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[发明专利]半导体器件及其制造方法和系统-CN201911063416.7有效
发明人：苏品岱;刘钦洲;陈胜雄;张丰愿;鲁立忠;林彦宏;田丽钧;黄博祥;郑仪侃;卢麒友 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：(产生布局图的)方法包括生成表示半导体器件中的电路的至少一部分的单元，单元至少部分地根据M_2nd层级的第二轨道(M_2nd轨道)和第M_1st层级的第一轨道(M_1st轨道)布置。生成单元包括：基于布局图中为单元选择的位置来选择M_2nd轨道中的一个；生成表示电路的输出引脚的第一M_2nd引脚图案；基本沿着所选择的M_2nd轨道布置第一引脚图案的长轴；生成表示电路的相应输入引脚的第二至第五M_1st引脚图形；基本沿着相应的M_1st轨道中的一个布置第二至第五引脚图案的长轴。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法和系统。
半导体器件及其制造方法系统

[发明专利]生成布局图的方法和半导体器件-CN201910635583.8有效
发明人：张丰愿;刘钦洲;陈胜雄;黄博祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：方法(生成布局图的方法)包括：生成包括第一和第二侧边界的单元(表示电路)，第一和第二侧边界基本平行并沿第一方向延伸，第一线图案是沿第二方向(基本垂直于第一方向)延伸的单元内线图案，并且表示电路内部的第一信号的导体，并且第二线图案沿第一方向延伸并表示电路的第二信号的导体；配置单元内线图案，使得其第一端基本位于第一侧边界内部的最小边界偏移处；并且配置第二线图案使得其部分具有第一端，该第一端在第一侧边界外部延伸基本大于最小边界偏移的突出长度。本申请的实施例还涉及生成布局图的方法和半导体器件。
生成布局方法半导体器件

[发明专利]半导体封装件、半导体器件及其制造方法-CN202310027796.9在审
发明人：张丰愿;林璟伊;黄博祥;余和哲;李志纯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，提供了半导体器件。半导体器件包括第一衬底。半导体器件包括形成在第一衬底上方的多个金属化层。半导体器件包括形成在多个金属化层上方的多个通孔结构。半导体器件包括通过多个通孔结构附接至第一衬底的第二衬底。半导体器件包括设置在多个金属化层的第一金属化层中的第一导线。沿着第一横向方向延伸的第一导线连接至多个通孔结构中的至少第一通孔结构和多个通孔结构中的至少第二通孔结构，第一通孔结构与第二衬底的第一贯通孔结构电接触，第二通孔结构从第一贯通孔结构横向偏移。根据本申请的其他实施例，还提供了半导体封装件和制造半导体器件的方法。
半导体封装半导体器件及其制造方法

[发明专利]分析集成电路的方法、自动化系统和计算机可读介质-CN202210625559.8在审
发明人：林璟伊;张丰愿;陈柏羽;黄博祥;张志伟;李志纯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-02 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：一种方法包括：接收集成电路的布局；基于布局识别至少一个第一网络和至少一个第二网络，其中第一网络沿垂直方向延伸穿过集成电路，并且第二网络沿垂直方向终止于集成电路的中间部分；将集成电路划分为多个网格单元，其中第一网络由多个网格单元的第一子集构成，第二网络由多个网格单元的第二子集构成；估计每个第一网格单元子集的第一热导率；估计每个第二网格单元子集的第二热导率；结合第一热导率和第二热导率，估计集成电路的等效热导率。
分析集成电路方法自动化系统计算机可读介质

[发明专利]形成半导体装置的方法和半导体封装-CN202210273000.3在审
发明人：陈又豪;张丰愿;黄博祥;林璟伊;李志纯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：一种形成半导体装置的方法和半导体封装，形成半导体装置的方法包括：在载体上方形成第一互连件结构；在载体上方形成散热块；在第一互连件结构上方形成多个金属柱；在第一互连件结构和散热块上方形成第一集成电路晶粒；移除载体；使用第一电性连接器和散热连接器将半导体封装附接到第一互连件结构和散热块；以及形成多个外部电性连接器，这些外部电性连接器配置为将每个外部电性连接传输到半导体装置中，散热块与每个外部电性连接电性隔离。
形成半导体装置方法封装

