[发明专利]一种改善热退火中后道连接工艺钨塞缺陷的方法在审
| 申请号： | 202110719982.X | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN113571634A | 公开（公告）日： | 2021-10-29 |
| 发明（设计）人： | 周显;陈文静;刘宏喜;曹凯华;王戈飞 | 申请（专利权）人： | 北京超弦存储器研究院 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京墨丘知识产权代理事务所(普通合伙) 11878 | 代理人： | 代峰;谷轶楠 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区经*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种改善热退火中后道连接工艺钨塞缺陷的方法，涉及隧穿磁电阻领域，包括在放置的晶圆衬底片表面完成磁隧道结多层膜堆结构生长后继续进行硬掩模生长，以此增强整体磁阻结构稳定性，避免发生钨塞损伤或膜堆翘起，硬掩模生长完成后进行退火处理，过程中对于退火条件选取，仅需依照对磁阻功能稳定性进行考虑，由于未对退火温度和退火时间进行降低调整，使MTJ制备过程处于稳定状态，性能未受负向影响，且仅改变退火作业顺序，对后制程进行性问题影响性较小，具备可实施性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 退火 中后道 连接 工艺 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京超弦存储器研究院，未经北京超弦存储器研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110719982.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 磁阻传感器的制备方法及磁阻传感器-202211056852.3
- 田金鹏;张文伟;杨光帅;王宝杰;吕志坚;贾原;宋秋明;张智星;欧阳夏 - 深圳技术大学
- 2022-08-30 - 2022-12-02 - H01L43/12
- 本申请涉及一种磁阻传感器的制备方法及磁阻传感器，包括：提供衬底，所述衬底设有集成电路；于所述衬底表面沉积n层二氧化硅膜层，其中，最远离所述衬底的一层所述二氧化硅膜层的致密度大于最靠近所述衬底的一层所述二氧化硅膜层的致密度，n≥2；于所述二氧化硅膜层的表面形成磁性材料层；于所述磁性材料层表面形成叠层结构，所述叠层结构用于与所述磁性材料层、所述集成电路和n层所述二氧化硅膜层共同构成磁阻传感器。通过多步沉积二氧化硅膜层，所述膜层形成参数渐变的结构，使得磁性材料在高温中发生微区组分再分布的几率降低，避免了磁性材料的性能衰退，从而提升磁阻传感器的性能。
- 一种三轴磁传感器及其制备方法-201910464493.7
- 王俊杰;张振兴 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 2019-05-30 - 2022-12-02 - H01L43/12
- 本发明提供了一种三轴磁传感器及其制备方法，所述三轴磁传感器的制备方法中，以图形化的所述光刻胶层为掩模，对所述硬掩模层进行各向同性刻蚀，暴露出所述第一凹槽的侧壁上的Z轴磁阻结构，再去除所述光刻胶层，以在所述第二凹槽中形成COMS晶体管与AMR的互连通孔时，通过对所述硬掩模层进行各向同性刻蚀，使得第一凹槽侧壁上的硬掩模层可以一次性被去除，从而减少了工艺步骤，降低了生产成本，还提高了三轴磁传感器中Z轴磁阻条的反应灵敏度，提高了三轴磁传感器的性能。另外，本发明使用的各向同性刻蚀工艺和去除光刻胶层的工艺在同一个设备中进行，无需更换设备，缩短了工艺时间，降低了生产成本。
- 半导体结构及其形成方法-201910309884.1
- 吴荣堂;何瑞鸿;李锦思;吴孟谕;吴思桦 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2019-04-17 - 2022-11-29 - H01L43/12
- 本发明的实施例描述了一种可以防止或减少Cu从互连层向磁隧道结(MTJ)结构向外扩散的示例性方法。该方法包括在衬底上形成互连层，该互连层包括其中具有开口的层间介电叠层；在开口中设置金属以形成相应的导电结构；以及选择性地在金属上沉积扩散阻挡层。在该方法中，选择性地沉积扩散阻挡层包括对金属表面进行预处理；设置前体以在金属上选择性地形成部分分解的前体层；以及将部分分解的前体层暴露于等离子体以形成扩散阻挡层。方法还包括在扩散阻挡层上方的互连层上形成MTJ结构，其中MTJ结构的底部电极与扩散阻挡层对准。本发明的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。
- 一种具有M型磁阻曲线器件的制备方法-202010772285.6
- 李慕禅;田仲政;彭沛;于学敏;于达程;任黎明;傅云义 - 北京大学
