[实用新型]一种耐高压碳化硅器件有效
| 申请号： | 202220756934.8 | 申请日： | 2022-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN216871981U | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王中健;曹远迎 | 申请（专利权）人： | 成都功成半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/161 |
| 代理公司： | 成都四合天行知识产权代理有限公司 51274 | 代理人： | 董斌 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种耐高压碳化硅器件，包括：碳化硅衬底、设置在碳化硅衬底上的碳化硅外延层，碳化硅外延层上间隔设置有改善注入区，碳化硅外延层和改善注入区上方依次设有阻断注入区和源极注入区；改善注入区、阻断注入区和源极注入区上刻蚀有多个间隔设置的第一沟槽和第二沟槽；第一沟槽表面生长有氧化层，氧化层上设有栅极多晶硅电极，栅极多晶硅电极上方覆盖有绝缘层；第二沟槽设有多晶硅填充区；源极注入区和绝缘层上覆盖有源极金属电极，解决了现有技术存在的反向电压低、工艺过程复杂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 碳化硅 器件 | ||
【主权项】：
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