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[发明专利]非易失性存储器件、包括其的存储器系统及其操作方法-CN201710229623.X有效
发明人：姜相喆;权锡千;李秀雄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件，包括：非易失性存储器单元阵列，包括多个字线；电压产生器，配置为使用电源电压产生第一高电压以及使用高于电源电压的外部电压产生第二高电压；和字线选择电路。所述字线选择电路被配置为在存储器单元阵列的编程操作期间将第一高电压施加到多个字线中所选择的字线，以及将第二高电压施加到多个字线中未选择的字线。
非易失性存储器包括存储器系统及其操作方法

[发明专利]用于待机操作的低功率管理器-CN200480014955.7有效
发明人：戴维·汉森;格里高利·弗雷德曼;约翰·格尔兹;霍克·金;保罗·帕里斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-05-19 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：存储器系统包括：存储器阵列；多个字线驱动器；行地址解码器块，具有多个连接到字线驱动器中选择的字线驱动器的输出；行选择器块，具有连接到字线驱动器中的各字线驱动器的选择器线。具有功率降低输入信号(WLPWRDN)的功率降低输入端和字线功率降低输出端(WLPDN)的功率管理电路连接到字线驱动器，以通过功率降低输入信号，降低其功率消耗。
用于待机操作功率管理器

[发明专利]设置RRAM电阻的上限-CN202280009258.0在审
发明人：金永硕;徐顺天;李忠贤;王仁祚;A·雷兹尼塞克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：一种电子电路包括：多条字线；多条位线，在多个网格点处与所述多条字线相交；以及多个电阻式随机存取存储器单元，位于多个网格点处。电阻式随机存取存储器单元中的每一个包括：顶部金属(702)，耦合到以下中的一项：字线中的对应的一条字线和位线中的对应的一条位线；底部金属(704)，耦合到以下中的另一项：字线中的对应的一条字线和位线中的对应的一条位线
设置 rram 电阻上限

[发明专利]具有基于行的读和/或写辅助电路的存储单元-CN201110218306.0有效
发明人：什里坎斯·桑皮格塔亚;巴拉斯·尤普特里 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-08-01 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：一种电路，包括：行中的多个存储单元、至少一条写字线、以及连接到至少一条写字线和行中的多个存储单元的写辅助电路。写辅助电路包括第一电流通路和至少一条第二电流通路。至少一条第二电流通路的电流通路对应于至少一条写字线中的对应写字线。至少一条写字线中的写字线配置为，当行中的多个存储单元运行在第一模式时，选择第一电流通路，并且配置为，当行中的多个存储单元运行在第二模式时，选择至少一条第二电流通路中的第二电流通路。
具有基于辅助电路存储单元

[发明专利]闪存中的字线译码结构-CN01814914.6有效
发明人：赤荻隆男;A·爱利－塞马;尤·金;L·克利兰;金连·林;肯卓·古颜;B·T·郑 -专利权人：先进微装置公司;富士通株式会社
申请日： 2001-07-31 - 公布日： 2003-10-15 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：本文说明了一种含有字线译码与选择结构的闪存(100)。第3译码电路(226、228)耦合到第2局部驱动电路(214、216)，并提供第2升压电压到第2选定字线。
闪存中的译码结构

[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN202110522769.X在审
发明人：魏宏谕 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：动态随机存取存储器，包括：衬底；隔离结构位于衬底中，隔离结构定义出多个有源区域；埋入式字线结构，位于衬底的字线沟渠中，字线沟渠穿过多个有源区域和隔离结构，埋入式字线结构包括：栅极导体层，位于字线沟渠中；第一栅介电层，位于字线沟渠的侧壁与底面；以及第二栅介电层，位于第一栅介电层与栅极导体层之间，且第二栅介电层的顶面低于栅极导体层的顶面。
动态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]用于SRAM单元的装置-CN201210244358.X有效
发明人：廖忠志 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-07-13 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： G11C5/12 文献下载
摘要：其中，一种存储单元，包括第一字线，形成在第一互连层中；第一VSS线、第一位线、电源线、第二位线和第二VSS线，形成在第二互连层中；第二字线，形成在第三互连层中。存储单元进一步包括字线跨接结构，形成在电源线和第二位线之间，其中，字线跨接结构连接第一字线和第二字线。
用于 sram 单元装置

[发明专利]三维相变存储器器件及其形成方法-CN202180001588.0有效
发明人：刘峻 -专利权人：长江先进存储产业创新中心有限责任公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种三维(3D)存储器器件包括：多条位线，多条位线横向延伸；公共板，公共板横向延伸；多条字线，多条字线横向延伸并且设置在多条位线与公共板之间；以及多个存储器单元，每个存储器单元设置在多条位线中的一条相应的位线与多条字线中的一条相应的字线的相交处多个存储器单元中的每一个包括：PCM结构，PCM结构位于相应的字线与公共板之间；以及选择器，选择器垂直延伸穿过相应的字线并且设置在PCM结构与相应的位线之间。
三维相变存储器器件及其形成方法

[发明专利]虚设字线跟踪电路-CN201811226443.7在审
发明人：拉雷特·古普塔;吉滕达拉·达萨尼;维韦克·诺蒂亚;法赫尔丁·阿里·博赫拉 -专利权人： ARM有限公司
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G11C7/18 文献下载
摘要：集成电路可以包括虚设字线电路，所述虚设字线电路具有经由虚设字线耦合到多个虚设字线负载的虚设字线驱动器。集成电路可以包括多路分配器电路，所述多路分配器电路耦合到虚设字线驱动器与多个虚设字线负载之间的虚设字线的第一路径。集成电路可以包括多路复用器电路，所述多路复用器电路耦合到多个虚设字线负载与虚设位线负载之间的虚设字线的第二路径。可以用一个或多个选择信号控制多路分配器电路和多路复用器电路以选择多个虚设字线负载中的至少一个。
虚设字线多路复用器电路多路分配器集成电路电路驱动器耦合到电路耦合跟踪电路位线负载选择信号虚设

