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[实用新型]一种用于种子光注入的外腔式二极管激光器-CN201420072302.5有效
发明人：陈国仁 -专利权人：大连华扬科技有限公司
申请日： 2014-02-20 - 公布日： 2014-08-06 - 主分类号： H01S5/14 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于种子光注入的外腔式二极管激光器，包括底座、激光二极管、准直透镜、光栅、转折镜、法拉第隔离器，激光二极管安装与底座上，激光二极管发出的光通过准直透镜入射到光栅，光栅的零级衍射通过转折镜后改变方向，通过法拉第隔离器输出。在外腔式二极管激光器中加入法拉第隔离器，有效地将二极管激光器和外界环境有效地隔离，使得外腔式二极管激光器作为种子注入激光器工作时，不受到下游激光器的干扰，避免激光二极管被返回的杂散光损坏；有效地抑制了外界反射光对外腔式二极管激光器的影响，提高了外腔式二极管激光器输出波长的稳定性，延长了激光二极管的使用寿命。
一种用于种子注入外腔式二极管激光器

[实用新型]一种单个激光二极管发出多波长的混光激光器-CN202321124071.3有效
发明人：李妙琴;陈娟;万汉军 -专利权人：深圳市梅曼光电科技有限公司
申请日： 2023-05-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单个激光二极管发出多波长的混光激光器，该混光激光器包括外壳、设于外壳内的电源、与电源电连接的电路板以及与电路板输出端电连接的激光二极管，激光二极管为混光二极管；该混光二极管包括发红光的二极管R、发蓝光的二极管G、发绿光的二极管B其中任意两种二极管的组合；混光二极管内部还封装有合光镜，该合光镜将混光二极管内发不同光波的两个二极管发射出的光线合光射出；混光激光器还包括透镜，透镜安装于外壳内且处于混光二极管的出光方向，该透镜将混光二极管合光后的光线折射射出。由于将传统需要安装2组二极管结构的激光器改进只安装一组混光二极管的激光器，减小了激光器的整体体积。
一种单个激光二极管发出波长激光器

[发明专利]发光系统-CN201210403272.7有效
发明人： P·E·R·扬森斯;B·范登博瑟;G·J·S·范登伯格;W·T·M·多斯泰林克 -专利权人：巴科股份有限公司
申请日： 2012-10-19 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：公开了一种发光系统，包括激光器二极管网格元件，包括‑适于产生相应的多个激光束、并沿相应的基本平坦的表面而被设置的多个激光器二极管；‑用于每一个激光器二极管的准直装置，适于从相应激光束产生基本垂直于各自对应的基本平坦的表面的经准直的光束；其中该激光器二极管包括在标准封装中，该封装包括用作激光器二极管冷却表面的底板、设置在底板上用于保护激光器二极管的金属外壳、以及从激光器二极管延伸通过底板并被用于驱动封装中的激光器二极管的至少两个驱动引脚；且中激光器二极管网格元件包括被设置为与底板相接触的散热器，且每一个激光器二极管的至少两个驱动引脚至少部分地穿过该散热器；以及用在该发光系统中的光学组件。
发光系统

[发明专利]一种激光器芯片、光发射组件、光模块及网络设备-CN201711486328.9在审
发明人：程远兵;余长亮;李书;杨素林;李胜平;程宁 -专利权人：西安华为技术有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本申请提供了一种激光器芯片、光发射组件、光模块及网络设备，该激光器芯片包括：激光器以及监控光电二极管，且激光器及监控光电二极管为单片集成的一体结构，激光器及监控光电二极管的有源层同层设置；激光器与监控光电二极管之间电隔离；其中，激光器包括增益区和至少一个光栅反射区，增益区与各个光栅反射区之间电隔离，至少一个光栅反射区将增益区发射的部分激光透射到监控光电二极管；或者，激光器与监控光电二极管之间设有第二沟槽，并通过第二沟槽电隔离，激光器发射的部分激光透射到监控光电二极管。在上述技术方案中，通过采用激光器与监控光电二极管单片集成，从而降低了整个激光器芯片的成本，并且提高了激光器芯片的输出功率。
监控光电二极管激光器激光器芯片光栅反射电隔离增益区光发射组件单片集成激光透射网络设备光模块激光器发射输出功率同层设置一体结构源层发射申请

[发明专利]同轴激光器转蝶形激光器的匹配方法-CN200810114693.1有效
发明人：邵宁;莫世君 -专利权人：北京北邮国安宽带网络技术有限公司
申请日： 2008-06-06 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：一种同轴激光器转蝶形激光器的匹配方法，将同轴激光器固定在适配电路板上，该适配电路板焊接在蝶形激光器内光发射机电路板的激光器槽位上，适配电路板两侧有多个排针与光发射机电路板连接；同轴激光器中激光二极管的正极接地；同轴激光器中激光二极管的负极通过一滤波电感与连接适配电路板的激光器偏流引脚连接；同轴激光器中背光二极管的正极与适配电路板的背光二极管正极引脚连接；同轴激光器中背光二极管的负极与适配电路板的背光二极管负极引脚连接；同轴激光器中激光二极管的负极通过一电容接地；适配电路板的射频信号引脚与适配电路板的激光二极管负极引脚之间串联一匹配电阻，该匹配电阻的阻值与蝶形激光器内部隔离电阻的阻值相等。
同轴激光器蝶形匹配方法

