[发明专利]可控制接通的硅可控整流器无效
| 申请号： | 85105483.8 | 申请日： | 1985-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1007765B | 公开（公告）日： | 1990-04-25 |
| 发明（设计）人： | 坦普尔 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74 |
| 代理公司： | 中国专利代理有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一多级放大硅可控整流器包括一在硅可控整流器两相邻级之间的集成的电流控制电阻区，除硅可控整流器主级外，其他级均用于限制接通电流。硅可控整流器主要用来减小接通时di/dt故障，而无需在硅可控整流器内附加外部电路来限制。在接通期间，通过该区与硅可控整流器每级的发射极进行足够的隔开和充分的屏蔽和通过将电阻区与最低发射极区的一部分进行充分的隔开或屏蔽，可防止电流控制电阻区的调制，最低发射极区包含硅可控整流器前一级的接通等离子区。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 接通 可控 整流器 | ||
【主权项】：
1.一种多级放大硅可控整流器，包括一半导体片，第一发射极层，在所述第一发射极层上的第一基极层，在所述第一基极层上的第二基极层，在所述第二基极层上的第一级发射极层，以及在所述第二基极层上、沿导通顺序方向由一部分所述第二基极层而与所述第一级发射极层隔开的第二级发射极层，所述第一级发射极层在其朝向所述第二级发射极层的一侧有一第一边沿；第一发射极电极在所述第一发射极层的下面，二者处于欧姆接触；第一级发射极电极处在第一部分中的，重叠在所述第一级发射极层上，处在第二部分中的，位于从所述第一部分朝向所述第二级发射极层的位置，且与所述第二基极层欧姆接触，所述第一级发射极电极在朝向所述第二级发射极层的一侧有一第一边沿；第二级发射极电极与所述第二级发射极层欧姆接触，所述第二级发射极层在其朝所述第一级发射极层的一侧有一第一边沿；一个电流控制电阻区构成所述第二基极区域的一部分，所述电流控制电阻区由所述第一级发射极电极的所述第一边沿在所述第二基极区域上的投影限定其第一侧，以及由所述第二级发射极电极的所述第一边沿在所述第二基极区域上的投影限定其第二侧；所述电流控制电阻区使未调制电阻选择成将放大硅可控整流器前面各级的导通电流限制在安全值范围内，且具有电阻值RG：RG＝0.5VG2tG/ChG(TMAX)，式中，VG是器件的最大额定电压，tG是导通电流流过该电流控制电阻区的时间，Ch是该半导体的热容量(Specificthermolcapacity)，G是该电流控制电阻区的导通电流所流入的该半导体的体积，以及TMAX是该半导体的该导通体积(turn-onVolume)的
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- 2022-08-10 - 2023-06-02 - H01L29/745
- 本申请案涉及具有降低的操作电压的npnp分层MOS栅控沟槽装置。将npnp分层开关修改为具有复合阳极结构。代替典型的npnp IGTO装置、晶闸管或IGBT的连续p型底部阳极层，所述复合阳极由具有含有n型半导体材料的间隙的分段p型层形成。所述n型材料在底部阳极电极与纵向npn双极晶体管的n型集电极之间形成多数载流子路径。当带沟槽栅极被加偏压为高时，在所述底部阳极电极与顶部阴极电极之间形成所述多数载流子路径。此电流路径在非常低的操作电压下操作，从略高于0伏起始。高于约1.0伏的操作电压，所述npnp分层开关正常操作且使用再生双极晶体管作用来传导所述电流的绝大多数。所述两个电流路径并联传导。
- 晶闸管分支满布N+放大门极-201710451834.8
- 王正鸣;高山城;郭永忠;张猛 - 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
- 2017-06-15 - 2023-06-02 - H01L29/74
- 本发明提供了一种晶闸管分支满布N+放大门极，从晶闸管阴极方向俯视按掺杂类型区域划分为中心P型门极区、N+型环形放大门极区、N+型枝条放大门极区、P型放大门极区、N+型主晶闸管有效阴极区、分布在N+型主晶闸管有效阴极区内的P型短路点及边缘P型台面区，通过将N+型枝条放大门极区枝条内充满N+型杂质，使放大门极即辅助晶闸管的阴极N+区域不仅在门极中心周围的环形区域存在，而且随放大门极枝条深入并均匀分割主晶闸管阴极区域。充分扩展了辅助晶闸管的有效阴极，将门极触发电流放大更充分、分配输送到主晶闸管阴极深处的速度更快，对主晶闸管的触发强度和速度都增加、必使主晶闸管开通电流上升率di/dt耐量得到显著提高。
- 双向晶闸管-202280005814.7
- 柴田行裕;井上征;坪井康敏 - 新电元工业株式会社
- 2022-09-13 - 2023-05-30 - H01L29/74
- 本发明提供了能够提高(dv/dt)c耐量的双向晶闸管。本发明的双向晶闸管具有：第一导电型第一半导体层及第一导电型第二半导体层(11、21)、第二导电型第一半导体层及第二导电型第二半导体层(13、12)、配置于第二导电型第三半导体层的多个载流子释放部(11a)、第二导电型第四半导体层(15)、第一电极及第二电极(31、32)、栅电极(16)和钝化膜(17)，多个载流子释放部(11a)在第二导电型第三半导体层(14)形成开孔，第一导电型第一半导体层(11)位于该开孔内，多个载流子释放部(11a)配置于在俯视观察时从距栅电极有预定距离的位置到第一电极的外缘之间，多个载流子释放部以与第一电极的外缘相接的方式配置，多个载流子释放部的两个以上的载流子释放部相接的第一电极的外缘与钝化膜接触，在俯视观察时三角形(33)的面积小于四边形(22)的面积。
- 一种采用电压驱动的可控硅-202010512334.2
- 唐红祥 - 无锡光磊电子科技有限公司
- 2020-06-08 - 2023-05-23 - H01L29/74
- 本发明涉及功率半导体器件领域,公开了一种采用电压驱动的可控硅，包括N型硅片，N型硅片底部设有P型扩散层，P型扩散层底部电连接阳极电极，N型硅片顶部设有第一P阱，第一P阱内设有第一N扩散区，N型硅片顶部设有第二P阱，第二P阱内设有第二N扩散区，N型硅片顶部连接绝缘层，绝缘层上设有输出电极，输出电极穿过绝缘层分别与第一P阱和第一N扩散区电连接，绝缘层内还设有控制电极，绝缘层在第二P阱的对应处分别设有阴极电极和门极电极，阴极电极穿过绝缘层与第二N扩散区电连接，门极电极穿过绝缘层与第二P阱电连接，本发明将可控硅的导通控制从电流驱动变为电压驱动，降低了对驱动IC的要求，减少了可控硅的应用成本。
- 一种便于调节触发电压的SCR器件-202320013718.9
- 贺健民;焦彬;张彪;王康 - 西安迈驰半导体科技有限公司
- 2023-01-04 - 2023-05-12 - H01L29/74
- 本实用新型涉及一种便于调节触发电压的SCR器件，包括硅衬底，硅衬底上有第一深阱区和第二深阱区，第一深阱区和第二深阱区上有场氧FOX厚SiO
- 专利分类
