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[发明专利]一种自参考存储结构和存算一体电路-CN202011077197.0有效
发明人：邢国忠;林淮;刘宇;张凯平;张康玮;吕杭炳;谢常青;刘琦;李泠;刘明 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明涉及存储器技术领域，尤其涉及一种自参考存储结构及存算一体电路，该自参考存储结构，包括：三个晶体管，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管；两个磁隧道结，包括：第一磁隧道结、第二磁隧道结；所述第一磁隧道结串联于所述第一晶体管与所述第二晶体管之间；所述第二磁隧道结串联于所述第二晶体管与所述第三晶体管之间；在开启第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管时，实现一位二进制信息的写入；在实现数据存储时，只需要施加单向电流即可实现一位二进制的写入，且器件在写入过程中延时低、功耗小，数据读取裕度高。
一种参考存储结构一体电路

[发明专利]一种双极型阻变存储器及其制备方法-CN201610252403.4有效
发明人：刘琦;赵晓龙;刘明;刘森;龙世兵;吕杭炳;卢年端;王艳;张康玮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-04-21 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种双极型阻变存储器及其制备方法，该双极型阻变存储器包括衬底；复合于所述衬底上表面的下电极；复合于所述下电极上的整流功能层；复合于所述整流功能层上的石墨烯层；复合于所述石墨烯层上的阻变介质层；复合于所述阻变介质层上的上电极；所述整流功能层由Al₂O₃、TiO₂与MgO中的一种或多种形成。与现有技术相比，本发明提供的双极型阻变存储器中的整流功能层可起到隧穿整流的作用，实现双向整流作用，也能够有效抑制阻变存储器阵列中相邻单元之间的串扰误读现象；同时由于石墨烯层的存在，器件性能得到改善，reset电流减小，反应速度提高，功耗降低。
一种双极型阻变存储器及其制备方法

[发明专利]非挥发性阻变存储器件及其制备方法-CN201510061920.9有效
发明人：刘琦;刘明;孙海涛;吕杭炳;龙世兵;瑞塔姆·白纳吉;张康玮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种非挥发性阻变存储器，包括惰性金属电极、阻变功能层、易氧化金属电极，其特征在于：在易氧化金属电极与阻变功能层之间插入含多个纳米孔的石墨烯阻挡层，能够控制器件编程过程中易氧化金属电极的金属氧化后，形成的金属离子只能通过多个纳米孔的位置进入到阻变功能层中。依照本发明的非挥发性阻变存储器件及其制造方法，在易氧化金属电极与阻变功能层之间增加含有纳米孔的石墨烯插层结构，阻挡金属离子的扩散，使得器件在编程过程中易氧化金属电极中形成的金属离子只能通过纳米孔的位置处进入到阻变功能层，从而控制导电细丝生长位置。
挥发性存储器件及其制备方法

[发明专利]非挥发性阻变存储器件及其制备方法-CN201510061926.6在审
发明人：刘琦;刘明;孙海涛;张科科;龙世兵;吕杭炳;瑞塔姆·白纳吉;张康玮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2016-10-05 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种非挥发性阻变存储器，包括惰性金属电极、阻变功能层、易氧化金属电极，其特征在于：惰性金属电极与阻变功能层之间插入石墨烯阻挡层，能够阻止器件编程过程中易氧化金属离子在电场作用下通过阻变功能层迁移进入惰性金属电极。依照本发明的非挥发性阻变存储器件及其制造方法，在惰性电极与固态电解液阻变功能层之间增加单层或多层石墨烯薄膜作为金属离子阻挡层，阻止RRAM器件编程过程中，阻变层中形成的金属导电细丝扩散进入惰性电极层，消除器件擦除过程中出现的误编程现象，提高器件的可靠性。
挥发性存储器件及其制备方法

[发明专利]一种个人健康监护设备与监护方法-CN201610030741.3在审
发明人：姜余祥;杨萍;王燕妮;孙聪;甘银云;武珺珺;张康玮 -专利权人：北京联合大学
申请日： 2016-01-18 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： G06F19/00 文献下载
摘要：本发明属于电子通信领域，涉及一种个人健康监护设备与监护方法。设备包括：中央处理模块，个人健康信息感知模块，通信模块，显示模块；中央处理模块包括中央处理器、通用输入/输出接口GPIO、按键和存储器；中央处理器通过GPIO输出控制信息和输入状态信息；按键与中央处理器相连，用于输入命令或参数；存储器用于存储程序和各种数据，并能自动地完成程序或数据的存取；个人健康信息感知模块借助传感器模块用于采集各种人体特征信号；通信模块用于与本地终端之间数据传输。本发明利用嵌入技术使得所发明的监护终端体积大大减小；功耗明显降，低延长了使用时间；可随时对人体健康信息进行检测识别；采用无线组网技术实现敏感人群的日常监护以及突发事件的远程会诊。
一种个人健康监护设备方法

