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[发明专利]自还原气氛下光学区熔定向生长高导电性富电子钙铝石单晶体方法-CN202310382481.6在审
发明人：张忻;韩尚儒;刘楠;王守用 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2023-04-11 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：自还原气氛下光学区熔定向生长高导电性富电子钙铝石单晶体方法属于半导体材料领域。首先将溶胶凝胶法合成的[Ca24(Al1‑xMx)28O64]4+(O2‑)2利用放电等离子烧结设备烧结，烧结条件为：温度900～1200℃，真空度不高于8Pa，压力30MPa，反应时间5‑15min；将烧结棒材超声清洗、干燥后，置于光学区熔炉设备中作为生长进料棒，以沿(001)晶面生长的单晶金属钛棒作为籽晶下料棒，生长参数：8％(1080w)≤p≤20％(2400w)，生长速度:3mm/h≤s≤10mm/h。真空度1×10‑5torr，氩气流速0.3L/min，气体压强0.5Mpa，上料棒与籽晶棒转速30rpm/min。该制备方法提高了制备效率，所得单晶纯度高、导电性好且成本低，电子浓度可达到理论最大值，可进行大尺寸定向生长。
还原气氛学区定向生长高导电性电子钙铝石单晶体方法

[实用新型]一种MBR反洗系统-CN202320098392.4有效
发明人：苗雪娜;刘杨;连宝良;张忻;陈敬;齐亚玲;李传举 -专利权人：北京首创生态环保集团股份有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B01D65/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及污水处理技术领域，具体涉及为一种MBR反洗系统。本实用新型提供一种MBR反洗系统，包括MBR池、产水泵和高位水箱，MBR池位于高位水箱下方；产水泵进水端与MBR膜组件连通，产水泵出水端与高位水箱进水端连通，高位水箱出水端与MBR池膜组件连通。本实用新型提供一种MBR反洗系统，相对于现有技术而言，取消反洗水泵同时利用高位水箱的重力作用将清水自流进入MBR膜组件，实现了和现有技术一样的对MBR膜丝浸泡与清洗效果，达到了节省投资、节能降耗的效果。
一种 mbr 系统

[发明专利]一种单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备方法-CN202011411368.9有效
发明人：张忻;周宁;张伟;肖怡新;刘维康;刘燕琴 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-12-02 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备方法，该方法将激光加工与机械循环电化学腐蚀相结合，先利用激光直写加工或激光扫描振镜加工对阵列结构进行粗加工，高效获得阵列结构的雏形，后利用机械循环电化学腐蚀方法去除表面激光加工变质层的同时，对雏形进行高质量表面处理进而使尖锥曲率半径减小，最终制得形貌均匀、尖锥曲率半径小、表面质量优的阴极发射体阵列结构。本发明将激光加工技术和机械循环电化学腐蚀方法有机复合到单晶稀土六硼化物阴极发射体阵列结构制备中，充分结合激光、机械和电化学技术的优点，实现对单晶稀土六硼化物表面阵列结构的高效率、高表面质量以及更小尖锥曲率半径的制备。
一种稀土六硼化物阴极发射阵列结构制备方法

[发明专利]一种六硼化物纳米尖锥阵列的制备方法-CN202210619820.3在审
发明人：刘洪亮;郭志迎;袁晓峰;高倩倩;张忻 -专利权人：安阳工学院
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种六硼化物纳米尖锥阵列的制备方法，属于阴极场发射技术领域。目前，纳米级六硼化物尖锥阵列的制备极其困难，限制了六硼化物材料在场发射领域的大规模应用。本发明采用聚焦离子束加工技术在六硼化物表面加工出均匀的纳米级尖锥阵列，所述尖锥阵列尖端曲率半径在纳米级别，并且纳米尖锥阵列场发射性能良好。通过调整聚焦离子束加工工艺参数，纳米尖锥的高度、间隔、密度及场发射性能可控，能够满足应用要求。
一种六硼化物纳米阵列制备方法

