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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]宽字线三维存储器-CN200810184957.0无效
发明人：张国飙 -专利权人：张国飙
申请日： 2005-11-14 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：在基于二极管的宽字线三维存储器中，字线线宽最好大于位线线宽。这是因为：1)二极管存储器的成品率对字线缺陷较为敏感(位线缺陷较易纠正)；2)在读过程中，字线需要给多根位线提供电流，其方块电阻最好具有较小值。
宽字线三维存储器

[发明专利]用于控制字线放电的设备及方法-CN202010558836.9在审
发明人：佐藤敏行;宫武伸一 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本发明描述用于控制字线的放电的设备及方法。放电速率及/或放电到的电压电平可受控制。在一些实施例中，主字线可驱动到多个低电位以控制子字线的放电。在一些实施例中，第一字驱动器线路信号及/或第二字驱动器线路信号可经复位以控制子字线的放电。在一些实施例中，驱动所述主字线及所述第一字驱动器线路信号及/或所述第二字驱动器线路信号复位的组合可用于控制所述子字线的放电。
用于控制放电设备方法

[发明专利]用于控制字线放电的设备和方法-CN202010582224.3在审
发明人：佐藤敏行;宫武伸一;山中智志 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：描述了用于控制字线的放电的设备和方法。可以控制放电速率和/或所放电到的电压电平。在一些实施例中，可以将主字线驱动到多个低电势以控制子字线的放电。在一些实施例中，第一字驱动器线信号和/或第二字驱动器线信号可以被复位以控制子字线的放电。在一些实施例中，可以使用驱动所述主字线和所述第一字驱动器线信号和/或所述第二字驱动器线信号复位的组合来控制所述子字线的放电。
用于控制放电设备方法

[发明专利]用于控制字线放电的设备和方法-CN202010586226.X在审
发明人：佐藤敏行 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：描述了用于控制字线放电的设备和方法。可以控制放电速率和/或所放电到的电压电平。在一些实施例中，可以将主字线驱动到多个低电势以控制子字线的放电。在一些实施例中，第一字驱动器线信号和/或第二字驱动器线信号可以被复位以控制子字线的放电。在一些实施例中，可以使用驱动所述主字线和所述第一字驱动器线信号和/或所述第二字驱动器线信号复位的组合来控制所述子字线的放电。
用于控制放电设备方法

[发明专利]包含铁电存储器及用于访问铁电存储器的设备及方法-CN201910073020.4在审
发明人：永田亨一 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：实例设备包含：字线；第一存储器单元，其耦合到第一数字线，并且响应于处于活跃状态的所述字线而将第一数据存储在所述第一数据线上；第二存储器单元，其耦合到第二数字线，并且响应于处于所述活跃状态的所述字线而将第二数据存储在所述第二数字线上在刷新操作中，所述第一数字线耦合到第一电力电势，且所述第二数字线耦合到第二电力电势。
数字线铁电存储器耦合到字线第一数据活跃状态电势存储器单元第二存储器实例设备数据存储刷新操作响应存储访问

[发明专利]半导体存储器件及其擦除方法-CN201410156317.4有效
发明人：兪登觉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施例的半导体存储器件可以包括：存储器单元阵列，具有多个存储器单元；传输晶体管组，具有耦接在全局字线与局部字线之间的正常传输晶体管，局部字线与多个存储器单元耦接；以及地址解码器，与全局字线和块字线耦接正常传输晶体管的栅极共同耦接至块字线，其中，当擦除电压被提供至多个存储器单元的沟道时，地址解码器使通过从块字线的电压中减去全局字线的电压所获得的电压逐步地增大。
耦接存储器单元全局字线字线半导体存储器件地址解码器局部字线正常传输晶体管存储器单元阵列传输晶体管擦除电压减去擦除沟道

[发明专利]半导体存储器件及其擦除方法-CN201811187885.5有效
发明人：兪登觉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2014-04-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G11C8/08 文献下载
摘要：根据本发明的一个实施例的半导体存储器件可以包括：存储器单元阵列，具有多个存储器单元；传输晶体管组，具有耦接在全局字线与局部字线之间的正常传输晶体管，局部字线与多个存储器单元耦接；以及地址解码器，与全局字线和块字线耦接正常传输晶体管的栅极共同耦接至块字线，其中，当擦除电压被提供至多个存储器单元的沟道时，地址解码器使通过从块字线的电压中减去全局字线的电压所获得的电压逐步地增大。
半导体存储器件及其擦除方法

