[发明专利]键合头、键合装置和键合方法在审
| 申请号： | 202211506940.9 | 申请日： | 2022-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN116072560A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 龙俊舟;陶超;王力 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L21/683 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请提供一种键合头、键合装置键合方法。键合头包括键合块，键合块的底面包括第一区域和第二区域，第一区域包括键合块的底面的中心区域，第二区域环绕第一区域，第一区域中设置有第一压力施加装置的至少部分，第二区域中设置有吸附第一键合对象的第二压力施加装置的至少部分。在进行贴合时，吸附在键合块的底面上的第一键合对象下表面的拱起的中间区域先于第一键合对象下表面的边缘区域贴合第二键合对象的上表面，且第一压力施加装置从第一工作状态切换至第二工作状态，以使第一键合对象下表面的拱起的中间区域逐渐恢复形变，第一键合对象的下表面和第二键合对象的上表面依次贴合，从而将第一键合对象和所述第二键合对象键合在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 键合头 装置 方法 | ||
【主权项】：
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- 陈刚;林强;王磊 - 天津大学
- 2017-07-07 - 2023-06-27 - H01L21/603
- 本发明属于功率电子器件封装技术领域，公开了一种功率模块全自动热压成型装置，包括上层工作区和下层附件及控制区，上层工作区内部设置有热压作动系统、热压导向系统、加热组件，下层附件及控制区内部设置水冷系统和控制系统。本发明可以提供不同的烧结压力和烧结温度，同时可以通过闭环反馈精确控制烧结压力和粘接层高度，实现烧结时间、烧结压力、粘接层厚度的多种变化，为研究功率模块热压成型的相关难题提供帮助，对于半导体、微机电系统等高新技术产业的发展具有重要的推动作用。
- 一种芯片和基板的连接方法及芯片结构-202310203219.0
- 吴灵美;王令;吴昊霖;符广学;刘磊仁;勾涵 - 珠海格力电器股份有限公司
- 2023-03-03 - 2023-06-23 - H01L21/603
- 本发明公开了一种芯片和基板的连接方法及芯片结构，连接方法包括如下步骤：S1、提供基板和芯片；S2、分别在所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面形成金属颗粒层；所述金属颗粒层包括至少两种金属依次交替重叠形成的若干层纳米金属颗粒；S3、将所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面接触，再进行烧结处理，以使所述基板和所述芯片连接。本发明的连接方法无需将纳米金属粉末与有机溶剂混合制成焊膏，仅需在基板以及芯片表面生长不同种类多尺寸的金属颗粒，即可实现烧结，能够避免有机溶剂蒸发和分解的过程，加快烧结过程，节省50％以上的时间。
- 键合头以及包括该键合头的键合装置-202211540871.3
- 崔正德;朴瑛奎;全泳坤;成知勳 - 美科陶瓷科技有限公司
- 2022-12-02 - 2023-06-23 - H01L21/603
- 提供一种键合头和键合装置，该键合头包括：底座块；加热块，设置在所述底座块的上方，并产生热；以及抗静电块，以能够吸附芯片的方式配置在所述加热块上方，并配置为与接地电极电连接，以去除残留在表面上的电子。由此，能够有效地去除残留在抗静电块的表面上的电子。
- 一种高速高精键合头装置-202310069103.2
- 华成 - 安徽瑞视微智能科技有限公司
- 2023-02-06 - 2023-06-06 - H01L21/603
- 本发明涉及芯片封装生产自动化设备领域，尤其涉及一种高速高精键合头装置，包括支座、键合头运动平台、键合头组件；所述X轴运动平台装配框固定在所述支座，所述X轴滑轨滑块组件居中安装于X轴运动平台装配框外框两侧，所述Y轴直线电机固定柱为两根固定在所述支座，所述Z轴直线电机固定架固定在所述Y轴直线电机固定柱前端，所述Z轴直线电机的Z轴电机定子固定在Z轴直线电机固定架，所述Z轴直线电机的Z轴电机动子与Z轴移动台固定连接；所述键合头组件安装在所述Z轴移动台。键合头运动平台采用相互独立的固定方式，各运动平台独立承担自身平台的重量，有效减小各轴运动平台的负载，可以实现负载的高速、准确定位。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
