[发明专利]半导体结构的制作方法在审
| 申请号： | 202111170622.5 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN113921388A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 蒋光浩 | 申请（专利权）人： | 鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;徐川 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体结构的制作方法包括以下操作。形成堆叠结构于基板上，堆叠结构包括交替堆叠的复数个半导体层和复数个牺牲层，其中这些牺牲层含有锗，这些牺牲层的锗浓度由下往上递减。形成虚拟闸极结构于堆叠结构上。形成间隙壁于虚拟闸极结构的两侧。移除虚拟闸极结构，从而形成开口。从开口移除这些牺牲层。形成闸极结构，覆盖这些半导体层。在另一制作方法中，堆叠结构包括交替堆叠的复数个半导体层和复数个牺牲层，其中这些半导体层的厚度由下往上递增，或是这些牺牲层的厚度由下往上递增。上述堆叠结构的设计能够避免移除牺牲层后可能发生的半导体层形状不均问题，而使剩下的半导体层形状一致，具有类似的厚度及宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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