[发明专利]基于二维半导体沟道的双铁电栅晶体管在审

专利信息
申请号: 202210091286.3 申请日: 2022-01-26
公开(公告)号: CN114464681A 公开(公告)日: 2022-05-10
发明(设计)人: 刘艳;罗拯东;杨麒玉;檀东昕;韩根全;郝跃 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: H01L29/78 分类号: H01L29/78;H01L21/34
代理公司: 西安文盛专利代理有限公司 61100 代理人: 佘文英
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于二维半导体沟道的双铁电栅晶体管,弥补了传统铁电场效应二维晶体管在存内计算方面的不足。包括在衬底上依次由上至下竖直分布的顶栅电极层、顶部铁电层、二维半导体沟道层、底部铁电层、底栅电极层;源极、漏极分别位于顶部铁电层两侧。底栅电极、漏极、源极和顶栅电极层采用金属Au材料,二维半导体沟道层采用MoS2或MoTe2材料,底部铁电层和顶部铁电层均采用P(VDF‑TrFE)材料。本发明通过双铁电栅耦合效应对TMDC沟道进行电调控,实现对于TMDC沟道的非易失导电率调整。同时,双铁电栅二维晶体管采用上下铁电层的独立极化作为两个逻辑输入,可根据双铁电栅中极化方向的4种不同组合实现双输入布尔存储逻辑运算及其逻辑态的非易失保持,从而得到存内计算的功能。
搜索关键词: 基于 二维 半导体 沟道 双铁电栅 晶体管
【主权项】:
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