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[发明专利]一种二维氧化物原位钝化钙钛矿单晶表面的方法-CN202210056684.1有效
发明人： 朱京涛;屠洛涔;陈溢祺;吴朱超;周新宇;王添随 -专利权人：科晶瑞思（苏州）科技有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C30B33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维氧化物原位钝化钙钛矿单晶表面的方法。本发明钝化方法具体为：(1)在载体上生长钙钛矿单晶；(2)加热镓铟锡合金至液态，并加入改性金属改善液态合金特性，静置形成自限性薄氧化层；(3)将步骤(1)载有钙钛矿单晶的载体浸入步骤(2)的液态铟锡合金中，使得自限性薄氧化层覆盖所述钙钛矿单晶表面，完成二维氧化物原位钝化。本发明所述二维Ga2O3材料可以显著得减少钙钛矿晶体表面多晶化对其晶体质量造成的影响，并可对钙钛矿晶体起到明显的钝化作用，使得钙钛矿晶体表面缺陷密度降低，提高晶体的物理、电学、光学性能。
一种二维氧化物原位钝化钙钛矿单晶表面方法

[发明专利]一种应用于软X射线分光的多层膜切片光栅-CN201910323112.3有效
发明人： 朱京涛;张嘉怡;朱运平;金长利 -专利权人：苏州宏策光电科技有限公司
申请日： 2019-04-22 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G21K1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于软X射线波段的多层膜切片光栅。其特征是使用WSi2作为多层膜的吸收层，Si作为间隔层，相对于多层膜表面进行斜切，将斜切面上的周期多层膜作为光栅进行分光。与传统的光栅相比，新型多层膜切片光栅的制备工艺更加便捷，可轻松达到15000/mm以上，应用于软X射线波段的分光。且由于多层膜本身可以增强反射光，因此可在不使用其他光学元件的条件下提高光栅效率。WSi2和Si因其应力较小，界面粗糙度和扩散情况较小，成膜质量较好而被选择作为切片光栅的材料组合。
一种应用于射线分光多层切片光栅

[发明专利]一种涂硼陶瓷GEM膜及其制备方法与应用-CN202211471139.5在审
发明人： 朱京涛;周健荣;孙志嘉;刘扬;周晓娟;朱林;陈元柏 -专利权人：同济大学;散裂中子源科学中心
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种涂硼陶瓷GEM膜及其制备方法与应用，该涂硼陶瓷GEM膜包括陶瓷GEM膜基底下层、Ti打底中间层以及10B4C中子转换上层。本发明涂硼陶瓷GEM膜采用以下方法制备得到：(1)通过磁控溅射将靶材Ti溅射至陶瓷GEM膜表面，得到镀有Ti打底中间层的陶瓷GEM膜；(2)通过磁控溅射将靶材碳化硼溅射至所得Ti打底中间层表面，然后经机械打孔、化学刻蚀、清洗得到目的产物。本发明涂硼陶瓷GEM膜可应用于涂硼GEM中子探测器。与现有技术相比，本发明采用“先镀膜、后打孔”的方法，所制备的涂硼陶瓷GEM膜的孔洞中不会沉积有碳化硼。本发明通过使用纳米级厚度的Ti层打底，增加碳化硼薄膜与陶瓷GEM膜表面的粘附性，使得后续加工过程中薄膜不会脱落。
一种陶瓷 gem 及其制备方法应用

[发明专利]一种XRD检测用待测样的制备方法、一种低原子序数二维薄膜材料的XRD检测方法-CN202310194464.X在审
发明人： 朱京涛;屠洛涔 -专利权人：宏策（浙江）半导体有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01N23/20008 文献下载
摘要：本发明属于XRD检测技术领域，具体涉及一种XRD检测用待测样的制备方法、一种低原子序数二维薄膜材料的XRD检测方法。本发明提供了一种XRD检测用待测样的制备方法，包括以下步骤：在基底上生长高原子序数金属层，经退火处理，得到改性基底；所述基底包括含硅基底；在所述改性基底的高原子序数金属层上生长低原子序数二维材料层，得到所述待测样。本发明在基底和低原子序数二维材料层中设置高原子序数金属层，利用高原子序数金属层和低原子序数二维材料层形成高低Z值交错排布，从而增加反射率，在衍射曲线上形成衍射峰，实现了对低原子序数二维材料的XRD检测。
一种 xrd 检测用待测样制备方法原子序数二维薄膜材料