[发明专利]导电性钙铝石型化合物块体的制备方法-CN201711142934.9有效
发明人：张忻;李凡;刘洪亮;赵吉平;冯琦;张久兴 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-11-17 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：导电性钙铝石型化合物块体的制备方法属于半导体材料技术领域。本发明采用放电等离子烧结技术原位反应合成导电型[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2‑y(e‑)2y块体材料。[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2进行粉碎、研磨，装入石墨模具中，预压成形，然后加入活性金属粉末，置于放电等离子烧结设备中，反应条件为：活性金属粉末与[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2粉末的质量比为1:2～1:5，烧结温度800～1400℃，反应室真空度不高于10Pa，压力40MPa，反应5～15min。该制备方法可以在1017～1021/cm3范围内调控载流子浓度，从而实现电输运特性的可控，且该方法简单高效，制备周期短，成本低，易于实现工业化应用。
导电性钙铝石型化合物块体制备方法

[发明专利]一种除磷药剂投加控制系统及方法-CN202010969659.3在审
发明人：李传举;林甲;刘杰;畅军;李霞;李其宸;张忻;刘巨波 -专利权人：北京首创股份有限公司;首创爱华（天津）市政环境工程有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： C02F1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种除磷药剂投加控制系统及方法，系统包括：进水电磁流量计和进水在线总磷仪表，分别安装在待加药池体的进水端；出水在线总磷仪表，安装在待加药池体的出水端；磷酸盐在线仪表，安装在待加药池体的出水端或进水端；除磷药剂投加泵，通过加药管路与待加药池体内连接；加药流量计，设置在加药管路上；控制装置，分别与进水电磁流量计、进水在线总磷仪表、磷酸盐在线仪表、出水在线总磷仪表、加药流量计和除磷药剂投加泵电气连接，控制装置，能根据确定的加药量，依据加药流量计调整变频加药泵向待加药池体内投加除磷药剂量。能实现磷酸盐投加实时稳定控制，同时工艺达标，实现系统高效稳定运行，有效降低药耗成本。
一种药剂控制系统方法

[发明专利]一种步进电机辅助电化学腐蚀制备场发射单尖的方法-CN201811213293.6有效
发明人：张忻;肖怡新;刘洪亮;张久兴 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种步进电机辅助电化学腐蚀制备场发射单尖的方法，属于阴极场发射技术领域。本发明采用步进电机辅助电化学浸润腐蚀制备单晶稀土六硼化物场发射单尖，通过调节步进电机的上下移动速率和位移，腐蚀电压和时间，使得单晶稀土六硼化物样品腐蚀和非腐蚀部位的腐蚀极化过电位产生明显差别，从而有效克服了电化学腐蚀制备单尖过程中样品与腐蚀液的手动浸润过程及腐蚀存在的杂散腐蚀现象，减小了单尖制备受人为影响的因素，提高了单尖形貌的均匀性和规则度以及制备的效率，进而改善和提高单尖阴极场发射性能，使得单晶稀土六硼化物场发射单尖作为电子源在扫描电镜、电子束光刻系统等真空电子设备领域具有广阔的运用前景。
一种步进电机辅助电化学腐蚀制备发射方法

[发明专利]电传导型Ca12-CN201811019797.4有效
发明人：张忻;李凡;刘洪亮;冯琦;张久兴 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： C30B28/02 文献下载
摘要：电传导型Ca12Al14O32:2e‑电子化合物的制造方法属于钙铝石型无机电子化合物材料技术领域。将CaCO3粉末与Al2O3粉末以27:15的物质的量比混合均匀，并且于1450℃进行化学反应合成Ca12Al14O33与Ca3Al2O6共晶前驱体，此前驱体中Ca12Al14O33与Ca3Al2O6的物质的量比为2：1；将共晶前躯体与金属Al单质粉末混匀后，在Ar气环境下进行机械合金化，时间为15min；将机械合金化后的粉末原位反应合成电传导型Ca12Al14O32:2e‑电子化合物；该制备方法5分钟内就制得电子浓度达到理论最大值2.3×1021cm‑3，相对密度达到99.8％的多晶Ca12Al14O32:2e‑电子化合物块体材料，且该方法简单高效，制备周期极短，成本低，易于实现批量化生产。
传导 ca base sub 12

