[发明专利]一种集成HJD的SiC DMOSFET器件及其制备方法在审
申请号: | 202211261003.1 | 申请日: | 2022-10-14 |
公开(公告)号: | CN115842056A | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 何艳静;毛雪妮;弓小武;张玉明 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
代理公司: | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人: | 王丹 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种集成HJD的SiC DMOSFET器件及其制备方法,包括:从下至上依次层叠设置的金属化漏极、N+衬底区、N‑外延区;第一和第二P‑base区设置于N‑外延区内;第一和第四P+注入区分别设置于第一和第二P‑base区内,第二和第三P+注入区设置于N‑外延区内;第一和第二N+注入区分别设置于第一和第二P‑base区内;N‑PolySi区设置于第二和第三P+注入区间的N‑外延区上;第一和第二N‑PolySi栅极分别设置于第一和第二栅介质层内,第一和第二栅介质层分别设置于指定栅极区域;金属化源极设置于器件上表面。本发明提高了器件性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成 hjd sic dmosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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