[发明专利]屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件在审
| 申请号： | 202210143978.8 | 申请日： | 2022-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN114188410A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 周振强 | 申请（专利权）人： | 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种屏蔽栅沟槽型功率MOSFET器件，在屏蔽栅的两侧设置浮空栅，使得没有大面积的屏蔽栅与漂移区直接通过介质层组成电容，在相同耐压、相同导通电阻下，漏源电容可以做得更小，降低了开关损耗，提高了器件的效率。进一步的，本发明中屏蔽栅底部与顶部相对于浮空栅有适当长度的外露，在相同偏压下，将设置浮空栅对漂移区耗尽效果的影响降到更低，减小了对器件耐压性能影响。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 沟槽 功率 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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