[实用新型]一种检查井建渣承盘-CN201921048689.X有效
发明人：刘世良;李季;林崧;丁嘉;黄宗建;蒋宁;张忻;张宇;秦泰 -专利权人：成都市市政开发总公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： E02D29/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及检查井技术领域，具体涉及一种检查井建渣承盘；技术方案是：一种检查井建渣承盘，包括承盘，承盘同心设有可转动的转轴，转轴一端设有驱动部，转轴同心固定有绞盘；还包括至少三根推杆，推杆一端与绞盘盘面铰接，推杆沿绞盘圆周均布，推杆另一端连接有撑杆，撑杆可沿推杆长度方向滑动，撑杆连接端和推杆铰接端之间设有压缩弹簧，压缩弹簧用于挤压撑杆，撑杆用于支撑承盘；承盘圆周均布有若干锁套，锁套与绞盘同侧，锁套到转轴轴线的距离大于推杆长度和铰接点到转轴的距离之和，锁套套设在撑杆外，锁套用于限制撑杆沿转轴周向偏转的角度。本实用新型结构简单、操作简便，能够防止建渣掉入检查井内，降低操作人员下井作业疏掏的风险。
一种检查井建渣承盘

[发明专利]一种导电性钙铝石化合物低温快速合成方法-CN201911153049.X在审
发明人：张忻;李荣荣;肖怡新 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： C01F7/16 文献下载
摘要：一种导电性钙铝石化合物低温快速合成方法属于半导体材料技术领域。本发明将可溶性盐CaX2、AlX3和C6H8O7、C4H6O2放入磁力搅拌器中70℃，1h得到无色透明的溶液，再将此溶液加热200℃、1h蒸干后得到钙、铝金属络合物；将其研磨成粉末后，装入石墨模具中，预压成形，置于放电等离子烧结设备中，合成导电型[Ca24Al28O64]4+4e‑块体材料；反应条件为：烧结温度700～1200℃，反应室气压小于20Pa，成型接触压强15Pa，反应时间15min，随炉冷却脱模得到钙铝石型导电化合物[Ca24Al28O64]4+4e‑块体材料。该制备方法可以在1017～1021/cm3范围内调控载流子浓度，从而实现电输运特性的可控，且该方法简单高效，还原彻底，温度低，制备周期短，成本低，易于实现工业化应用。
一种导电性石化低温快速合成方法

[实用新型]寒冷地域伤员前接后送用保温装置和担架-CN201920425404.3有效
发明人：王希超;关晓清;孟丽珠;郑伟;姬云兵;张忻 -专利权人：中国人民解放军联勤保障部队第九六四医院
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： A61G1/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种寒冷地域伤员前接后送用保温装置和担架。该寒冷地域伤员前接后送用保温装置包括承重垫，在所述承重垫表面设有保温盖被，在保温盖被一侧的上部设有可开合的开启部；保温盖被的至少一侧与所述承重垫固连；在承重垫底面上设有沿承重垫宽度方向设置的手提部。该寒冷地域伤员前接后送用保温装置结构设计科学、合理，操作灵活，保证了寒冷地域伤员前接后送过程中的身体温度，提升了救援效率。
承重寒冷地域保温装置保温盖结构设计科学本实用新型救援效率可开合手提部担架固连灵活保证