[发明专利]确定激光二极管故障的激光器装置和方法-CN201980085714.8在审
发明人： P·H·格拉赫;S·魏登费尔德;R·沃尔夫;S·索夫克 -专利权人：通快光电器件有限公司;罗伯特·博世有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种激光器装置，所述激光器装置包括：至少一个激光二极管，其被配置为能够发射辐射，其中，辐射的输出功率取决于激光二极管驱动电流；光电二极管，其被配置为能够接收通过所述至少一个激光二极管发射的辐射，其中，接收的辐射根据接收的辐射的输出功率在光电二极管中诱发光电二极管电流；电路，其被配置为能够：测量针对激光二极管驱动电流的光电二极管电流，根据测量的光电二极管电流，计算作为所述至少一个激光二极管的实际激光器阈值电流的量度的所述至少一个激光二极管的虚拟的激光器阈值电流此外，描述了一种监测激光二极管的输出功率的方法。
确定激光二极管故障激光器装置方法

[发明专利]具有集成监测光电二极管的发光器件发明背景-CN200580020841.8无效
发明人：詹姆斯·冈特 -专利权人：菲尼萨公司
申请日： 2005-06-27 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： H01S3/04 文献下载
摘要：单片形成的激光器和光电二极管。所述单片形成的激光器和光电二极管包括包含第一PN结的垂直腔面发射激光器(VCSEL)。所述第一PN结包括第一p层和第一n层。通过晶片制造工艺，隧道二极管物理地和电地连接到VCSEL。光电二极管连接到隧道二极管。所述光电二极管通过物理的和电的连接而连接到所述隧道二极管。所述隧道二极管和光电二极管可共用某些共同的层。所述隧道二极管包括第二PN结。所述单片形成的激光器和光电二极管允许具有二极管偏置灵活性的集成结构，包括使用单个电源以使所述激光器和光电二极管偏置。
具有集成监测光电二极管发光器件发明背景

[发明专利]激光器腔面钝化-CN200680018185.2无效
发明人： G·沙拉什;J·霍斯泰勒;江钦龙;R·J·门纳;R·拉迪奥诺瓦;R·W·罗弗;H·施吕特 -专利权人：通快光子学公司
申请日： 2006-03-27 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：制备二极管激光器前腔面和后腔面的方法，该方法包括：控制第一反应室内的气氛，使得将氧气含量和水汽含量控制在预定程度之内，并在该第一反应室中控制的气氛内将该二极管激光器从晶片上解理，以在该二极管激光器的前腔面和后腔面上形成具有预定厚度的天然氧化层在解理之后，将该二极管激光器在控制气氛中从第一反应室运送到第二反应室中，部分除去该二极管激光器前腔面和后腔面上的天然氧化层，在该二极管激光器前腔面和后腔面上形成非晶表面层，且钝化该二极管激光器前腔面和后腔面
激光器钝化

[实用新型]一种带有锁环的激光器-CN202221692604.3有效
发明人：华强;颜怀磊;陈熙东 -专利权人：常熟市德晟光电有限公司
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01S3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有锁环的激光器，包括外壳、镜座、激光二极管和激光器锁环；所述外壳呈圆筒状，外壳内部设有前后两个腔室，两个腔室之间设有透光通道；所述镜座设置在外壳前端的腔室内，外壳后端的腔室内设有激光二极管，激光二极管后部设有散热环；所述散热环外部套有激光器锁环；所述激光器锁环卡入外壳后端的腔室。本实用新型一种带有锁环的激光器，通过激光器锁环对激光二极管进行锁定，同时激光二极管后部设有散热环，利于激光二极管的散热。
一种带有激光器

[发明专利]大功率高效率光纤激光器和用于优化其墙插效率的方法-CN201480065956.8有效
发明人：瓦伦丁·盖庞特瑟夫;瓦伦丁·弗明;尤金·谢尔巴科夫;亚历克斯·奥夫契尼可夫;安东·费林;安德雷·阿布拉莫夫 -专利权人： IPG光子公司
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01S3/067 文献下载
摘要：本发明激光器在所述激光器壳体内配置有多个带有尾纤的多模(MM)二极管激光器，其中每个二极管激光器在被保持在20℃‑25℃的室温下接收直流输入电流。二极管激光器均被配置为在优化工作范围内操作于期望波长下操作，在所述优化工作范围内所述二极管激光器在63％到75％之间的WPE范围操作。将在每个二极管激光器中输入的直流电流选择为低于所述二极管激光器的效率曲线上的阈值，在所述阈值之后在二极管激光器的输出功率继续增加时二极管激光器的效率开始降低。激光器还配置有包括有源光纤介质的光纤增益块，其中用累计泵浦输出来对所述有源光纤介质进行泵浦，所述有源光纤介质用于在优化工作范围内发射波长是期望波长并且功率范围在几百瓦至几十千瓦甚至几百千瓦之间的激光输出相应的MM二极管激光器和光纤增益块的优化工作范围相互匹配，以便实现相应效率最大值的叠加，提供高至55％的整体最大系统效率。
大功率高效率光纤激光器用于优化效率方法