[发明专利]具有多堆叠存储块的非易失性存储器件及其操作方法-CN202211283578.3在审
发明人：柳载德;李耀翰;崔容赫;赵志虎 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种具有多堆叠存储块的非易失性存储器件包括：存储单元阵列，被划分为沿着竖直方向设置的多个存储器堆叠；以及控制电路，被配置为执行多个存储器堆叠的沟道电压均衡操作，其中，堆叠间部分位于多个存储器堆叠之间，并且沟道孔穿过多个存储器堆叠中的每一个的字线控制电路将多个存储器堆叠中的每一个的字线中的与堆叠间部分相邻的一些字线确定为堆叠间字线，并且根据堆叠间字线的沟道孔的尺寸不同地控制用于向堆叠间字线施加通过电压的设置时间点或用于向堆叠间字线施加地电压的恢复时间点
具有堆叠存储非易失性存储器及其操作方法

[发明专利]反向偏置字线开关晶体管-CN201280052782.2无效
发明人：外山文昭;东谷政昭 -专利权人：桑迪士克技术有限公司
申请日： 2012-10-23 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：公开了反向偏置字线开关晶体管。一种实施方式包括位于衬底的阱中的字线开关晶体管。具有非易失性存储设备的存储器阵列可以位于衬底中的隔开的阱中。字线开关晶体管的阱可以与非易失性存储设备的阱分开偏置。在对非易失性存储设备进行编程时，可以向字线开关晶体管的阱施加负电压。这可以降低需要施加到WL开关晶体管的栅极以将编程电压传递到已选择字线的电压。因此，可以使电荷泵较小，因为其需要产生的最大电压较小。在读取操作期间可以将字线开关晶体管反向偏置以将负读取比较电压传送到已选择字线。
反向偏置开关晶体管

[发明专利]半导体存储器件-CN201510451455.X有效
发明人：李星烨;池性洙 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： G11C11/406 文献下载
摘要：存储体包括多个字线。刷新操作控制单元适用于响应智能刷新命令而对多个字线中的目标字线的第一相邻字线组执行第一刷新操作，并在第一刷新操作之后对目标字线的第二相邻字线组执行第二刷新操作。
半导体存储器件

[发明专利]一种读操作的放电方法和放电装置-CN201710272646.9有效
发明人：苏志强;刘会娟;程莹;谢瑞杰 -专利权人：北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司
申请日： 2017-04-24 - 公布日： 2017-10-17 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种读操作的放电方法和放电装置，应用于NAND FLASH，方法包括以下步骤：接收选中字线对应的读操作结束信号；将选中字线、预设数量的非选中字线进行电荷共享；将选中字线所在页中全部字线进行放电本发明实施例可以减少或消除现有技术的读操作放电方式对选中字线造成弱擦除的问题，提高读操作的准确性和NAND FLASH的数据保存时间。
一种操作放电方法装置

[发明专利]在存储器装置读取操作期间向字线选择性地施加负电压的系统和方法-CN200980101910.6有效
发明人：杨赛森;钟成;朴东奎;穆罕默德·H·阿布-拉赫马 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明揭示在存储器装置读取操作期间向字线选择性地施加负电压的系统和方法。在实施例中，存储器装置(100)包括字线逻辑电路(110)，所述字线逻辑电路(110)耦合到多个字线(108)且适合于选择性地向耦合到选定存储器单元的选定字线施加正电压(V)且向非选定字线施加负电压(NV
存储器装置读取操作期间选择性施加电压系统方法

[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN202111170494.4在审
发明人：施江林;林育廷 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：提供了一种DRAM，其包括硅基板、埋藏字线及主动区。硅基板具有载体表面。埋藏字线埋藏在硅基板中。主动区位于载体表面上。埋藏字线与主动区相交。每一埋藏字线在主动区中的一者中具有第一宽度，且在主动区外具有第二宽度，并且第一宽度大于第二宽度。亦提供了一种DRAM的制造方法。借由DRAM的上述配置，可减少字线干扰及单一单元故障，并且可提高DRAM的密度。
动态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]埋入式字线动态随机存取存储器及其制造方法-CN201310138207.0有效
发明人：蔡泓祥;郑璨耀 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明公开了一种埋入式字线动态随机存取存储器及其制造方法。所述埋入式字线动态随机存取存储器包括基板、至少一个埋入式字线结构、第一掺杂区以及第二掺杂区。埋入式字线结构是配置在基板中。第一掺杂区是邻接埋入式字线结构配置在基板中。第二掺杂区是配置在第一掺杂区上方的基板中，其中第一掺杂区的掺杂浓度低于第二掺杂区的掺杂浓度。
埋入式字线动态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]非易失性存储器的擦除-CN201380069234.5有效
发明人：大和田宪;迪潘舒·杜塔 -专利权人：桑迪士克技术有限公司
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：选择线可以浮置并且字线中的许多字线可以保持在低电压(例如，接近0V)。然而，对于擦除电压的序列的至少一部分，施加至边缘字线的电压可以相对于施加至边缘字线的先前电压在幅值上增加。边缘字线可以是与选择线紧邻的字线。施加至边缘字线的增加的电压可以防止或减少损害选择线与边缘字线之间的氧化层。该技术也可以帮助调节在边缘字线上的存储器单元的隧道氧化层两端的电场。
非易失性存储器擦除

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