[发明专利]一种检查井建渣承盘-CN201910604494.7在审
发明人：刘世良;李季;林崧;丁嘉;黄宗建;蒋宁;张忻;张宇;秦泰 -专利权人：成都市市政开发总公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： E02D29/12 文献下载
摘要：本发明涉及检查井技术领域，具体涉及一种检查井建渣承盘；技术方案是：一种检查井建渣承盘，包括承盘，承盘同心设有可转动的转轴，转轴一端设有驱动部，转轴同心固定有绞盘；还包括至少三根推杆，推杆一端与绞盘盘面铰接，推杆沿绞盘圆周均布，推杆另一端连接有撑杆，撑杆可沿推杆长度方向滑动，撑杆连接端和推杆铰接端之间设有压缩弹簧，压缩弹簧用于挤压撑杆，撑杆用于支撑承盘；承盘圆周均布有若干锁套，锁套与绞盘同侧，锁套到转轴轴线的距离大于推杆长度和铰接点到转轴的距离之和，锁套套设在撑杆外，锁套用于限制撑杆沿转轴周向偏转的角度。本发明结构简单、操作简便，能够防止建渣掉入检查井内，降低操作人员下井作业疏掏的风险。
推杆撑杆承盘检查井转轴绞盘锁套压缩弹簧均布偏转同心固定下井作业一端连接转轴轴线滑动铰接点铰接端可转动连接端铰接盘面同侧挤压同心驱动支撑

[发明专利]一种YB₄块体的制备方法-CN201710140285.2有效
发明人：张久兴;李录录;张忻;刘洪亮 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-03-10 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及一种YB₄块体的制备方法。将YH₂粉末和B粉在氧含量低于0.5ppm氩气气氛中，按摩尔比1:4球磨混合均匀，将中球磨好的粉末在氧含量低于0.5ppm氩气环境中放入石墨模具中，然后将石墨模具置于SPS烧结设备中烧结，烧结工艺为：将腔体抽真空至8Pa以下，在仪器初始压力下以50‑60℃/min的升温速度升至800‑900℃，保温至腔体真空度下降至15Pa以下，之后施加40‑60MPa的轴向压力，再以120‑140℃/min升温速度升至1400‑1600℃，保温5‑10min，降压随炉冷却至室温。本发明将YB₄原料合成与块体的制备合二为一烧结温度低、时间短，工艺简单，且制备的材料单相、纯度高、致密度高、力学性能好。
一种 yb4 块体制备方法

[发明专利]新型氧化物半导体多晶块体的制备方法-CN201710505203.X有效
发明人：张忻;冯琦;刘洪亮;肖怡新;赵吉平 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： C30B28/00 文献下载
摘要：新型氧化物半导体多晶块体的制备方法属于氧化物半导体材料技术领域。本发明以CaCO₃粉末和Al₂O₃粉末为初始原料，采用熔融反应‑放电等离子烧结(SPS)‑活性金属还原相结合的方法制备出高纯度的氧化物半导体[Cs₂₄Al₂₈O₆₄]⁴⁺·[2(1‑X)O^2‑]·4Xe^‑多晶块体，该制备方法可以在10¹⁷～10²¹/cm³范围内调控电子浓度，从而实现新型氧化物半导体电输运特性的可控，且该方法简单易于实现工业化生产。
新型氧化物半导体多晶块体制备方法

[发明专利]一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法-CN201710504620.2有效
发明人：张忻;刘洪亮;肖怡新;冯琦;张久兴 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法属于阴极场发射技术领域。目前，稀土六硼化物场发射阵列的制备极其困难，限制了其在场发射领域的大规模应用。本发明采用激光微纳加工技术在稀土六硼化物表面加工出均匀的尖锥场发射阵列，所述尖锥场发射阵列的形貌具有很高的一致性。通过激光微纳加工工艺参数的调整，能够加工出曲率半径纳米到微米级别的尖锥场发射阵列，尖锥高度、间隔和密度可控，适合大规模应用。
一种稀土六硼化物场发射阵列制备方法

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