[发明专利]氮化镓反向导通晶体管在审
| 申请号： | 202210394177.9 | 申请日： | 2022-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN114823851A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 刘丹 | 申请（专利权）人： | 晶通半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/47;H01L29/778 |
| 代理公司： | 深圳中细软知识产权代理有限公司 44528 | 代理人： | 袁文英 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市福田区梅林街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓反向导通晶体管，包括自下而上依次为衬底层、缓冲层以及设置在缓冲层上含有一个或多个二维电子气沟道的异质结结构层，异质结结构层上设置有相互分离的源极金属结构层、栅极金属结构层、漏极金属结构层、肖特基接触层；源电极、栅电极、漏电极分别制备在源极金属结构层、栅极金属结构层、漏极金属结构层，肖特基接触层与异质结结构层之间形成有若干离子注入区域，肖特基接触层与异质结结构层环绕离子注入区域之间形成肖特基接触，肖特基接触层与源极金属结构层连接。使用图案化离子注入区域以分配反向电场实现高阻断电压和低泄漏电流，从而使得单一器件具有高反向导电能力和低反向导电压降能力。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 向导 晶体管 | ||
【主权项】：
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