[发明专利]形成半导体装置的方法和半导体封装在审
| 申请号： | 202210273000.3 | 申请日： | 2022-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN115440693A | 公开（公告）日： | 2022-12-06 |
| 发明（设计）人： | 陈又豪;张丰愿;黄博祥;林璟伊;李志纯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/498;H01L21/48;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成半导体装置的方法和半导体封装，形成半导体装置的方法包括：在载体上方形成第一互连件结构；在载体上方形成散热块；在第一互连件结构上方形成多个金属柱；在第一互连件结构和散热块上方形成第一集成电路晶粒；移除载体；使用第一电性连接器和散热连接器将半导体封装附接到第一互连件结构和散热块；以及形成多个外部电性连接器，这些外部电性连接器配置为将每个外部电性连接传输到半导体装置中，散热块与每个外部电性连接电性隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体 装置 方法 封装 | ||
【主权项】：
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