胶的曝光线；显影曝光的基板的显影线；以及临时存放涂敷有光刻胶的基板并将该基板加载到曝光线上的传输线，并且所述传输线还临时存放曝光后的基板并将该基板加载到显影线上。
光刻装置及其方法

[发明专利]光刻曝光方法-CN202011414133.5有效
发明人：周曙亮;赵潞明;吴长明;姚振海;金乐群;李玉华 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种光刻曝光方法。所述光刻曝光方法包括：将晶片的目标面划分为曝光阵列，所述曝光阵列包括若干个曝光区域；确定曝光区域中的目标量测曝光区域和其他曝光区域；依次对所述其他曝光区域分别进行多次光刻曝光，在所述其他曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形；对所述目标量测曝光区域进行单次光刻曝光，在所述目标量测曝光区域处的晶片目标面上形成光刻图形。本申请提供的光刻曝光方法，可以解决相关技术中在开始进行光刻曝光的前期，因光学系统温度不稳定，导致机台对光刻表现的判断的问题。
光刻曝光方法

[发明专利]一种光刻机以及物理光刻方法-CN202210151923.1在审
发明人：李西军 -专利权人：西湖大学
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开实施例提出了一种光刻机以及物理光刻方法，所述光刻机能够在涂覆有物理光刻胶的晶圆上实现物理光刻，其包括控制装置、光刻源、束脉冲调制器、束聚焦装置、束扫描装置以及运动工件台，所述控制装置用于接收需要曝光的图形信息并基于与图形对应的光刻数据生成用于控制所述束脉冲调制器以输出曝光束在曝光位置的最佳脉冲宽度的调制信号、用于将曝光束依次偏转到曝光位置的束扫描信号以及用于控制所述运动工件台的运动控制信号。本公开实施例能够利用物理光刻材料吸收能量后发生从固体到气体的升华相变同时实现曝光、显影和定影的过程，工序短，故不需要专门设置的显影和定影程序，光刻工艺对环境友好。
一种光刻以及物理方法

[发明专利]一种新型曝光机-CN202110751162.9有效
发明人：陈铭;李金水;朱世敏 -专利权人：深圳市华鼎星科技有限公司
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本申请涉及曝光设备技术领域，尤其是涉及一种新型曝光机，包括沿光刻胶传送方向依次设置的放卷装置、曝光装置以及收卷装置，曝光装置包括机架、固设于机架顶部的光刻板、固设于光刻板下方的曝光机构以及盖板机构，盖板机构包括盖设于光刻板顶面的框架、软性压片组件、抽真空组件以及升降组件，软性压片组件封盖于框架内侧，以令光刻板、框架以及软性压片组件可共同形成一抽真空腔体，抽真空组件固设于机架上且与抽真空腔体相连通，升降组件固设于机架上且用于驱动框架沿竖向升降本申请能够将光刻胶与光刻板之间的残留空气压出，以提高光刻胶的平整度，从而提高光刻胶的曝光效果。
一种新型曝光

[发明专利]光刻方法及装置-CN202210154774.4在审
发明人：袁元;方超;陈航卫 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开了一种光刻方法，包括：形成光刻胶，所述光刻胶包括多个待曝光区；采用一次曝光过程对所述待曝光区进行曝光，所述一次曝光过程包括至少两个不同的光脉冲，所述至少两个不同的光脉冲对所述待曝光区进行曝光的等效景深，大于或等于各所述待曝光区中所述光刻胶之间的最大厚度差；其中，任意两个所述光脉冲的波长或/和能量不同。本发明还提供一种光刻装置，在一次曝光过程中至少使用两个不同的光脉冲，通过调节每个光脉冲的波长以及能量，使得对所述待曝光区进行曝光的等效景深大于或者等于各所述待曝光区中的光刻胶之间的最大厚度差，优化光刻胶的形貌以及增大光刻工艺窗口
光刻方法装置