[实用新型]一种小型微片激光器封装结构-CN200820229150.X无效
发明人：吴砺;陈卫民;杨建阳;卢秀爱 -专利权人：福州高意通讯有限公司
申请日： 2008-11-24 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及激光器领域，尤其涉及一种小型微片激光器的封装结构。本实用新型的小型微片激光器封装结构，包含激光二极管101与激光器主体机构102。其中，所述的激光器主体机构102的外径稍小于所述的激光二极管101的外径或者与之相等。所述的激光器主体机构102与激光二极管101为凹凸型的间隙配合，激光二极管101与激光器主体机构102还设置有连接层103。所述的连接层103是胶粘结层或者焊接层。或者激光器主体机构102与激光二极管101也可以是为凹凸型的过盈配合而无需连接层。本实用新型可以在建筑、枪瞄等领域现有结构上能够直接取代红光激光二极管直接应用。
一种小型激光器封装结构

[实用新型]激光雷达阵元和激光雷达-CN201721540826.2有效
发明人：文少剑;刘猛;黄海翔;董晓东 -专利权人：深圳市杰普特光电股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本申请涉及一种激光雷达阵元和激光雷达，包括发射激光的VCSEL激光器和接收激光的雪崩光电二极管，VCSEL激光器与雪崩光电二极管平行设置；VCSEL激光器设有激光器发射面，VCSEL激光器通过激光器发射面发射激光，雪崩光电二极管设有激光接收面，雪崩光电二极管通过激光接收面接收激光。上述激光雷达阵元和激光雷达，作为激光发射器的VCSEL激光器与作为激光接收器的雪崩光电二极管平行设置，通过VCSEL激光器与雪崩光电二极管相结合的平行设置方式进行收发探测，充分利用了VCSEL激光器体积小而且可以垂直粘贴的优势
雪崩光电二极管激光雷达平行设置激光阵元激光器发射激光接收激光发射器激光接收器发射端密封性面发射体积小粘贴收发垂直雷达探测发射申请

[发明专利]用于粉末床制作或修复的二极管激光器光纤阵列-CN202011248193.4在审
发明人： M.G.琼斯;W.T.卡特;J.W.西尔斯 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01S3/23 文献下载
摘要：本发明主题是“用于粉末床制作或修复的二极管激光器光纤阵列”。在粉末床中形成构造的方法包含：将多个激光束从二极管激光器光纤阵列的所选光纤发射到粉末床上，阵列的所选光纤对应于构造的层的模式；使对应于构造的层的模式的粉末床中的粉末同时熔融。用于在粉末床中形成构造的设备包含二极管激光器光纤阵列，其包含多个二极管激光器和对应于多个二极管激光器的多个光纤，每个光纤配置成从相应二极管激光器接收激光束并且发射激光束；配置成支承粉末床或组件的支承，配置成在离光纤末端一定距离支承粉末床；控制器，其配置成控制二极管激光器光纤阵列来将多个激光束从二极管激光器光纤阵列的所选光纤发射到粉末床上，阵列的所选光纤对应于构造的层的模式并且使对应于构造的层的模式的粉末床中的粉末同时熔融。
用于粉末制作修复二极管激光器光纤阵列

[发明专利]波长受控的半导体激光器设备-CN200980136299.0有效
发明人： H·M·门希;P·G·格莱赫;M·卡派;A·M·范德利 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2009-09-16 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01S5/026 文献下载
摘要：半导体激光器设备包含具有集成光电二极管的激光二极管，其中具有集成光电二极管的激光二极管的部件其中之一也被用于加热激光二极管。因而获得了一种设计更简单的波长受控的半导体激光器。
波长受控半导体激光器设备

[发明专利]二极管激光器、集成二极管激光器以及集成半导体光放大器-CN200980120976.X有效
发明人：法西利·艾凡诺维奇·夏维金;维克托·阿奇洛维奇·格洛瓦尼;阿列克谢·尼古拉耶维奇·索恩克;尹戈尔·皮特罗维奇·亚雷玛 -专利权人：通用纳米光学有限公司
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明涉及三种类型的激光光源：二极管激光器、集成二极管激光器(以集成连接二极管激光器的形式)以及集成半导体光放大器(以集成连接驱动二极管激光器和半导体放大元件的形式)，其放大器由二极管激光器的新光谐振器和新激光器辐射耦合组成落入上述三种类型的激光辐射源中的二极管激光器的光谐振器中的两个反射器在其两侧上具有最大可能反射系数，绕开活性层，通过具有几乎完全抗反射(小于0.01％)光学面的二极管激光器的本发明改进的异质结构的宽带半导体层本发明使得可以设计高功率、高性能、高速且可靠的三种类型的宽波长带中的单频率、单模和多模高质量激光器辐射源，以简化制造、降低生产成本。
二极管激光器集成以及半导体放大器

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