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[发明专利]多束相干激光发射的二极管源-CN201080032186.9有效
发明人： 法西利·艾凡诺维奇·夏维金;维克托·阿奇洛维奇·格洛瓦尼;阿列克谢·尼古拉耶维奇·索恩克 -专利权人：通用纳米光学有限公司
申请日： 2010-07-07 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：一种多束相干激光二极管源，包括：主激光器，线性放大器以及两个垂直放大器。该主激光器和放大器以单个异质结的形式，包含：有源层，两个限制层以及具有流入层的发射流入区。该异质结的特征在于，异质结的折射率(neff)与流入层的折射率(nIN)的比率。该比率neff∶nIN被确定为从1+δ延伸到1-γ的范围，其中δ和γ由远小于1的数来定义并且γ大于δ。线性放大器被定位为使得来自主激光器的发射传播的光轴与线性放大器的轴一致。每个垂直放大器具有输出边缘并且被定位以便其光轴处于与线性放大器的轴成直角。在放大器轴交叉点处设置一元件，用于将一部分发射从线性放大器流至垂直放大器。该元件包括反射面，该反射面在流入层厚度的20％至80％的范围内与异质结的一部分流入区以及有源层相交，并且与放大器轴形成45°的倾斜角度。根据二极管源的另一实施方式，沿着垂直放大器的有源区设置一输出元件，该输出元件包括以45°角并且在流入层的厚度的30％至80％与包括有源层的异质结层的平面相交。该技术效果是激光发射强度增强，更高的有效性和可靠性，更长的工作寿命，以及改进的调制速度和简化的制造技术。
相干激光发射二极管

[发明专利]二极管激光器、集成二极管激光器以及集成半导体光放大器-CN200980120976.X有效
发明人： 法西利·艾凡诺维奇·夏维金;维克托·阿奇洛维奇·格洛瓦尼;阿列克谢·尼古拉耶维奇·索恩克;尹戈尔·皮特罗维奇·亚雷玛 -专利权人：通用纳米光学有限公司
申请日： 2009-06-03 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本发明涉及三种类型的激光光源：二极管激光器、集成二极管激光器(以集成连接二极管激光器的形式)以及集成半导体光放大器(以集成连接驱动二极管激光器和半导体放大元件的形式)，其放大器由二极管激光器的新光谐振器和新激光器辐射耦合组成。落入上述三种类型的激光辐射源中的二极管激光器的光谐振器中的两个反射器在其两侧上具有最大可能反射系数，绕开活性层，通过具有几乎完全抗反射(小于0.01％)光学面的二极管激光器的本发明改进的异质结构的宽带半导体层，实现活性层的辐射耦合。本发明使得可以设计高功率、高性能、高速且可靠的三种类型的宽波长带中的单频率、单模和多模高质量激光器辐射源，以简化制造、降低生产成本。
二极管激光器集成以及半导体放大器

[发明专利]注入式发射器-CN200680027588.3有效
发明人： 法西利·艾凡诺维奇·夏维金 -专利权人：通用纳米光学有限公司
申请日： 2006-07-07 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：注入式发射器(发光二极管、超辐射发光发射器)以较大波长范围内的高效固态发射源的形式使用以及用于更宽的应用领域，包括使用设置有发光二极管的白光发射器进行普通照明。该发明还涉及超功率高效率且可靠的注入式表面发射激光器，其以多个输出光束的形式生成发射，并且其特征在于用于通过其外表面发射辐射的新颖和高效的方法。
注入发射器

[发明专利]注入式激光器-CN200680027590.0有效
发明人： 法西利·艾凡诺维奇·夏维金 -专利权人：通用纳米光学有限公司
申请日： 2006-07-07 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：注入式激光器用于为用于制造医疗装置、激光产生设备、产生双倍频率辐射的激光器的固态和光纤激光器和放大器充能，并具有用在给定波段中的高效通用的固态放射源的形式，包括用于照明的白光发射器。本发明还涉及超大功率的高效且可靠的注入式表面发射激光器，其以多条输出光束形式辐射，其特征在于，用于通过其外表面发射辐射的新颖且有效的方法。
注入激光器

[发明专利]异质结构、注入式激光器、半导体放大元件及半导体光放大器-CN200580039011.X有效
发明人： 法西利·艾凡诺维奇·夏维金 -专利权人：通用纳米光学有限公司
申请日： 2005-11-15 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：异质结构用于形成半导体注入式发射源、注入式激光器、半导体放大元件、半导体光放大器，其用在光纤通信和数据传输系统、光超高速计算和开关系统、医疗设备的开发、激光工业设备、倍频激光器中，以及用于充能固态和光纤激光器和放大器。提出了异质结构，注入式激光器、半导体放大元件、以及半导体光放大器，其本质特征在于异质结构的有源层和漏入区的改进、以及在形成从有源层泄露的可控发射的瞬态区域中提供注入式激光器、半导体放大元件、以及半导体光放大器的高效功能的异质结构层的位置、组分、折射率和厚度的组合选择。
结构注入激光器半导体放大元件放大器

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