[发明专利]一种芯片的处理方法及预键合晶圆结构在审
| 申请号： | 202210072839.0 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN116504650A | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 张永会 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/67;H01L21/60;H01L23/31;H01L25/065;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 张李静;胡春光 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种芯片的处理方法，所述处理方法包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括多个第一芯片；切割所述第一晶圆以使得多个所述第一芯片从所述第一晶圆分离；在所述第一芯片的侧壁形成保护层，所述保护层包括光分解材料。通过在第一芯片的侧壁形成含光分解材料的保护层，一方面保护层的设置可以对芯片起到保护作用，缓解后续工艺中芯片损伤、芯片侧壁颗粒污染带来的封装性能差等问题；另一方面，含光分解材料的保护层经光照可以实现无损剥离，不会给芯片引入额外损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 处理 方法 预键合晶圆 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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