[发明专利]含惰性气体原子的晶格损伤层的重结晶方法在审
| 申请号： | 202111105985.0 | 申请日： | 2021-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN113851373A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 何力;骆军委;温书育;朱元昊;刘昊文;管闪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;H01L21/268 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 樊晓 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含惰性气体原子的晶格损伤层的重结晶方法，包括：制备一种表面具有晶格损伤的晶体材料，其中，晶体材料的晶格损伤层含有惰性气体原子；利用脉冲激光对晶格损伤层进行辐照使晶格损伤层熔融；通过液相外延生长，获得晶格损伤层的重结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 惰性气体 原子 晶格 损伤 重结晶 方法 | ||
【主权项】：
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
