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[发明专利]地铁车站风道临时支撑拆除方法-CN202210323946.6在审
发明人：阳凯;范晓明;王建辉;李红霞;邹丰元;李吉林 -专利权人：中铁十九局集团有限公司;中铁十九局集团第五工程有限公司
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： E21D11/00 文献下载
摘要：本公开涉及隧道施工技术领域，尤其是涉及一种地铁车站风道临时支撑拆除方法。包括以下步骤，拆除CRD法的第二道水平临时支撑，分段进行换撑施工，凿除各段底板填充层、混凝土层后拆除第一段底板填充层顶面下方的竖向临时支撑，施工第一段防水保护层，在第一段防水保护层上设置换撑件，在第一段的换撑件上设置水平临时支撑，割除下一段范围内底板填充层顶面下方竖向临时支撑，施工第二段防水保护层，依照上述换撑方法完成各段的防水及换撑施工，施工填充各段的底板混凝土层、底板填充层，施工中板和侧墙，拆除CRD法第一道水平临时支撑及竖向临时支撑，拱部衬砌，中板下方竖向临时支撑进行拆除，完成节段施工。
地铁车站风道临时支撑拆除方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN202180081462.9在审
发明人：祖父江省吾;小川纱瑛子;池田大助;大河原奎佑 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明公开一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：形成临时固定层叠体的工序，所述临时固定层叠体具备载体及密封结构体，所述密封结构体设置于该载体的主面上且包含多个半导体芯片和密封多个半导体芯片的密封部；及从临时固定层叠体去除所述载体的工序密封部具有覆盖第2面且在临时固定层叠体中与载体相邻的一体型的保护层。保护层为固化的固化性树脂膜。通过对临时固定层叠体照射非相干光使保护层与载体分离，由此从临时固定层叠体去除载体。
制造半导体装置方法

[发明专利]电路板生产方法-CN201580016774.6有效
发明人： G·朗格尔;M·丹梅杰;F·卢特斯考尼格 -专利权人： AT&S奥地利科技与系统技术股份公司
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：用于生产印刷电路板的方法，所生产的电路板具有至少一个空腔用于容纳电子构件，其中空腔的墙壁展示反射性的，尤其是镜面的反射器层，方法的特征在于以下步骤：提供印刷电路板(1)，将临时保护层(7)施加至该印刷电路板(1)的表面的至少一部分，在空腔(9)的区域中穿透保护层(7)以创建空腔(9)，施加反射器层(11)，移除临时保护层(7)。
电路板生产方法

[发明专利]一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法-CN201710018987.3有效
发明人：汪青;刘丹丹;张国义;梁文林 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层得到蓝宝石基GaN复合衬底；在蓝宝石基GaN复合衬底上的GaN外延层表面制备隔离保护层，使用粘接剂将隔离保护层连接到临时转移衬底上，去除原蓝宝石衬底；在GaN外延层和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层，然后通过该键合介质层将GaN外延层和导热导电转移衬底进行键合，实现GaN外延层表面与导热导电转移衬底的键合；键合过程中临时转移衬底脱落，保留或者去除隔离保护层，从而得到相应的GaN基复合衬底。本发明通过设置隔离保护层，避免了工艺过程中GaN外延层的表面损伤，提高良品率和同质外延质量。
一种用于 gan 生长具有隔离保护层复合衬底制备方法

[发明专利]氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件-CN202310349131.X在审
发明人：吕元杰;王元刚;周国;刘方罡;戴剑;周幸叶;王磊;宋学峰;崔玉兴;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：该方法包括：在氮化镓外延片的正面生长保护层；在保护层的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活第一离子；在保护层的正面的第二预设区域进行第二离子注入，第二预设区域与第一预设区域不重合；在保护层的正面键合临时载片，去除氮化镓外延片底部的衬底以及形核层；在氮化镓外延层的背面键合金刚石，并去除临时载片，露出保护层的正面；在保护层的正面的第一预设区域上制备欧姆接触电极，并制备栅电极。
氮化开关器件功率放大器制备方法对应

