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- [发明专利]SiC刻蚀方法和设备-CN202310973991.0有效
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林政勋;郭轲科;廖舜一
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无锡邑文电子科技有限公司
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2023-08-04
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2023-10-03
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H01L21/308
- 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种SiC刻蚀方法和设备，SiC刻蚀方法包括：去除预设沟槽的底部的硬壳层、以及单步刻蚀或多步刻蚀；去除预设沟槽的底部的硬壳层的步骤，包括：利用CF4气体去除预设沟槽的底部的硬壳层；单步刻蚀或多步刻蚀的步骤，包括：利用主刻蚀气体SF6和辅助刻蚀气体，对SiC衬底进行刻蚀，其中，辅助刻蚀气体包括CBr4气体，以生成SiBr4附着在SiC衬底上刻蚀得到的沟槽的侧壁，以增强侧壁保护，降低侧壁的粗糙度。该刻蚀方法能够在转移图形的过程中降低SiC衬底刻蚀出的沟槽的侧壁的粗糙度，同时降低沟槽栅氧的击穿的可能性，进而提高半导体器件的可靠性。
- sic刻蚀方法设备
- [发明专利]刻蚀设备-CN202311021024.0在审
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林政勋;郭轲科;华恩瀚
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无锡邑文电子科技有限公司
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2023-08-15
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2023-09-12
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H01J37/32
- 本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种刻蚀设备，其包括反应室、等离子体发生室、气体分流盘和隔离件，等离子体发生室包括外壳、屏蔽罩和第一电磁感应线圈，屏蔽罩设置于外壳内、且具有第二腔室，外壳设置有进气孔，进气孔与第二腔室连通；第一电磁感应线圈设置于外壳，且绕屏蔽罩的周向分布；气体分流盘设置于等离子体发生室和反应室之间，气体分流盘设置有用于使反应室的第一腔室和第二腔室连通的气孔组件；隔离件设置于第二腔室内，且隔离件分隔在进气孔和气孔组件的进气口之间，以使从进气孔进入第二腔室的气体绕隔离件流动后经过气孔组件进入第一腔室。该设备能够保证足量的等离子体和活性自由基，以便于充分地进行刻蚀反应。
- 刻蚀设备
- [发明专利]一种去胶方法及去胶设备-CN202210498065.8有效
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林政勋;郭轲科
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无锡邑文电子科技有限公司
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2022-05-09
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2023-07-07
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B08B7/00
- 本发明的实施例提供了一种去胶方法及去胶设备,该去胶方法包括：步骤一，在等离子产生室内中通入氧气；步骤二，向等离子产生室内通入第一气体；步骤三，将第一气体电离为第一等离子体；步骤四，将第一等离子体与载气装置通入的载气混合后通入去胶反应室；步骤五，在等离子产生室内通入氧气；步骤六，向等离子产生室内通入第二气体；步骤七，将第二气体电离为第二等离子体；步骤八，将第二等离子体与载气装置通入的载气混合后通入去胶反应室，其能够减轻等离子体对晶圆造成的损伤，提高产品良率。
- 一种方法设备
- [发明专利]一种MEMS器件的制备方法-CN202310289298.1在审
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林政勋;郭轲科
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无锡邑文电子科技有限公司
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2023-03-22
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2023-06-23
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B81C1/00
- 本发明公开了一种MEMS器件的制备方法，该制备方法包括提供基底，并在基底上至少依次形成第一结构层、牺牲层和第二结构层；牺牲层具有至少一个贯穿牺牲层的开口，且开口暴露第一结构层，第二结构层包括位于开口内的第一分部和位于开口外的第二分部；去除牺牲层，以在第一结构层和第二分部之间形成间隙；其中，去除牺牲层的步骤包括多个干法处理周期，每个干法处理周期包括：采用灰化气体对牺牲层进行等离子体灰化处理；静置MEMS器件预设时间以排出等离子体灰化处理阶段产生的挥发性气体。本发明实施例的技术方案可以提高牺牲层的去除速率和去除的干净程度，降低对器件的损伤，降低对器件的使用寿命和可靠性的影响。
- 一种mems器件制备方法
- [发明专利]晶圆表面光刻胶的处理方法及半导体设备-CN202211470617.0在审
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林政勋;郭轲科
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无锡邑文电子科技有限公司
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2022-11-23
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2023-02-24
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G03F7/42
- 本发明的实施例提供了一种晶圆表面光刻胶的处理方法及半导体设备，涉及半导体技术领域，该方法首先将表面面附着有光刻胶层的晶圆本体放置于反应腔中；然后对该晶圆本体进行预热处理，使得晶圆本体与反应腔内部的温度保持一致，然后使用等离子体活化晶圆本体表面附着的光刻胶层的上表层，再去除晶圆本体表面附着的光刻胶层的上表面的活化部分；依次循环预热步骤至去除步骤，直至所述晶圆本体表面留下预设厚度的光刻胶层。相较于现有技术，本发明实施例在去除光刻胶层前，先用活化气体电离后轰击光刻胶层，从而使得光刻胶层的表面得以活化，从而使得去胶后的表面平整度较好，极大地改善了剩余光刻胶层的均匀性，有利于后段继续进行制程。
- 表面光刻处理方法半导体设备
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