[发明专利]一种光电阴极及其制备方法和应用-CN202310228803.1在审
发明人： 朱京涛;屠洛涔 -专利权人：宏策（浙江）半导体有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明属于光电阴极技术领域，具体涉及一种光电阴极及其制备方法和应用。本发明提供了一种光电阴极，包括铝基体和依次层叠设置在所述铝基体表面的金层和过渡金属氮化物层。本发明通过在铝基体表面设置金层和过渡金属氮化物层，能够防止光电阴极在等离子诊断过程中发生碳污染和氧污染；同时金层和过渡金属氮化物层的电阻率非常小，和铝基体共同使用不会影响铝基体的转换效率；同时过渡金属氮化物层的结构稳定，熔点和硬度高，能够很好的抵御高速等离子的冲击，防止等离子体对柔性铝基体的破坏，从而在不影响量子转换效率的前提下提高光电阴极的使用寿命。
一种光电阴极及其制备方法应用

[发明专利]一种极紫外多层膜及其应用、极紫外多层膜反射镜-CN202211477822.X在审
发明人： 朱京涛;吴曼玉;朱运平;金长利;郑华伟 -专利权人：苏州宏策光电科技有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明涉及高反射极紫外元件技术领域，尤其涉及一种极紫外多层膜及其应用、极紫外多层膜反射镜。本发明提供的极紫外多层膜，包括依次交替层叠设置的Nb吸收层、B4C阻隔层、Si间隔层和SiC阻隔层。本发明采用热稳定性高于Si材料的B4C和SiC作为阻隔层，可以克服现有技术中Nb/Si极紫外多层膜热稳定性相对较差的缺点。且本发明所述的极紫外多层膜的理论反射率与现有技术中Nb/Si极紫外多层膜的理论反射率差异较小。因此，所述极紫外多层膜可以同时满足高反射率和热稳定性的要求。
一种紫外多层及其应用反射

[发明专利]一种极紫外多层膜反射镜及制备方法-CN202211477999.X在审
发明人： 朱京涛;吴曼玉;朱运平;金长利;郑华伟 -专利权人：苏州宏策光电科技有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G02B5/08 文献下载
摘要：本发明公开一种极紫外多层膜反射镜及制备方法，反射镜包括：基底和N层共溅射膜结构；第一层共溅射膜结构设置在所述基底上，第i+1层共溅射膜结构设置在第i层共溅射膜结构上；各层共溅射膜结构均包括：吸收层和间隔层，所述间隔层设置在所述吸收层上侧；所述吸收层是由Mo和Nb两种靶材共溅射制备的；所述间隔层是由Si和Y两种靶材共溅射制备的，或由Si靶材溅射制备的。本发明制备的反射镜相比于现有基于Mo/Si和Nb/Si构成的反射镜具有更优的光学性能。
一种紫外多层反射制备方法