[发明专利]IC结构、操作IC制造系统的方法和IC布局图生成系统-CN201911052409.7有效
发明人： 黄博祥;陈胜雄;柯志欣;张丰愿;万幸仁;田丽钧;许家铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：操作IC制造系统的方法包括：基于所述单元的时序关键路径，确定单元的n型有源区域还是单元的p型有源区域是第一有源区域，在单元的IC布局图中沿单元高度方向定位第一有源区域，第一有源区域具有在垂直于单元高度方向的方向上延伸的第一总数量的鳍。该方法还包括沿单元高度方向在单元中定位第二有源区域，第二有源区域是与第一有源区域的n型或p型相反的n型或p型，并且具有小于第一的总数量的鳍的第二总数量的鳍，并且在该方向上延伸，并且将所述单元的IC布局图存储在单元库中。本发明的实施例还涉及IC结构和IC布局图生成系统。
ic 结构操作制造系统方法布局生成

[发明专利]集成电路、其制造方法及非暂时性存储媒体-CN201710494638.9有效
发明人：陈胜雄;王中兴;张丰愿;鲁立忠;田丽钧;黄博祥;王绍桓;陈庭榆;陈彦宾;陈俊臣;林子恒;郑泰禹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路包括位于衬底与供电导线之间的单元。所述单元包括源极区、接触导线、电源导线以及电源通孔。所述接触导线从所述源极区延伸。所述电源导线耦合至所述接触导线。所述电源通孔内连接所述供电导线与所述电源导线。还提供一种集成电路的制造方法及用于设计及制造集成电路的单元库的计算机可读取非暂时性存储媒体。
集成电路制造方法暂时性存储媒体

[发明专利]标准单元的布线方法及其相关的计算机系统和指令-CN201810980362.X有效
发明人：张丰愿;陈胜雄;江庭玮;林仲德;杨荣展;鲁立忠;黄博祥;陈俊臣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G06F30/394 文献下载
摘要：本发明实施例描述了用于对具有多个引脚的标准单元进行布线的示例性方法及其计算机系统和指令。该方法可以包括修改来自多个引脚的引脚的尺寸，其中，与至少一个引脚的原始位置相比，至少一个引脚与标准单元的边界间隔开的距离增加。该方法也包括将互连从引脚布线至通孔，该通孔放置在位于引脚和边界之间的引脚轨上，并且在互连和来自相邻标准单元的引脚之间插入切割线。该方法还包括验证切割线将互连与来自相邻标准单元的引脚分隔开至少预定距离。
标准单元布线方法及其相关计算机系统指令

[发明专利]开发电子器件的架构设计和制造电子器件的系统及方法-CN201810049128.5有效
发明人：陈胜雄;高章瑞;张丰愿;黄博祥;王绍桓;王新泳;郑仪侃;陈俊臣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了用于开发电子器件的电子架构设计和制造电子器件的系统以及方法。本发明的实施例描述的示例性系统和方法从一个或多个标准单元和/或一个或多个标准单元变型中选择性地挑选以形成电子器件的模拟电路和/或数字电路的电子架构设计。在示例性实施例中，半导体代工厂和/或半导体技术节点可以对将一个或多个标准单元布置到电子器件设计基板面上施加一个或多个电子设计约束。在一些情况下，一个或多个标准单元中的一些在被布置到电子器件基板面上时不能满足一个或多个电子设计约束。在这些情况下，将与这些标准单元相对应的一个或多个标准单元变型布置到电子器件基板面上。
开发电子器件架构设计制造系统方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法和系统-CN201911051119.0有效
发明人： 黄博祥;刘钦洲;陈胜雄;张丰愿;庄惠中;汪孟学;郑仪侃;陈俊臣 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种生成包括第一金属化层级(M_lst层级)的布局图的方法包括：在布局图中识别填充单元和基本上邻接填充单元的第一功能单元；第一功能单元包括第一和第二侧边界、M_lst层级中的第一布线图案，并且表示第一功能单元区域中的相应的第一导体；并且切割图案的第一组和第二组位于第一布线图案的相应部分上面，并且与相应的第一和第二侧边界基本对准；调整第二组的相应的一个或多个选择的切割图案的一个或多个位置，从而相应地延长一个或多个选择的第一布线图案，以便成为跨越第一功能单元的第二边界延伸到填充单元中的相应的第一延长布线图案。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法和系统。
半导体器件及其制造方法系统

