[发明专利]基于二维半导体沟道的双铁电栅晶体管在审
申请号: | 202210091286.3 | 申请日: | 2022-01-26 |
公开(公告)号: | CN114464681A | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
发明(设计)人: | 刘艳;罗拯东;杨麒玉;檀东昕;韩根全;郝跃 | 申请(专利权)人: | 西安电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L21/34 |
代理公司: | 西安文盛专利代理有限公司 61100 | 代理人: | 佘文英 |
地址: | 710071*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明公开了一种基于二维半导体沟道的双铁电栅晶体管,弥补了传统铁电场效应二维晶体管在存内计算方面的不足。包括在衬底上依次由上至下竖直分布的顶栅电极层、顶部铁电层、二维半导体沟道层、底部铁电层、底栅电极层;源极、漏极分别位于顶部铁电层两侧。底栅电极、漏极、源极和顶栅电极层采用金属Au材料,二维半导体沟道层采用MoS |
||
搜索关键词: | 基于 二维 半导体 沟道 双铁电栅 晶体管 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学,未经西安电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202210091286.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种地质灾害监测预警方法及系统
- 下一篇:一种升降旋转装置
- 同类专利
- 专利分类