[发明专利]非挥发性阻变存储器件及其制备方法-CN201510226908.9在审
发明人：瑞塔姆·白纳吉;刘明;刘琦;吕杭炳;孙海涛;张康玮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-05-07 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种非挥发性阻变存储器，包括绝缘衬底、下电极、下石墨烯阻挡层、阻变功能层、上石墨烯阻挡层、上电极，其中，在外加电场的作用下，下和/或上石墨烯阻挡层能够阻止构成上、下电极的金属材料中金属离子/原子扩散进入阻变功能层。依照本发明的非挥发性阻变存储器件及其制造方法，在上下金属电极与阻变功能层之间增加单层或多层石墨烯薄膜作为金属离子/原子阻挡层，这层阻挡层能够阻止阻变器件编程/擦除过程中，金属电极中的金属离子/原子进入到阻变功能层中，从而提高了器件的可靠性。
挥发性存储器件及其制备方法

[发明专利]非挥发性阻变存储器件及其制备方法-CN201510061731.1在审
发明人：刘琦;刘明;孙海涛;张科科;吕杭炳;龙世兵;张康玮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-02-05 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种非挥发性阻变存储器，包括下电极、阻变功能层、上电极，其特征在于：上电极与阻变功能层之间插入金属离子阻挡层，能够阻止器件编程过程中在阻变功能层中形成的金属导电细丝进入上电极。依照本发明的非挥发性阻变存储器件及其制造方法，在惰性电极与固态电解液阻变功能层之间插入金属离子阻挡层，阻止RRAM器件编程过程中，阻变层中形成的金属导电细丝扩散进入惰性电极层，消除器件擦除过程中出现的误编程现象，提高器件的可靠性。
挥发性存储器件及其制备方法

[发明专利]一种制作阻变非挥发性存储器阻变层氧化物薄膜的方法-CN201310361642.X无效
发明人：孙海涛;刘明;龙世兵;吕杭炳;刘琦;刘宇;张康玮;路程;杨洪璋 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作阻变非挥发性存储器阻变层氧化物薄膜的方法，包括:衬底预备;腔体抽真空;通入工作气体与反应气体，调整其流量值;调整工作气压，打开电源，气体电离，开始反应;待系统稳定后，打开挡板，开始淀积;淀积一段时间后，调整反应气体流量，继续反应;结束反应，关闭电源但腔体内持续抽真空，待温度至室温后取出。利用本发明，解决了目前制备多层结构的阻变存储器功能层氧化物薄膜时容易引入不宜的界面态、导致界面污染、流程复杂、薄膜性能不高的一系列问题。
一种制作阻变非挥发性存储器阻变层氧化物薄膜方法

[发明专利]一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法-CN201310224594.X有效
发明人：王永;刘明;霍宗亮;刘璟;张满红;张康玮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种凹槽式的硅纳米晶存储器及其制作方法，该硅纳米晶存储器包括：刻蚀硅衬底表面而形成的凹槽；形成于该凹槽之中的硅纳米晶存储器的主体结构，该主体结构自下而上依次包括隧穿氧化层、硅纳米晶和栅间氧化层；覆盖于该硅衬底的凹槽区域之上的多晶硅栅；以及形成于该凹槽两侧硅衬底之中的源极和漏极。利用本发明，只需要在衬底上先刻蚀一个凹槽，再在凹槽上制作器件，方法简单，而且与传统CMOS工艺完全兼容，器件存储特性好，可靠性高，非常适合大规模生产的广泛应用，可以彻底避免外围器件制作过程中笑脸效应对硅纳米晶的氧化，使得器件的存储特性等到保证。
一种凹槽纳米存储器及其制作方法

