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[发明专利]一种芯片和基板的连接方法及芯片结构-CN202310203219.0在审
发明人：吴灵美;王令;吴昊霖;符广学;刘磊仁;勾涵 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片和基板的连接方法及芯片结构，连接方法包括如下步骤：S1、提供基板和芯片；S2、分别在所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面形成金属颗粒层；所述金属颗粒层包括至少两种金属依次交替重叠形成的若干层纳米金属颗粒；S3、将所述基板的第一表面和所述芯片的第二表面接触，再进行烧结处理，以使所述基板和所述芯片连接。本发明的连接方法无需将纳米金属粉末与有机溶剂混合制成焊膏，仅需在基板以及芯片表面生长不同种类多尺寸的金属颗粒，即可实现烧结，能够避免有机溶剂蒸发和分解的过程，加快烧结过程，节省50％以上的时间。
一种芯片连接方法结构

[发明专利]一种高强韧氧化铝基复合陶瓷基板及其制备方法-CN202210302039.3有效
发明人：伍尚华;刘磊仁;聂光临 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B35/80 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强韧氧化铝基复合陶瓷基板及其制备方法，涉及复合陶瓷基板技术领域。该陶瓷基板材料以氧化铝为基体，以LaAl11O18、ZrO2为增强体，具体体现在：于步骤1中让La2O3与Al2O3在高温烧结的过程中完全反应成LaAl11O18，此时只有少量的Al2O3和大量的LaAl11O18存在，没有La2O3的存在。于步骤3中再把该种粉体与Al2O3、ZrO2混在一起烧结，这样有效避免了La2O3、ZrO2的直接接触。本发明提供的制备方法一方面可以利用氧化铝与La2O3反应生成棒状LaAl11O18，实现微结构增韧；另一方面，可以避免La2O3对t‑ZrO2过稳定作用，防止t‑ZrO2到c‑ZrO2的相变，确保了t‑ZrO2的增强增韧效果；二者协同作用有利于同步提升氧化铝陶瓷的强度与韧性。
一种强韧氧化铝复合陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种氧化锆增韧氧化铝陶瓷板及其制备方法-CN202110598880.7在审
发明人：伍尚华;黄丹武;丁达飞;刘磊仁 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： C04B35/117 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化锆增韧氧化铝陶瓷板及其制备方法，涉及陶瓷材料技术领域。该陶瓷板由以下重量份组分组成：氧化铝粉体50～99.5份，氧化锆0～45份、烧结助剂0～20份，有机溶剂30～60份；分散剂0.5～5份，粘结剂与增塑剂的混合物0.5～20份。本发明通过控制叠层陶瓷复合材料由不同掺量的氧化锆增强的氧化铝及其叠层组成方式，提高陶瓷基板抗弯强度和热导率，同时使基板能够和亲电路工作层具有良好的相容性能；进一步地，通过流延叠层的方法，将工作层设计为亲电路的材料层，改善基板与电路之间的附着性，提高陶瓷基板与覆铜层电路结合强度，减少了传统基板在覆铜前要做一个过渡层处理工艺，提高生产效率，降低生产成本。
一种氧化锆氧化铝陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种细晶强化氧化铝陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202110364988.X在审
发明人：伍尚华;吴昊霖;黎业华;刘磊仁 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种细晶强化氧化铝陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及氧化铝陶瓷材料技术领域。所述氧化铝陶瓷材料由复合粉体制备得到，其中，所述复合粉体包括A l2O3以及稀土氧化物，所述稀土氧化物的含量少于1mo l％。本发明实施例中，通过在氧化铝中添加小于0.1mo l％稀土氧化物，烧结过程生成ReA l O3和Re3A l 5O12，抑制晶粒长大，使氧化铝平均晶粒尺寸不大于4μm。再通过热等静压提高其致密度，从而提高其力学性能，弯曲强度不低于600Mpa，热导率不低于25W/(mK)，满足目前电子产品对氧化铝基板的要求。
一种强化氧化铝陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]高强度高韧性高热导的氧化铝陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202110365052.9在审
发明人：伍尚华;吴昊霖;黎业华;刘磊仁 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强度高韧性高热导的氧化铝陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及氧化铝陶瓷材料技术领域。其中，所述氧化铝陶瓷材料由复合粉体制备得到，其特征在于，以质量分数计，所述复合粉体包括：Al2O3‑La2O3组合物88‑97.8％、Nb2O51‑2％、CeO20‑6％、CaO0.5‑1％、SiO20.5‑2％、MgO0.2‑1％。本发明通过在氧化镧掺杂的氧化铝中加入Nb2O5、CeO2、CaO、SiO2、MgO，并在特定的烧结工艺下制得的陶瓷基板的致密度、弯曲强度、断裂韧性和热导率，分别不低于98％、450MPa、5MPa·m1/2、23W/(mK)。因此，本发明实施例制备得到的陶瓷基板满足电子器件的高强度、高韧性以及高热导需求，能够广泛应用在电子器件基板中。
强度韧性高热氧化铝陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高强韧氧化铝陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202110348767.3在审
发明人：伍尚华;吴昊霖;黎业华;刘磊仁 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种高强韧氧化铝陶瓷材料及其制备方法和应用，涉及氧化铝陶瓷技术领域。所述氧化铝陶瓷材料由复合粉体制备得到，其中，以质量分数计，所述复合粉体包括：Al2O3 40‑89.9％、SiO20.1‑10％、稀土氧化物10‑50％。通过将大量稀土氧化物，SiO2和Al2O3混合，烧结过程中生成Ln4Al2O9或LnAl O3(Ln为La、Ce、Y、Sc、Eu、Nd、Sm、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm)抑制晶粒长，同时S iO2的加入填补了在烧结过程中形成的气孔，有效提高氧化铝的力学性能。本发明实施例提出的氧化铝陶瓷材料的断裂韧性不低于7MPa·m1/2，弯曲强度不低于600MPa。满足对导热要求较低但负载高的电子器件对氧化铝基板高负载承载力的要求。
一种强韧氧化铝陶瓷材料及其制备方法应用