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[发明专利]发光二极管及其制造方法-CN200510088671.9有效
发明人：温伟值;林艺峰;曾焕哲;潘锡明;简奉任;黄国瑞;宋文洲 -专利权人：璨圆光电股份有限公司
申请日： 2005-08-01 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管及其制造方法，此发光二极管包括基板、第一型掺杂半导体层、发光层、第二型掺杂半导体层、第一介电层、第一导电插塞、第一电极及第二电极。其中，第一型掺杂半导体层是设置于基板上，且发光层及第二型掺杂半导体层是依次设置于部分第一型掺杂半导体层上。第一介电层是设置于未被发光层覆盖的部分第一型掺杂半导体层上，且设置于第一介电层上的第一电极是通过位于第一介电层中的第一导电插塞而电连接于第一型掺杂半导体层。此外，第二电极则是电连接于第二型掺杂半导体层。
发光二极管及其制造方法

[发明专利]双功函数互补金氧半导体晶体管及其制法-CN02129830.0无效
发明人：郑志祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-08-15 - 公布日： 2004-02-18 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种双功函数互补金氧半导体(CMOS)晶体管及其制法，该双功函数互补金氧半导体晶体管包含有：一基底，其上具有不相重叠的N型井区及P型井区；一介电层，设于该基底上的该N型井区及P型井区内；一金属间扩散栅极，设于该N型井区内的该介电层上，其中该金属栅极包含一低功函数下层金属以及一高功函数上层金属通过金属间扩散至该低功函数下层金属及该介电层的界面；以及一单层金属栅极，设于该P型井区内的该介电层上。
函数互补半导体晶体管及其制法

[发明专利]发射极环绕型背触点硅太阳能电池的触点制备-CN200580010122.8无效
发明人： P·哈克;J·M·吉 -专利权人：日出能源公司
申请日： 2005-02-04 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：所述后表面具有穿过至少之一介电层的小的触点面积，所述介电层包括但不限于钝化层、氮化物层、扩散阻挡层和/或金属化阻挡层。优选丝网印刷介电层。大的栅极面积覆盖所述介电层。本方法通过使P－型触点面积最小化以及使在p－型衬底的后表面上的n－型掺杂区域最大化来提高效率。
发射极环绕触点太阳能电池制备

[实用新型]扇出型单裸片封装结构-CN201720729863.1有效
发明人：陈彦亨;林正忠;何志宏 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型提供一种扇出型单裸片封装结构，芯片结构，所述芯片结构包括裸芯片及位于所述裸芯片上、并与所述裸芯片进行电连接的接触焊盘；包围所述芯片结构，同时暴露出所述接触焊盘所在表面的塑封层；位于所述塑封层及芯片结构上表面的第一介电层，所述第一介电层通过第一开口暴露出所述接触焊盘；位于所述第一介电层及接触焊盘上表面的重新布线层，所述重新布线层通过第二开口暴露出所述第一介电层；位于所述重新布线层及第一介电层上表面的第二介电层，所述第二介电层通过第三开口暴露出所述重新布线层通过本实用新型扇出型单裸片封装结构，解决了现有扇出型封装工艺制造成本高的问题。
扇出型单裸片封装结构

[发明专利]一种介电弹性体驱动的刚性折纸式灵巧手指节的驱动模型-CN202110565311.2有效
发明人：张庭;李阳;宁传新;冯凯祥;巩振华;唐庆康 -专利权人：苏州大学
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： B25J9/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电弹性体驱动的刚性折纸式灵巧手指节的驱动模型，建立过程包括建立弯曲型介电弹性体驱动器的弯曲曲率与输入场强的关系式，根据屈曲杆的弹性线方程建立弯曲型介电弹性体驱动器的驱动力与输入场强的关系式，设计基于介电弹性体驱动和刚性折纸的灵巧手指节；根据弯曲型介电弹性体驱动器的弯曲曲率与输入场强的关系式、弯曲型介电弹性体驱动器的驱动力与输入场强的关系式建立灵巧手指节的位置、驱动力和场强之间的驱动模型。本发明建立基于介电弹性体驱动和刚性折纸的灵巧手指节的位置、驱动力和场强之间的驱动模型，可以用于计算灵巧手指节的驱动力和实现灵巧手指节在负载或未负载时精确的位置控制，保证灵巧手指节的运动精度。
一种弹性体驱动刚性折纸灵巧指节模型

[实用新型]一种太阳能电池叠层钝化结构-CN202220128945.1有效
发明人：张学玲;柳伟;陈红;简磊;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：所述太阳能电池叠层钝化结构包括P型硅衬底，以及在所述的P型硅衬底背面从里到外依次设置的第一介电层、第二介电层、第三介电层和第四介电层；所述第三介电层为氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层或碳化硅层中至少两种的组合
一种太阳能电池钝化结构

[实用新型]一种太阳能电池叠层钝化结构-CN202220128952.1有效
发明人：张学玲;柳伟;陈红;简磊;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：所述太阳能电池叠层钝化结构包括P型硅衬底，以及在所述的P型硅衬底背面从里到外依次设置的第一介电层、第二介电层、第三介电层和第四介电层；所述第四介电层为氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层及碳化硅层中至少两种的组合
一种太阳能电池钝化结构

