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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]垂直结构功率器件的结构、制造方法及电力电子设备-CN202111679649.7在审
发明人：曾健忠 -专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种垂直结构功率器件的结构、制造方法及电力电子设备，属于半导体技术领域，通过包括P型层、介电层、第一N型区、隔离区、第二N型区、P型区和第三N型区、N型半导体柱、P型半导体柱以及金属层；第一N型区、隔离区以及第二N型区位于于P型层的上表面和介电层的下表面之间且在水平面上依次排列；相互连接的P型区和第三N型区设置于介电层的上表面；N型半导体柱设置于介电层中且连接P型区和第一N型区；P型半导体柱设置于介电层中且连接第二N型区和第三N型区；金属层设置于介电层和第二N型区之间以及P型半导体柱的侧表面；故无需额外绕线连接，简化了工艺且提高了可靠性。
垂直结构功率器件制造方法电力电子设备

[发明专利]金属-绝缘层-金属电容的结构及其制造方法-CN201510951611.9在审
发明人：洪昌贤 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开一种金属-绝缘层-金属(Metal-Insulator-MetalMIM)电容的结构及其制造方法，该MIM电容包括第一电极层、第二电极层以及倒T型介电层堆叠结构。其中倒T型介电层堆叠结构形成于第一电极层与第二电极层之间。上述的倒T型介电层堆叠结构包括垂直部及水平部连接该垂直部，其中另一介电层图案形成于该垂直部与水平部之间，以形成该倒T型介电层堆叠结构。
金属绝缘电容结构及其制造方法

[发明专利]集成电路金属层制程方法-CN200910303143.9无效
发明人：戴维斯 -专利权人：戴维斯
申请日： 2009-06-11 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种集成电路金属层制程方法，其步骤为先取一基板，于该基板一面上涂布感光形介电材料，并以显影方式使感光型介电材料于基板一面上形成多数感光型介电层，且于各感光型介电层之间以非全面性涂布方式填充有导体层，之后再将该导体层加以磨平，使其与各感光型介电层位于同样高度，即可完成集成电路金属层的制作。
集成电路金属层制程方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110259974.8无效
发明人：朱建文;陈永初;吴锡垣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体装置包括第一掺杂区、第二掺杂区、介电结构与栅极结构。第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型并邻近第一掺杂区。介电结构包括互相分开的第一介电部分与第二介电部分。介电结构形成于第一掺杂区上。栅极结构位于第一掺杂区或第二掺杂区邻近第一介电部分的一部分上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]封装基板及其制法-CN201410538401.2在审
发明人：孙铭成;林俊贤;沈子杰;邱士超;白裕呈 -专利权人：矽品精密工业股份有限公司
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种封装基板及其制法，该制法包括：提供具有相对的第一表面与第二表面的第一感光型介电层；于该第一感光型介电层中形成多个贯穿该第一表面与第二表面的导电柱；以及于该第一感光型介电层的第一表面形成电性连接该导电柱的线路层，本发明藉由使用感光型介电层而得以简化制程并降低生产成本。
封装及其制法

[发明专利]双极结型晶体管(BJT)及其形成方法-CN202011067688.7在审
发明人：郭俊聪;卢玠甫 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明的各个实施例针对用于形成双极结型晶体管(BJT)的方法。介电膜沉积在衬底上方，并且包括下介电层、上介电层以及位于下介电层和上介电层之间的中间介电层。第一半导体层沉积在介电膜上方，并且随后图案化以形成暴露介电膜的开口。穿过开口对上介电层实施第一蚀刻，以将开口延伸至中间介电层。此外，第一蚀刻停止在中间介电层上，并且横向底切第一半导体层。本申请的实施例还涉及双极结型晶体管(BJT)。
双极结型晶体管 bjt 及其形成方法

[发明专利]L型边墙的形成方法-CN200710172929.2无效
发明人：顾学强 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2007-12-25 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种于一L型边墙形成工艺中减少基底表面损伤的方法以及相应的L型边墙的形成方法，其利用湿法腐蚀代替传统的干法刻蚀来处理一介电层，从而减少蚀刻过程中对基底表面的损伤。具体如下：L型边墙形成自一淀积于基底的复合介电层，该复合介电层包括一牺牲层、一介电层以及一氧化层，该减少基底表面损伤的方法即用于复合介电层的蚀刻过程，包括以下步骤：在去除部分牺牲层后，保留剩余牺牲层覆盖的介电层，通过湿法腐蚀去除其余部分的介电层。
型边墙形成方法

[发明专利]电路板结构及其制作方法-CN200610146751.X无效
发明人：许诗滨;颜雅仑 -专利权人：全懋精密科技股份有限公司
申请日： 2006-11-22 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：一种电路板结构及其制作方法，主要提供一表面具有至少一第一线路层的基板，并于该基板表面形成一介电层，且于该介电层中形成多个第一及第二型开孔，其中该第二型开孔用以外露出该第一线路层的电性连接垫，接着于该介电层表面及第一及二型开孔中形成一金属层，然后移除该介电层表面的金属层，以于该介电层的第一型开孔中形成第二线路层，并于该第二型开孔中形成电性连接至该第一线路层的导电结构，从而可增强线路与介电层之间的附着力，以及提高电路板细线路制造方法能力。
电路板结构及其制作方法