[发明专利]封装件及其形成方法-CN202210110709.1在审
发明人：林璟伊;陈又豪;张丰愿;黄博祥;李志纯;陈硕懋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：方法包括形成封装件，这包括：在载体上方形成多个再分布线；以及在载体上方形成散热块。多个再分布线和散热块通过共同的工艺形成。散热块具有第一金属密度，并且多个再分布线具有小于第一金属密度的第二金属密度。方法还包括：在载体上方形成金属杆；将器件管芯放置在散热块正上方；以及将器件管芯和金属杆密封在密封剂中。然后将封装件从载体剥离。本申请的实施例还涉及封装件及其形成方法。
封装及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202210083485.X在审
发明人：段飞帆;张丰愿;卢麒友;黄博祥;陈志良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括位于衬底上的第一导电图案、位于该第一导电图案之上的第二导电图案以及位于该第一导电图案之上的第三导电图案，这些导电图案全部沿第一方向延伸。该第一导电图案与该第二导电图案和该第三导电图案并联电连接。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体封装件和制造方法-CN202210281518.1在审
发明人：鲍新宇;鲁立忠;李志纯;张丰愿;山姆·瓦齐里;黄博祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体封装件和制造方法。公开了包括高热导率模制化合物的封装半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，一种半导体器件包括：第一再分布结构；第一管芯，位于第一再分布结构之上并电耦合到第一再分布结构；第一贯穿过孔，位于第一再分布结构之上并电耦合到第一再分布结构；绝缘层，沿着第一再分布结构、第一管芯以及第一贯穿过孔延伸；以及密封剂，位于绝缘层之上，该密封剂围绕第一贯穿过孔的一部分和第一管芯的一部分，该密封剂包括浓度范围为按体积计70％至约95％的导电填料。
半导体封装制造方法

[发明专利]集成电路、半导体器件及其制造方法-CN201910306010.0有效
发明人：陈致霖;刘钦洲;张丰愿;李惠宇;黄博祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体器件、集成电路及其形成方法。集成电路包括第一半导体晶圆、第二半导体晶圆、第一互连结构、电感器、第二互连结构和衬底通孔。第一半导体晶圆在第一半导体晶圆的正面具有第一器件。第二半导体晶圆接合至第一半导体晶圆。第一互连结构位于第一半导体晶圆的背面之下。电感器位于第一半导体晶圆之下，并且电感器的至少部分位于第一互连结构内。第二互连结构位于第一半导体晶圆的正面上。衬底通孔延伸穿过第一半导体晶圆。电感器通过第二互连结构和衬底通孔连接至至少第一器件。
集成电路半导体器件及其制造方法

[发明专利]封装结构、半导体器件及其制造方法-CN202111262110.1在审
发明人：张丰愿;鲁立忠;李志纯;黄博祥;鲍新宇;山姆·瓦泽里 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：封装结构包括：焊料部件；第一再分布层结构，位于焊料部件上；以及管芯，安装在第一再分布层结构上并且电耦接至第一再分布层结构。第一再分布层结构包括填充有导热介电材料的一个或多个介电层。本申请的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
封装结构半导体器件及其制造方法

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