[发明专利]Taiko晶圆化学镀方法、Taiko晶圆及半导体器件在审

专利信息
申请号: 202310744047.8 申请日: 2023-06-21
公开(公告)号: CN116875965A 公开(公告)日: 2023-10-13
发明(设计)人: 王强华;于大全 申请(专利权)人: 厦门云天半导体科技有限公司
主分类号: C23C18/08 分类号: C23C18/08;C30B29/00;H01L21/288
代理公司: 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 代理人: 杨泽奇
地址: 361000 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明涉及半导体加工技术领域,本发明提供一种Taiko晶圆化学镀方法,Taiko晶圆包括晶圆体和Taiko环,在晶圆体的背面具有Taiko环区域和非Taiko环区域,Taiko环设置在Taiko环区域,该方法包括:在Taiko环的背面、Taiko环的内侧面和晶圆体的背面的非Taiko环区域喷涂粘结胶;利用化学镀工艺在晶圆体的正面镀上金属;去除粘结胶;在完成喷涂粘结胶的步骤后,以晶圆体的正面为高度基准线,位于非Taiko环区域的粘结胶的高度低于位于Taiko环的背面的粘结胶的高度。借此可以保证Taiko晶圆背面不会因受镀金属而影响产品品质,并且该Taiko晶圆化学镀方法的加工步骤简易,能够有效降低产品因加工工序过多且繁杂所导致的产品良率损失。
搜索关键词: taiko 化学 方法 半导体器件
【主权项】:
暂无信息
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