[发明专利]基于介电弹性体和液体双驱动的光束偏转器-CN202010239262.9有效
发明人：程阳;郝群;曹杰;陈成琳 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G02B26/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种光束偏转，特别涉及一种基于介电弹性体和液体双驱动的光束偏转器，属于光学设计领域。采用介电弹性体和液体作为驱动，在介电弹性体薄膜的内侧布置介电弹性体厚膜；将介电弹性体薄膜固定安装在凹型槽上，实现对凹型槽的封装；液体从输液口注入液体腔室，介电弹性体薄膜的和介电弹性体厚膜将在液体压力的作用下发生变形，实现对光束的初始偏转，再通过给介电弹性体薄膜的柔性电极通电，使得介电弹性体薄膜和介电弹性体厚膜再次发生变形，改变位于介电弹性体厚膜上方的介电弹性体薄膜的倾斜角度，进而使得出射光束再次发生偏转。
基于弹性体液体驱动光束偏转

[发明专利]在半导体条中形成掺杂区-CN201710661042.3有效
发明人：黄士文;林嘉慧;蔡释严;郑凯鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：一种方法包括蚀刻半导体衬底以形成沟槽，半导体衬底的位于沟槽之间的部分是半导体条，以及在半导体条的侧壁上沉积介电剂量膜。介电剂量膜掺杂有n型或p型掺杂剂。用介电材料填充沟槽的剩余部分。对介电材料实施平坦化。介电剂量膜和介电材料的剩余部分形成浅沟槽隔离(STI)区。实施热处理以将介电剂量膜中的掺杂剂扩散到半导体条中。本发明实施例涉及在半导体条中形成掺杂区的方法以及相关半导体器件。
半导体形成掺杂

[发明专利]用于FinFET器件的方法和结构-CN201711112249.1有效
发明人：蔡劲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：该方法包括接收半导体衬底和从半导体衬底延伸的鳍；形成共形地覆盖鳍的多个介电层，该多个介电层包括具有第一类型的净固定电荷的第一带电介电层和具有第二类型的净固定电荷的第二带电介电层，第二类型的电荷与第一类型的电荷相反，第一类型的电荷具有第一表层密度，并且第二类型的电荷具有第二表层密度，第一带电介电层插接在鳍和第二带电介电层之间；图案化多个介电层，从而暴露鳍的第一部分，其中，鳍的第二部分被第一带电介电层的至少部分围绕
用于 finfet 器件方法结构

[发明专利]微型发光二极管、其操作方法与制造方法-CN201510348836.5有效
发明人：张珮瑜 -专利权人：美科米尚技术有限公司
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：该微型发光二极管包含第一型半导体层、第二型半导体层、介电层与电极。第二型半导体层设置于第一型半导体层之上。介电层设置于第二型半导体层上。介电层具有开口，以至少暴露第二型半导体层的多个部分。电极设置于介电层的至少部分上，并分别通过介电层的开口与第二型半导体层的暴露的部分电性连接，其中电极彼此互相独立。因此，本发明中电极的电位可以被独立地控制，以分别产生彼此互相独立的电流。
微型发光二极管操作方法制造方法

[发明专利]一种磁介电树脂组合物、包含其的层压板及其印刷电路板-CN202011431389.7在审
发明人：殷卫峰;霍翠;刘潜发;张江陵;李莎;刘锐 -专利权人：陕西生益科技有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明提供一种磁介电树脂组合物、包含其的层压板及其印刷电路板，所述磁介电树脂组合物包括树脂，尖晶石型磁性填料和平面六角磁性填料；所述尖晶石型磁性填料和平面六角磁性填料的总量占磁介电树脂组合物的重量百分比为通过尖晶石型磁性填料和平面六角磁性填料二者配合，协同作用，能够使得磁介电树脂组合物具有高截止频率、低介电损耗角正切和低磁损耗角正切，满足磁介电基板的性能要求。
一种磁介电树脂组合包含层压板及其印刷电路板

[发明专利]一种混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜-CN201210067006.1有效
发明人：朱红;林爽;匡锡文;王芳辉 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合晶型无机纳米填料/聚合物基复合介电薄膜，该膜以含氟聚合物和混合晶型纳米TiO2混合流延成膜。其中混晶纳米TiO2中两晶型的摩尔组分可以根据反应时间来控制：锐钛矿为36％-45％，金红石为55％-64％；复合介电薄膜质量百分比组成为：混晶纳米TiO2为5％-40％，含氟聚合物为60％-95％。这种复合介电薄膜是具有较高的介电常数，较低的介电损耗的新型介电材料。可以通过控制填料添加比例和填料晶型比例来制备所需介电常数的复合介电薄膜。该复合介电薄膜制备工艺简单、复合温度低且对环境友好，具有广泛的应用前景。
一种混合无机纳米填料聚合物复合薄膜

[发明专利]一种复合介电薄膜的制备方法-CN201210067067.8有效
发明人：朱红;林爽;匡锡文;王芳辉 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合介电薄膜的制备方法，该方法以含氟聚合物和混合晶型纳米TiO2混合流延成膜。其中混晶纳米TiO2中两晶型的摩尔组分可以根据反应时间来控制：锐钛矿为36％-45％，金红石为55％-64％；复合介电薄膜质量百分比组成为：混晶纳米TiO2为5％-40％，含氟聚合物为60％-95％。这种复合介电薄膜是具有较高的介电常数，较低的介电损耗的新型介电材料。可以通过控制填料添加比例和填料晶型比例来制备所需介电常数的复合介电薄膜。该复合介电薄膜制备工艺简单、复合温度低且对环境友好，具有广泛的应用前景。
一种复合薄膜制备方法

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