[发明专利]一种碳化硅陶瓷材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202111579303.X | 申请日： | 2021-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN116375476A | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨勇;刘盟;黄政仁;刘岩;刘学建;姚秀敏;魏玉全 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/575 | 分类号： | C04B35/575;C04B35/645;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅陶瓷材料的制备方法，包括如下步骤：步骤(1)、将烧结助剂溶于水中加热溶解配成混合溶液，将该混合溶液、碳化硅粉末和溶剂经过球磨混合，得到陶瓷浆料；步骤(2)、将步骤(1)得到的陶瓷浆料烘干、脱粘、研磨、过筛，得到原料粉体；步骤(3)、将步骤(2)得到的原料粉体置于模具中经过热压烧结后，即得所述碳化硅陶瓷。本发明还提供了一种上述制备方法制备的碳化硅陶瓷材料。本发明涉及一种适用于半导体制造的高纯度、高导热性的碳化硅陶瓷材料及其制备方法，采用碳源和硼源作为烧结助剂，同时以液相的形式引入硼源，提高了其分散性，以最低的添加量使SiC陶瓷致密化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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