[发明专利]Taiko晶圆化学镀方法、Taiko晶圆及半导体器件在审
申请号: | 202310744047.8 | 申请日: | 2023-06-21 |
公开(公告)号: | CN116875965A | 公开(公告)日: | 2023-10-13 |
发明(设计)人: | 王强华;于大全 | 申请(专利权)人: | 厦门云天半导体科技有限公司 |
主分类号: | C23C18/08 | 分类号: | C23C18/08;C30B29/00;H01L21/288 |
代理公司: | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人: | 杨泽奇 |
地址: | 361000 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 本发明涉及半导体加工技术领域,本发明提供一种Taiko晶圆化学镀方法,Taiko晶圆包括晶圆体和Taiko环,在晶圆体的背面具有Taiko环区域和非Taiko环区域,Taiko环设置在Taiko环区域,该方法包括:在Taiko环的背面、Taiko环的内侧面和晶圆体的背面的非Taiko环区域喷涂粘结胶;利用化学镀工艺在晶圆体的正面镀上金属;去除粘结胶;在完成喷涂粘结胶的步骤后,以晶圆体的正面为高度基准线,位于非Taiko环区域的粘结胶的高度低于位于Taiko环的背面的粘结胶的高度。借此可以保证Taiko晶圆背面不会因受镀金属而影响产品品质,并且该Taiko晶圆化学镀方法的加工步骤简易,能够有效降低产品因加工工序过多且繁杂所导致的产品良率损失。 | ||
搜索关键词: | taiko 化学 方法 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
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