[发明专利]一种存储器器件及其阵列-CN201210026089.X无效
发明人：刘明;李颖弢;龙世兵;刘琦;吕杭炳;王明;张康玮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： G11C13/02 文献下载
摘要：本发明涉及微电子技术以及存储器器件技术领域，公开了一种存储器器件及其阵列。该存储器器件由一个肖特基二极管和一个具有双极性电阻转变特性的阻变器件构成，其结构包括：衬底、位于衬底之上的肖特基二极管结构、位于肖特基二极管结构之上的阻变器件结构。本发明提出的存储器制备工艺简单、制造成本低、性能稳定。并且自身能够有效地抑制交叉阵列中的读串扰问题，使得这种存储器有利于交叉阵列结构集成。
一种存储器器件及其阵列

[发明专利]一次编程存储器及其制备方法-CN201110355203.9无效
发明人：刘明;张康玮;龙世兵;谢常青;吕杭炳;刘琦 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： G11C17/10 文献下载
摘要：本发明公开了一次编程存储器及其制备方法。本发明一次编程存储器包括：下电极；上电极；以及包含于上电极和下电极之间的阻变功能薄膜；上电极和阻变功能薄膜之间形成肖特基势垒，阻变功能薄膜和下电极之间形成欧姆接触。本发明利用阻变功能薄膜低阻态时所具有的整流特性能够有效的抑制交叉阵列结构中的读串扰，便于存储器件和外围电路的集成，简化了器件的制备工艺。
一次编程存储器及其制备方法

[发明专利]阻变存储器及降低其形成电压的方法-CN201110230867.2无效
发明人：刘明;李颖弢;龙世兵;刘琦;吕杭炳;王明;张康玮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器及降低其形成(Forming)电压的方法，该阻变存储器包括上电极、下电极，以及形成于该上电极与该下电极之间的阻变存储层，且该阻变存储层由氧化物存储材料构成，当采用溅射或者原子层淀积的工艺生长氧化物存储材料时，通过对提供氧元素的反应源的控制来减少氧化物中氧元素的含量，使氧化物材料中存在大量的氧空位，有利于导电细丝的形成，从而降低阻变存储器第一次由高阻态向低阻态转变时所需要的Forming电压。Forming电压的降低一方面能够进一步降低RRAM器件的功耗，并且降低了RRAM器件外围电路设计的难度。
存储器降低形成电压方法

[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法-CN201110230884.6无效
发明人：刘明;李颖弢;龙世兵;吕杭炳;刘琦;王明;张康玮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，涉及微电子以及存储器技术领域。本发明提出的阻变存储器的结构包括：衬底；形成于衬底之上的下电极；形成于下电极之上的第一功能层薄膜；形成于第一功能层薄膜之上的中间电极；形成于中间电极之上的第二功能层薄膜；以及形成于第二功能层薄膜之上的上电极。本发明提出的阻变存储器本身能够有效地抑制现有技术阻变存储器交叉阵列中的读串扰问题，使得这种新型的阻变存储器有利于交叉阵列结构集成。此外，本发明提出的阻变存储器具有结构简单，易集成的优点，有利于本发明的广泛推广和应用。
一种存储器及其制备方法

[发明专利]阻变存储器及其制造方法-CN201110075379.9有效
发明人：龙世兵;刘明;刘琦;吕杭炳;牛洁斌;王艳花;李颖弢;张森;王艳;连文泰;张康玮;王明;张满红;霍宗亮;谢常青;刘璟;余兆安;李冬梅 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：选通晶体管；下电极，所述下电极同选通晶体管电连接；下电极之上凸起的纳米电极；下电极和纳米电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过凸起的纳米电极增强存储介质层内纳米电极附件的局部电场强度，从而使导电细丝能够沿着该纳米电极形成，这样有效控制了导电细丝形成数量以及导电细丝形成和断开的路径，从而解决了导电细丝随机形成的问题，使器件的编程电压具有集中性，提高了器件工作的稳定性。
存储器及其制造方法

[发明专利]阻变存储器及其制造方法-CN201110068633.2无效
发明人：刘明;张康玮;龙世兵;谢常青;刘琦;吕杭炳 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2011-03-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：下电极；下电极之上的第一阻变功能层，以及第一阻变功能层之上的第二阻变功能层，所述第一阻变功能层和第二阻变功能层具有相反的多数载流子类型；第二阻变功能层之上的上电极。通过具有相反多数载流子类型的第一阻变功能层和第二阻变功能层，在存储器的阻变功能层内形成pn结，由于不用外接整流的二极管或三极管，便可实现阻变和抑制串扰，不会增加存储单元的面积，从而有效提高存储密度，进而提高器件的集成度。
存储器及其制造方法

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