[发明专利]扫描光刻的控制方法、装置、设备及存储介质-CN202111245162.8在审
发明人：陈国军;吴景舟;马迪 -专利权人：江苏迪盛智能科技有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种扫描光刻的控制方法、装置、设备及存储介质。该扫描光刻的控制方法包括：获取光刻设备沿扫描方向移动到目标表面的当前位置；根据待曝光图像和当前位置确定当前待曝光光斑图像；根据当前待曝光光斑图像调整光刻设备投影到目标表面的光斑图像。本方案通过光刻设备移动到目标表面的具体位置来对应调整光刻设备对目标表面进行照射的光斑图像，相比于现有技术通过时间来对应调整光刻设备对目标表面进行投影的光斑图像，规避了因扫描光刻的运动系统的精度低，导致目标表面曝光出来的图像产生偏差的问题由此，本方案可以提高扫描光刻的实际曝光点与曝光的帧图像对应的精确度，减小曝光图像偏差。
扫描光刻控制方法装置设备存储介质

[实用新型]光刻设备-CN201721831734.X有效
发明人：沈雪;葛伟伟;柯汎宗;黄志凯 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种光刻设备，包括：曝光装置，用于利用光罩对晶圆表面的光刻胶进行曝光；温度检测装置，用于检测经过曝光过程之后的光罩的温度；冷却装置，所述冷却装置位于光罩从所述曝光装置向所述温度检测装置转移的路径上所述光刻设备能够降低光罩形变，提高光刻线宽和套刻精度，保证产品质量。
光罩光刻设备温度检测装置冷却装置曝光装置本实用新型晶圆表面曝光过程光刻胶形变光刻套刻曝光检测保证

[发明专利]光刻设备和器件制造方法-CN200810145952.7无效
发明人：朱德克斯·玛丽·多米尼克斯·斯多尔德瑞杰;埃瑞克·罗洛夫·鲁普斯卓;简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特;蒂德瑞克·简·马阿斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2008-08-14 - 公布日： 2009-02-18 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了通过先或者后曝光衬底上的一个或多个边缘器件而减少衬底在主光刻设备内花费的曝光时间的光刻设备和器件制造方法。由于边缘器件最终不会形成有用装置，所以所述边缘器件可以采用第一光刻装置进行曝光，所述第一光刻装置具有比用于曝光一个或多个由所述衬底生成的其它完整器件的分辨率低的分辨率。因此，对边缘器件的先或者后曝光可以采用更低复杂度的以及成本更低的光刻装置进行。
光刻设备器件制造方法

[发明专利]一种光刻机曝光系统及其控制方法-CN200810216174.6有效
发明人：张建国;朱春辉 -专利权人：清溢精密光电（深圳）有限公司
申请日： 2008-09-19 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明适用于计算机直接制版技术光刻领域，提供了一种光刻机曝光系统及其控制方法，光刻机曝光系统包括依次连接的光源、光路系统组件、光刻镜头以及基板；光路系统组件将光源发射的光信号进行调制处理后输出，光刻镜头将光路系统组件输出的光信号聚焦到基版上形成第一光斑；还包括：光学装置、控制器以及曝光镜头组合，控制器控制光学装置将光源发射的光信号射出，曝光镜头组合将光学装置射出的光信号聚焦到基版上形成第二光斑；第二光斑的直径大于第一光斑的直径。本发明提供的光刻机曝光系统采用光学装置改变光信号的传播方向，通过曝光镜头组合将光信号在基版上形成大光斑，不影响精细图形曝光的同时对大片空白区进行快速曝光，提高了光刻机的工作效率。
一种光刻曝光系统及其控制方法

[发明专利]一种基于高次谐波的极紫外光刻曝光方法-CN202111325361.X在审
发明人：徐永兵;陈笑;黎遥;严羽;周建;钟文彬;何亮;陆显扬 -专利权人：南京大学
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种基于高次谐波的极紫外光刻曝光方法，1)使用飞秒级的强场激光与工作介质相互作用产生高次谐波；2)反应产生的高次谐波复色光通过过滤选取谐波级次，即用于测试的波长所在的谐波级次，从而得到测试波长的纯净极紫外光；3)极紫外光通过狭缝进入曝光装置，对涂敷光刻胶的晶圆样品进行曝光，将掩模版的图案转移到样品表面，通过累积曝光时间来达到光刻胶所需的曝光剂量。所述用于曝光的极紫外光基于高次谐波技术产生。纯净的极紫外光进入曝光装置，使涂有光刻胶的硅片曝光，通过累积曝光时间的方式达到光刻胶所需的曝光剂量。
一种基于谐波紫外光刻曝光方法

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