[发明专利]直流磁控技术制备周期厚度横向二维梯度分布的Mo/Si多层膜的方法-CN201711364964.4有效
发明人： 朱京涛;朱圣明;金长利 -专利权人：苏州宏策光电科技有限公司
申请日： 2017-12-18 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提出了一种直流磁控技术制备周期厚度横向二维梯度分布的Mo/Si多层膜的方法，选择Mo/Si作为多层膜材料，标定了在直流磁控溅射镀膜方法中Mo靶和Si靶在掠靶镀膜模式下基底上的膜厚分布情况，并据此制备了掩膜版。利用掩膜版控制膜厚和调节基板掠过溅射靶的速度控制膜厚的方法在40 mm×40 mm大小的Si基底上制备了周期厚度横向二维梯度分布的[Mo/Si]25多层膜样品。用Ｘ射线掠入射反射测量了多层膜的膜系结构。结果显示，多层膜的周期厚度在整个样品上呈现近似线性的二维梯度分布。样品上总的周期厚度覆盖范围为6.39 nm到15.65 nm。本方法为极紫外与X射线其它波段范围和其它材料组合的横向二维梯度分布周期多层膜反射镜的制备提供了一种可行的工艺技术。
直流技术制备周期厚度横向二维梯度分布 mo si 多层方法

[实用新型]用于飞跨电容BOOST的放电电路-CN202222412940.4有效
发明人： 朱京涛 -专利权人：上海正泰电源系统有限公司;浙江正泰电源系统有限公司;深圳正泰电源系统有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于飞跨电容BOOST的放电电路，多组飞跨电容BOOST电路与光伏电池连接，电路接在每组飞跨电容BOOST电路中输入电感与电流传感器之后，飞跨电容BOOST电路中IGBT桥臂MOS1、MOS2之前，包括检测单元、驱动器ON3、接在IGBT桥臂MOS1、MOS2两端的开关管T1和与其串联的放电电阻R1，检测单元检测IGBT上桥臂MOS1两端电压差，触发驱动器导通开关管T1，放电回路导通；检测单元检测飞跨BOOST电路输入电流值，控制开关管T1断开，放电回路截止。在正常接入光伏板运行时本电路不工作，在没接入电池板而PV电容产生电压时本电路将电压钳位至安全电压。提高飞跨电容BOOST拓扑的光伏逆变器使用安全性。可以应用在充电器，离网式逆变器等类似飞跨BOOST拓扑电路上。
用于飞跨电容 boost 放电电路

[发明专利]用于飞跨电容BOOST的放电电路及其控制方法-CN202211101173.3在审
发明人： 朱京涛 -专利权人：上海正泰电源系统有限公司;浙江正泰电源系统有限公司;深圳正泰电源系统有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H02M1/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于飞跨电容BOOST的放电电路及其控制方法，多组飞跨电容BOOST电路与光伏电池连接，电路接在每组飞跨电容BOOST电路中输入电感与电流传感器之后，飞跨电容BOOST电路中IGBT桥臂MOS1、MOS2之前，包括检测单元、驱动器ON3、接在IGBT桥臂MOS1、MOS2两端的开关管T1和与其串联的放电电阻R1，检测单元检测IGBT上桥臂MOS1两端电压差，触发驱动器导通开关管T1，放电回路导通；检测单元检测飞跨BOOST电路输入电流值，控制开关管T1断开，放电回路截止。在正常接入光伏板运行时本电路不工作，在没接入电池板而PV电容产生电压时本电路将电压钳位至安全电压。提高飞跨电容BOOST拓扑的光伏逆变器使用安全性。可以应用在充电器，离网式逆变器等类似飞跨BOOST拓扑电路上。
用于飞跨电容 boost 放电电路及其控制方法

[发明专利]一种具有支撑结构的金属薄膜滤片及其制备-CN202010726964.X有效
发明人： 朱京涛;郭胜 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-07-26 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G21K1/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有支撑结构的金属薄膜滤片及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(a)取阳极氧化铝膜(1)，所述阳极氧化铝膜(1)中设有多个平行贯穿的孔道(3)，在阳极氧化铝膜(1)上涂制光刻胶(2)，后进行烘胶；(b)对阳极氧化铝膜(1)进行打磨并抛光，去除多余的光刻胶(2)，得到孔道(3)中填充有光刻胶(2)的阳极氧化铝膜基底；(c)在阳极氧化铝膜基底的表面镀制金属薄膜层(4)，后依次进行曝光和显影去除光刻胶(2)，得到金属薄膜滤片。与现有技术相比，本发明的支撑结构有效提高金属薄膜滤片的通光面积占比，优化金属薄膜滤片的过滤性能，更有利于极紫外和软X射线波段的透过。
一种具有支撑结构金属薄膜及其制备