[发明专利]薄型复合电路板-CN201710674757.2有效
发明人：赖文钦;陈秋予 -专利权人：常熟东南相互电子有限公司
申请日： 2017-08-09 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H05K1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄型复合电路板，包括软性电路板，其包括软性介电层和设置在软性介电层上下表面的第一电路层与第二电路层；设置在软性电路板上下表面的第一硬性电路板和第二硬性电路板，第一硬性电路板包括第一硬性介电层和设置在第一硬性介电层上的第三电路层，第一硬性介电层包括间隔设置在软性电路板两端的第一硬性介电部和第二硬性介电部，使得部分第一电路层暴露于外，第三电路层包括设置在第一硬性介电部外表面的第一主电路和设置在第二硬性介电部外表面的第一外接电路，第一电路层外侧的第一硬性介电层中设置有若干第一连接孔，第二电路层外侧的第二硬性介电层中设置有若干第二连接孔，本发明解决了复合电路板无法薄型化的技术问题。
复合电路板

[实用新型]一种太阳能电池叠层钝化结构-CN202120749821.0有效
发明人：张学玲;柳伟;陈红;简磊;陈奕峰 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：所述太阳能电池叠层钝化结构包括P型硅衬底，以及在所述的P型硅衬底背面从里到外依次设置的第一介电层、第二介电层、第三介电层和第四介电层。
一种太阳能电池钝化结构

[发明专利]整合表面黏着型组件的封装结构-CN200910177007.X无效
发明人：胡泉凌;杨成发;林舜天 -专利权人：胡泉凌
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明整合表面黏着型组件的封装结构，将表面黏着型组件(如电子组件、主被动组件、射频模块、集成电路芯片、芯片天线或其它表面黏着型组件的组合)，经由真空热压合技术所进行的整合封装结构，其包含：一介电基板；一设于介电基板上表面的第一表面金属层；一设于介电基板下表面的第二表面金属层；复数个设于介电基板内部的镀通孔道，用以电性连接第一表面金属层及第二表面金属层；一黏着于第一表面金属层表面的电子组件；以及一覆盖于介电基板上表面的封装胶板，用以密封第一表面金属层及其表面黏着的电子组件
整合表面黏着组件封装结构

[发明专利]液晶介质-CN201510082269.3有效
发明人：王明霞;丰景义;徐凯;乔云霞;员国良;张军波 -专利权人：石家庄诚志永华显示材料有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： C09K19/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型的介电正性液晶组合物，其包含介电正性组分A，和第二介电正性组分B，所述组分A包含一种或多种选自通式Ⅰ的介电正性化合物，所述组分B包含一种或多种选自通式Ⅱ的介电正性化合物。本发明得到的液晶组合物性能优异，具有较低的阈值电压、较低的粘度、高的电阻率及电压保持率、较快的响应速度，本发明所述的液晶组合物可用于液晶显示装置，尤其适用于各种快速响应的TFT显示器，如TN型、IPS型、FFS型TFT液晶显示器，具有广阔的市场前景和应用价值。
液晶介质

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201811132992.8有效
发明人：林志威;邱柏豪 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：此装置包括具有高压阱的半导体基板、位于上述半导体基板上的栅极介电层、位于上述栅极介电层上的T型栅极，上述T型栅极具有延伸超出T型栅极的颈部的多个突出结构、设置在上述T型栅极的多个突出结构下方的介电颈部支撑件、设置在上述介电颈部支撑件下方的刻蚀终止部件、设置在上述T型栅极两侧的高压阱中的一对漂移区、以及位于该对漂移区内的一对源极/漏极区。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]一种系统级扇出型封装结构及封装方法-CN202010148148.5在审
发明人：崔成强;杨冠南;徐广东;张昱 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及一种系统级扇出型封装结构，包括均带有凸点的芯片和分立器件、固定层、塑封层、再布线层、介电层以及焊锡球；所述芯片和所述分立器件均通过各自的凸点与所述再布线层连接；所述介电层包括第一介电层以及第二介电层，所述第一介电层设置在所述再布线层上且位于靠近所述芯片和所述分立器件的一侧，所述第二介电层设置在所述再布线层上且位于远离所述第一介电层的一侧；所述焊锡球与所述再布线层连接且位于远离所述第一介电层的一侧。本发明的系统级扇出型封装结构减少了注塑和固化过程中产生的芯片和分立器件的漂移，便于后续再布线工艺的定位及实施，提高系统级封装的良品率。
一种系统级扇出型封装结构方法

[发明专利]钝化发射极背电极硅晶太阳能电池及其制造方法-CN201310728746.X在审
发明人：郑丞良;周益钦;刘珈芸;王品胜;吴邦豪 -专利权人：友晁能源材料股份有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种钝化发射极背电极硅晶太阳能电池及其制造方法，其包括P型硅片、N型掺杂层、正面介电层、正面电极、背面介电层、第一背面电极以及第二背面电极。P型硅片在背面上具有主栅线区域以及除主栅线区域以外的其他区域。背面介电层具有位于主栅线区域的第一开口图案以及位于其他区域的第二开口图案，其中第一开口图案与第二开口图案暴露出P型硅片，且背面介电层的第一开口图案不同于第二开口图案。
钝化发射极电极太阳能电池及其制造方法

[发明专利]带状线馈电缝隙阵列天线及其制造方法-CN201410503977.5在审
发明人：金成珠;申哲民 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01Q1/14 文献下载
摘要：本发明包括：馈电部，包括薄膜型电介体，该薄膜型电介体上形成多个传送线路，用于传达从RF模块施加的能源；下端部，形成于所述薄膜型电介体的下部，使所述多个传送线路电气性地相互隔离；上端部，形成于所述薄膜型电介体的上部
带状线馈电缝隙阵列天线及其制造方法