[实用新型]桥墩结构-CN202021814638.6有效
发明人：陈金盛;邱嘉鹏;张舒宁;李华;郑庆平 -专利权人：福建省交通规划设计院有限公司
申请日： 2020-08-26 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： E01D19/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种桥墩结构，桥墩结构包括保护层及核心柱，保护层内部中空，采用UHPC材质，核心柱采用混凝土材质，浇筑成型于保护层内部。本实用新型中，保护层采用UHPC材质，核心柱采用混凝土材质，混凝土成型后与保护层组合形成复合截面，保护层的厚度小，抗渗性及抗裂性高，显著提高了桥墩的耐腐蚀性能；另外，采用保护层与核心柱组合的方式，保护层为核心柱的浇筑提供永久模板，施工时不需现场搭设临时模板，加工成本低，节约施工工时，并提高了施工的安全性。
桥墩结构

[发明专利]一种棱镜型可喷绘反光膜-CN201410374248.4无效
发明人：金国华;黄强;杨乐;施燕;陈胜利;周明;许修安;韩州;叶建明;朱霆 -专利权人：苏州袭麟光电科技产业有限公司
申请日： 2014-08-01 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： G02B5/124 文献下载
摘要：本发明公开了一种棱镜型可喷绘反光膜，从上到下依次包括保护层、喷绘吸墨层、亚克力面层、棱镜反射层，粘结层和压敏胶层，其中，所述保护层采用水性丙烯酸树脂，在保证环保低成本的前提下，提高了保护层的耐水性能。此外，在保护层下设有喷绘吸墨层，因此可以对该棱镜反光膜上的图案进行临时喷绘修改，给工程施工带来便利。
一种棱镜喷绘反光

[发明专利]临时键合方法-CN202011383304.2在审
发明人：张卫;刘子玉;陈琳;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本公开涉及一种临时键合方法，属于半导体技术领域，能够节省材料成本，降低解键合时间，而且不存在热应力。一种临时键合方法，包括：在制备了正面器件层的衬底的正面上形成保护层；利用再布线的方式在所述保护层上形成嵌套结构的凸起结构；在用于临时键合的载板上形成所述嵌套结构的凹槽结构；以及将所述凹槽结构与所述凸起结构进行嵌套互锁
临时方法

[实用新型]一种选择性转移半导体器件的基板-CN201822238494.3有效
发明人：陈亮;马非凡;王江波 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：所述基板包括临时基板、多个粘结块、多个半导体器件和保护层；所述多个粘结块间隔设置在所述临时基板上，所述多个半导体器件与所述多个粘结块一一对应，各个所述半导体器件通过对应的所述粘结块与所述临时基板固定连接；所述保护层铺设在各个所述半导体器件和对应的所述粘结块上，所述多个半导体器件包括第一半导体器件和第二半导体器件，所述第一半导体器件对应的粘结块上保护层的铺设面积小于所述第二半导体器件对应的粘结块上保护层的铺设面积
半导体器件粘结块临时基板选择性转移上保护层保护层铺设基板半导体技术领域本实用新型间隔设置

[发明专利]一种极薄煤层钻采卸压增透方法-CN201710055731.X有效
发明人：袁永;陈忠顺;伏映鹏;魏宏民;刘志恒;刘汉祥;张新旺 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： E21C41/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种极薄煤层钻采卸压增透方法，包括以下步骤：确定极薄保护层钻采的层位与厚度，确定钻采宽度、间隔煤柱宽度和临时宽煤柱间距等钻采参数。按照钻采宽度间隔留设间隔煤柱，直至达到相邻临时宽煤柱间距L，再留设临时宽煤柱，然后继续钻采，直至达到下个相邻临时宽煤柱间距L。折返钻采回采采空区之前留设的临时宽煤柱，临时宽煤柱回采后发生破坏，上层岩层沉降，压力释放。如此循环，钻采工作面不断向前推进，直到整个工作面开采完毕。本发明工作面布置简单、设备少、便于实现自动化；避免了近距离保护层或临近承压水保护层等特殊条件下瓦斯突出或突水事故的发生；保障了工作的安全性。
一种煤层钻采卸压增透方法