[发明专利]一种NOR flash存储器中存储单元修复的方法和装置-CN201910357590.6在审
发明人：刘言言;许梦;付永庆 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2019-04-29 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G11C29/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种NOR flash存储器中存储单元修复的方法和装置，所述方法包括：访问存储单元，对比访问存储单元的字线地址与故障存储单元的字线地址，以及，获取故障存储单元字线的修复使能位，若访问存储单元的字线地址与故障存储单元的字线地址匹配，并且故障存储单元字线的修复使能位为1，通过字线选择器，从冗余字线替换存储单元中选择对应于故障存储单元的字线地址的冗余字线存储单元替换故障存储单元。本发明NOR flash存储器，实现了对存储单元字线方向上的替换修复，提升了对存储单元修复的效果，从而提高了NOR flash存储器出厂时的良率。
一种 nor flash 存储器存储单元修复方法装置

[发明专利]埋入式字线结构及其制备方法、动态随机存储器-CN202011151832.5在审
发明人：陆勇;沈宏坤;吴公一 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种埋入式字线结构及其制备方法、动态随机存储器。该埋入式字线结构包括：半导体基底、字线沟槽和字线结构。其中，半导体基底设有有源区和浅沟槽，所述浅沟槽将所述有源区隔离。字线沟槽沿第一方向穿过所述有源区。字线结构设于所述字线沟槽中。所述字线结构包括：高介电常数介电层，覆盖于所述字线沟槽的内表面上；多晶硅层，覆盖于所述高介电常数介电层上；功函数层，覆盖于所述多晶硅层上；字线金属层，填充于所述功函数层的远离所述多晶硅层的一侧。本发明的埋入式字线结构可以有效地减少栅极诱导漏电，并显著降低功耗。
埋入式字线结构及其制备方法动态随机存储器

[发明专利]三维存储器及其控制方法-CN202211236030.3在审
发明人：宋雅丽;赵向南;闵园园;崔莹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器的控制方法，三维存储器包括多个存储串和多条字线，每个存储串包括自上而下依次串联的多个存储单元，每条字线与每个存储串中位于相同高度的存储单元相连，方法包括：确定进行编程验证操作的选定字线；以及在编程验证操作时对位于选定字线一侧的第一字线区域施加第一导通电压，且对位于选定字线另一侧的第二字线区域施加第二导通电压；其中，与第一字线区域中的字线相连的存储单元为已编程的状态，与第二字线区域中的字线相连的存储单元为未编程的状态
三维存储器及其控制方法

[发明专利]三维存储器及其控制方法-CN202110118819.8有效
发明人：宋雅丽;赵向南;闵园园;崔莹 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器的控制方法，三维存储器包括多个存储串和多条字线，每个存储串包括自上而下依次串联的多个存储单元，每条字线与每个存储串中位于相同高度的存储单元相连，方法包括：确定进行编程验证操作的选定字线；以及在编程验证操作时对位于选定字线一侧的第一字线区域施加第一导通电压，且对位于选定字线另一侧的第二字线区域施加第二导通电压；其中，与第一字线区域中的字线相连的存储单元为已编程的状态，与第二字线区域中的字线相连的存储单元为未编程的状态
三维存储器及其控制方法

[发明专利]平面单元存储元件的硅化物膜制造方法-CN02154746.7无效
发明人：韩昌勋 -专利权人：东部电子株式会社
申请日： 2002-09-05 - 公布日： 2003-06-11 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：平面单元阵列区硅基片中形成字线和位扩散层、外围电路区硅基片中形成字线和源/漏结,仅除外围电路区之外平面单元阵列区字线间填平间隙填充(Gapfill)绝缘膜,在整个基片形成绝缘膜,干法蚀刻绝缘膜直至露出字线表面和外围电路区基片表面,在外围电路区字线侧壁形成衬垫,平面单元阵列区字线上部形成硅化物膜同时,外围电路区字线上部及基片表面形成硅化物膜。在整个基片形成字线,采用硅化物防护膜保护平面单元阵列区中除字线之外激活区同时,使全部字线上部和外围电路区激活区露出,进行硅化物工序,可降低字线布线电阻,还可降低外围电路区的源/漏接触电阻,提高高集成度平面单元元件速度
平面单元存储元件硅化物膜制造方法

[发明专利]用于在非易失性存储器阵列中管理峰值电力需求和噪声的系统和方法-CN201980021261.2在审
发明人： V·蒂瓦里;H·V·特兰;N·多;M·雷顿 -专利权人：硅存储技术股份有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2020-11-10 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种存储器设备，该存储器设备包括：存储器单元的行和列；各自连接到存储器单元行的字线；各自连接到存储器单元列的位线；连接到字线的字线驱动器；连接到位线的位线驱动器；字线开关，字线开关各自设置在所述字线中的一条上以用于将一个存储器单元行选择性地连接到字线驱动器；以及位线开关，位线开关各自设置在位线中的一条上以用于将一个存储器单元列选择性地连接到位线驱动器。控制器控制字线开关以在第一时间点将存储器单元的行中的仅一些连接到字线驱动器，并且控制位线开关以在第二时间点将存储器单元的列中的仅一些连接到位线驱动器。
用于非易失性存储器阵列管理峰值电力需求噪声系统方法