[发明专利]一种可调节阈值电压的平面型碳化硅MOSFET及其制备方法有效
| 申请号： | 202210244830.3 | 申请日： | 2022-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN114361242B | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 李翔;吴文杰;何浩祥;刘毅 | 申请（专利权）人： | 芯众享（成都）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都鼎胜专利代理事务所(普通合伙) 51356 | 代理人： | 李想 |
| 地址： | 610000 四川省成都市中国（四川）*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可调节阈值电压的平面型碳化硅MOSFET及其制备方法，属于半导体的技术领域，该平面型碳化硅MOSFET通过将N+区在栅极下的边缘部分的掺杂浓度降低，以在N+区边缘形成一个低注入剂量区，同时，该平面型碳化硅MOSFET的制备方法，其通过在传统的高剂量N+注入步骤前，增加一次低剂量自对准注入，进而在N+区边缘形成一个低注入剂量区，进而降低在低栅压下的源漏电流，以实现从技术上提高阈值电压，同时又不显著影响器件的导通电阻，解决了目前面临阈值电压和导通电阻相矛盾的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调节 阈值 电压 平面 碳化硅 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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