[发明专利]覆盖有静电薄膜的眼科镜片以及对该镜片进行修边的方法-CN200480030880.1有效
发明人： P·拉康;D·孔特 -专利权人：埃西勒国际通用光学公司
申请日： 2004-09-24 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： G02C7/00 文献下载
摘要：本发明的光学镜片具有临时性保护层，该临时性保护层包括至少一个可通过摩擦或接触以机械的方式改变的外层，并且该外层覆盖有通过静电粘附到其上的可剥离薄膜。本发明适用于眼科镜片。
覆盖静电薄膜眼科镜片以及进行方法

[发明专利]一种用于飞机转场飞行途中的机体表面临时保护方法-CN201310629739.4无效
发明人：段正才;马利民;黄智勇;王云利;刘博;欧文;王君;尹群;韩敏;郭绍华;杨立东;刘爱民;胡清;赵清清;王文全 -专利权人：陕西飞机工业(集团)有限公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： B64F5/00 文献下载
摘要：发明属于航空材料应用技术领域，特别是涉及到一种用于飞机转场飞行途中的机体表面临时保护方法。包括机体遮盖保护、清洗、干燥、喷涂、剥离保护等步骤。本发明满足了飞机在转场交付用户飞行途中的机体表面临时保护要求，提供了一种保护涂料的施工工艺及剥离工艺。在转场到达目的地后去除临时保护层，机体表面可达到出厂时的崭新效果，满足用户对外观要求。经过本发明处理，转场后去除保护层，满足用户对外观要求，提高用户满意度。
一种用于飞机转场飞行途中机体表面临时保护方法

[发明专利]一种LED芯片及其制备方法-CN202310462453.5在审
发明人：周志兵;张星星;林潇雄;胡加辉;金从龙 -专利权人：江西兆驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供一种LED芯片及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：提供一衬底；在衬底上制备外延发光结构；在ITO电流扩展层上制备临时保护层，在临时保护层上刻蚀形成制备槽；对临时保护层的一侧进行氢离子吹扫作业，使露出部分的ITO电流扩展层表面的氧原子与氢离子结合，以在制备槽处形成高电阻层。通过使氢离子与制备槽中ITO电流扩展层表面的氧原子结合，可以使ITO表面的电阻增大，甚至失效，以形成高电阻层，间接减薄ITO厚度，降低电流横向扩展的电阻，电极扩展层位于高电阻层内侧，以使得电流扩展每隔一段距离拥有电流的加速效果
一种 led 芯片及其制备方法

[发明专利]在金属镶嵌件与塑胶材料接触面中设置保护层的方法-CN200910055667.0无效
发明人：刘长海;张尧弟 -专利权人：上海龙胜实业有限公司
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： F16L47/00 文献下载
摘要：一种在金属镶嵌件与塑胶材料接触面中设置保护层的方法，包括一个利用化学或电化学方法在金属镶嵌件的局部表面设置保护层的过程，在利用化学或电化学方法在金属镶嵌件的局部表面设置保护层的过程中，在表面处理前局部表面覆盖临时保护层、或在表面处理后局部表面去除保护层，完成金属表面局部覆盖保护层，采用本发明的方法处理后的金属镶嵌件既不至于影响到塑胶材料的品质，又能比较直观地看到镶嵌件的基材本色。
金属镶嵌塑胶材料接触面设置保护层方法

[发明专利]具有功能性涂层和临时保护层的基材-CN201480044020.7有效
发明人： N.纳道;S.莫伦斯;V.拉谢 -专利权人：法国圣戈班玻璃厂
申请日： 2014-08-05 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： C03C17/32 文献下载
摘要：本发明涉及包含两个定义由边缘分开的两个主表面的主面的基材，所述基材携带在一个主表面的至少一部分上沉积的功能性涂层，和在该功能性涂层的至少一部分上沉积的临时保护层。该临时保护层通过干燥，通过IR硬化，通过UV照射或者通过电子束进行硬化。所述临时保护层是从包含(甲基)丙烯酸酯化合物的液体组合物获得，该(甲基)丙烯酸酯化合物选自包含至少一个(甲基)丙烯酸酯官能团的单体、低聚物、预聚物或者聚合物。
具有功能涂层临时保护层基材