[发明专利]半导体装置结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202210020735.5 | 申请日： | 2022-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN114597250A | 公开（公告）日： | 2022-06-07 |
| 发明（设计）人： | 杨世海;杨柏峰;蔡庆威 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供半导体装置结构及其形成方法。半导体装置结构包括基板。半导体装置结构包括第一纳米结构，位于基板上。半导体装置结构包括栅极堆叠，位于基板上且围绕第一纳米结构。半导体装置结构包括第一源极/漏极层，围绕第一纳米结构且邻近栅极堆叠。半导体装置结构包括接触结构，围绕第一源极/漏极层，其中接触结构的第一部分位于第一源极/漏极层与基板之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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