[发明专利]一种具有准同轴观测功能的多通道KB显微镜结构-CN202010294854.0有效
发明人： 朱京涛;张嘉怡 -专利权人：同济大学
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G03B42/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有准同轴观测功能的多通道KB显微镜结构，该结构包括沿光轴方向依次设置的多个反射镜组，每个反射镜组均分别由一个沿子午方向设置的第一反射镜和一个沿弧矢方向设置的第二反射镜组成，从而构成多个独立的成像通道。与现有技术相比，本发明具有同轴性强、降低观测视角差异、独立成像、兼顾不同的X光能量需求等优点。本发明特别针对惯性约束聚变(ICF)研究，在较大的能量跨度内实现对X光的反射，可有效提高ICF物理实验的观测精度，解决国内外聚变点火相关研究的难点。
一种具有同轴观测功能通道 kb 显微镜结构

[发明专利]一种铯铪氯闪烁晶体的制备方法-CN202210076428.9在审
发明人： 朱京涛;屠洛涔;陈溢祺;吴朱超;周新宇;王添随 -专利权人：科晶瑞思（苏州）科技有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种铯铪氯闪烁晶体的制备方法，涉及闪烁晶体材料技术领域。所述Cs2HfCl6闪烁晶体的制备方法，包括以下步骤，S1先将CsCl和HfCl4加入到酸性溶液中搅拌加热，得到前驱体溶液；所述酸性溶液为盐酸溶液；S2将所述前驱体溶液加热，后进行分步骤降温、生长，得到所述Cs2HfCl6闪烁晶体。本发明所述的Cs2HfCl6闪烁晶体的制备方法相较于常规布里奇曼生长方法而言成本低廉无需真空石英坩埚等设备，无需高温、操作简易、原料成本低廉、原料利用率高，且溶液可回收利用。
一种铯铪氯闪烁晶体制备方法

[发明专利]一种带通分光的X射线光学系统及膜层分布确定方法-CN202210087645.8在审
发明人： 朱京涛;杨泽华;屠洛涔;金宇;朱忆雪;郭汉明 -专利权人：苏州闻道电子科技有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01N23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种带通分光的X射线光学系统及膜层分布确定方法，该系统包括：多层膜子系统；多层膜子系统包括第一反射镜和第二反射镜；第一反射镜与第二反射镜均为非周期多层膜反射镜，且第一反射镜与第二反射镜的反射光谱互补；第一反射镜与第二反射镜采用不同的膜层分布；第一反射镜与第二反射镜的位置保持平行，以使将X射线作为入射光线依次入射到第一反射镜和第二反射镜，第一反射镜的掠入射角和第二反射镜的掠入射角相等，且经过第二反射镜的反射光线与入射光线保持平行；第一反射镜用于抑制反射谱中的低能量旁瓣，第二反射镜用于抑制反射谱中的高能量旁瓣。在保证分辨率的前提下，有效提高了旁瓣的抑制效率。
一种通分射线光学系统分布确定方法

[发明专利]一种多层膜偏振器及其制备方法-CN202111641216.2在审
发明人： 朱京涛;赵世暖;杨泽华;屠洛涔;孙航;金宇 -专利权人：苏州闻道电子科技有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层膜偏振器及其制备方法。本发明提供的多层膜偏振器，通过在横向上不同位置镀制周期多层膜(即交替设置第一材料层和第二材料层，并使第一材料层与第二材料层的厚度和沿横向梯度递增)，以能够在针对不同的工作能点，在使用中只需要平移偏振器，就能拓展偏振器的工作带宽，进而能够实现400‑1000eV工作能量连续可调的偏振光学元件，提高偏振检测的效果和精确性。
一种多层偏振及其制备方法

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