[其他]晶片的生产方法无效
| 申请号： | 86107119 | 申请日： | 1986-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN86107119A | 公开（公告）日： | 1987-04-29 |
| 发明（设计）人： | 斋藤留一 | 申请（专利权）人： | 三菱金属株式会社;日本硅株式会社 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;B28D5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 杨松坚 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制造晶片的方法，其中包括提供拉伸料棒；将拉伸料棒一个端面加工成第一平坦面；用切片机将料棒从一端沿横向切割成预定厚度的薄片，薄片正反两面分别称为第一平坦面和经过切割所形成的切割面；再以第一平坦面作为基准面，将薄片的切割面加工成第二平坦面，从而制得晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 生产 方法 | ||
【主权项】：
1、制造晶片的一种方法，其中包括：(a)提供拉伸料棒；(b)将所述料棒的一个端面加工成第一平坦面；(c)用切片机将所述料棒从一端沿横向切割成预定厚度的薄片，薄片正反两面分别称为所述第一平坦面和经过所述切割所形成的切割面；(d)以所述第一平坦面作为基准面，将所述薄片的切割面加工成第二平坦面，从而制得晶片。
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- 2020-12-02 - 2023-03-21 - C30B33/00
- 本发明提供了一种单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备方法，该方法将激光加工与机械循环电化学腐蚀相结合，先利用激光直写加工或激光扫描振镜加工对阵列结构进行粗加工，高效获得阵列结构的雏形，后利用机械循环电化学腐蚀方法去除表面激光加工变质层的同时，对雏形进行高质量表面处理进而使尖锥曲率半径减小，最终制得形貌均匀、尖锥曲率半径小、表面质量优的阴极发射体阵列结构。本发明将激光加工技术和机械循环电化学腐蚀方法有机复合到单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备中，充分结合激光、机械和电化学技术的优点，实现对单晶稀土六硼化物表面阵列结构的高效率、高表面质量以及更小尖锥曲率半径的制备。
- 光学各向同性晶体的湿法辅助-飞秒激光加工纳米孔方法-202211399789.3
- 陈智;钟理京;王宇莹;杨弈;许贝贝;刘小峰;谭德志;马志军;邱建荣 - 之江实验室;浙江大学
- 2022-11-09 - 2023-03-07 - C30B33/00
- 本发明公开了一种光学各向同性晶体的湿法辅助‑飞秒激光加工纳米孔方法。在目标加工物的光学各向同性晶体上通过光学接触放置一块更厚光学各向同性晶体作为球差增强辅助物，飞秒激光透射经过球差增强辅助物后入射并聚焦到目标加工物内产生自聚焦拉丝效应，而诱导材料局域改性成纳米拉丝诱导区域；再用特定酸性溶液湿法刻蚀，使纳米拉丝诱导区域被刻蚀形成孔径可控、高深‑径比的纳米孔。本发明可对任意光学各向同性晶体内部三维空间进行诱导加工，还可调节制备高深‑径比的纳米孔结构，克服了传统方法只能在材料表面加工低深‑径比的纳米孔结构缺点，制备更小尺寸、均一、可控的纳米孔结构，具有高效、稳定、低廉的三维空间可控的纳米加工特点。
- 二维氮化镓晶体的制备方法-202211351439.X
- 吴伟汉;宋文涛;徐耿钊;刘争晖;张春玉;陈科蓓;韩厦;徐科 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
- 2022-10-31 - 2023-01-31 - C30B33/00
- 本发明揭示了一种二维氮化镓晶体的制备方法，所述制备方法包括：S1、制备二维硒化镓或二维硫化镓晶体；S2、将二维硒化镓或二维硫化镓晶体置于等离子体发生装置的真空腔室中，并通入氮源使二维硒化镓或二维硫化镓晶体发生氮化反应，用氮原子替换硒原子或硫原子，得到二维氮化镓晶体。本发明通过对二维硒化镓或二维硫化镓晶体进行氮化，用氮原子替换硒化镓中的硒原子或硫化镓中的硫原子，可以实现二维氮化镓的低温生长，且可以控制氮化镓的生长厚度，生长出来的氮化镓结晶性好且高度平整，为高性能器件的制备奠定了良好的基础。
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