[发明专利]一种齐纳二极管及齐纳二极管制作方法在审
| 申请号： | 202210072201.7 | 申请日： | 2022-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN114551567A | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 郝雪东;李大哲;于航 | 申请（专利权）人： | 吉林华微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/866;H01L21/329 |
| 代理公司： | 成都极刻智慧知识产权代理事务所(普通合伙) 51310 | 代理人： | 张红平 |
| 地址： | 132000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供的齐纳二极管及齐纳二极管制作方法，齐纳二极管包括衬底、位于衬底一侧的掺杂区。掺杂区包括环形掺杂区及位于环形掺杂区的中心区域的中心掺杂区，环形掺杂区包括第一环形掺杂区及第二环形掺杂区，其中，第一环形掺杂区位于所述中心掺杂区的外周，第二环形掺杂区位于第一环形掺杂区的外周，第一环形掺杂区的掺杂深度大于中心掺杂区的掺杂深度以及第二环形掺杂区的掺杂深度。如此设置，在齐纳二极管两端施加反向击穿电压时，可以分两次击穿，首先由中心掺杂区所对应的位置先击穿，然后整个环形掺杂区所对应的位置击穿，由于中心掺杂区的直径较小产生的漏电流较小，可以改善产品的击穿特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 齐纳二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
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