- 2020-08-04 - 2022-11-25 - H01L43/12
- 本发明公开了一种在垂直于衬底表面的磁场下具有M型磁阻曲线的器件的制备方法。该方法基于各向异性磁阻对电流流向与磁场方向之间的夹角非常敏感的特点，通过在沟道中间搭建构型体制作立体的三维复合型沟道，以此来改变沟道电流流向，使沟道电流具有水平与垂直两种流向，从而得到水平磁阻与垂直磁阻相叠加而产生的M型磁阻曲线。该种器件的尺度可在纳米到微米尺度之间调整，并且器件的磁阻特征可以通过改变沟道材料、沟道尺寸、构型物尺寸来调整。该种器件具备尺寸可控、可集成、工艺简单等特点。
- 磁性随机存取存储器及其制造方法-201910560580.2
- 应继锋;侯敦晖 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2019-06-26 - 2022-11-18 - H01L43/12
- 本发明的实施例提供了一种磁性随机存取存储器及其制造方法。半导体器件包括磁性随机存取存储器(MRAM)单元。MRAM单元包括：设置在衬底上方的第一磁性层、由非磁性材料制成并且设置在第一磁性层上方的第一非磁性材料层、设置在第一非磁性材料层上方的第二磁性层，以及设置在第二磁性层上方的第二非磁性材料层。第二磁性层包括彼此分离的多个磁性材料片。
- 一种利用单晶器件中反常自旋流来提高翻转速度的方法-202210775267.2
- 隋文波;杨德政;薛德胜;司明苏 - 兰州大学
- 2022-07-01 - 2022-11-11 - H01L43/12
- 本发明公开一种利用单晶器件中反常自旋流来提高电流翻转效率的方法，通过将晶格的对称点群和铁磁序结合，在具有面内磁化的单晶铁磁薄膜中产生了类似于Dresselhaus自旋电流。对称性分析和宏观自旋模型计算表明，这种反常自旋电流引起的二次谐波霍尔电压在薄膜平面上表现出反对称角度依赖性，这与传统Rasha自旋电流引起的传统对称角度依赖性不同。这种反常自旋电流随铁磁层的厚度呈指数衰减，表明其来源于界面效应。通过进一步插入外延V层来改变铁磁界面，该自旋电流可以大大提高一个数量级，这导致自旋轨道扭矩(SOT)高达3.9×10
- 一种磁性存储单元的加工方法、磁性随机存储器及设备-201910842365.1
- 吕飞;叶力 - 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
- 2019-09-06 - 2022-11-11 - H01L43/12
- 本发明涉及磁性随机存储器领域，特别涉及一种磁性存储单元的加工方法、磁性随机存储器及设备，包括：在基底上依次淀积固定层、势垒层和自由层得到基础磁性存储单元；对所述基础磁性存储单元进行处理得到目标磁性存储单元；其中，对所述基础磁性存储单元进行处理包括对所述基础磁性存储单元进行缺陷化处理和/或对所述基础磁性存储单元进行杂质化处理。本申请实施例所述的加工方法可降低磁隧道结写入电压脉冲的幅值和宽度，提高磁隧道结写入速度，并且与现有的磁隧道结制程相融合，具有广泛的应用前景。
- 一种制作磁性随机存储器单元阵列及其周围电路的方法-201711011785.2
- 肖荣福;张云森;郭一民;陈峻 - 上海磁宇信息科技有限公司
- 2017-10-25 - 2022-11-08 - H01L43/12
- 本发明提供了一种制作磁性随机存储器单元阵列及其周围电路的方法，步骤如下：(1)提供表面抛光的带金属连线的CMOS基底，并在其上制作底电极通孔，然后在底电极通孔中填充金属铜；(2)在底电极通孔上制作底电极接触；(3)在存储区域制作磁性隧道结结构单元，磁性隧道结结构单元由底种子层、磁性隧道结多层膜和顶硬掩膜层组成；(4)在逻辑区域制作顶电极通孔和实现逻辑单元/存储单元相连接的金属铜连线。由于在磁性隧道结的下面增加了一层底电极接触，有效的避免了CMOS后段铜通孔与制作磁性隧道结阵列中的刻蚀工艺直接接着，有利于器件电学性能和良率的提升，同时极大地降低了工艺复杂程度和制造成本。
- 一种制作超小型高密度磁性随机存储器单元阵列的方法-201711377375.X
- 张云森 - 上海磁宇信息科技有限公司
- 2017-12-19 - 2022-11-08 - H01L43/12
- 本发明提供了一种制作超小型高密度磁性随机存储器单元阵列的方法，通过在磁性隧道结多层膜和硬掩模层之间添加一层缓冲膜层，并在缓冲膜层侧壁留下收集溅射副产物的凹槽，从而使刻蚀副产物尽量少的到达磁性隧道结的底部。该方法包括如下步骤：步骤一、提供CMOS基底，并在基底上沉积底电极层、磁性隧道结多层膜、缓冲膜层和硬掩模层；步骤二、图形化定义磁性隧道结图案，转移图案到缓冲膜层的顶部；步骤三、刻蚀缓冲膜层，并对缓冲膜层的侧壁进行过刻蚀；步骤四、对磁性隧道结多层膜和底电极层进行刻蚀。采用这种结构，增加了刻蚀/沉积速率比，非常有利于磁性隧道的小型化和进行高密度磁性随机存储器阵列的制作。
- 一种磁性随机存储器的制作方法-201711477097.5
- 张云森 - 上海磁宇信息科技有限公司
- 2017-12-29 - 2022-11-04 - H01L43/12
- 本发明提供了一种磁性随机存储器的制作方法，包括如下步骤：(1)在基底上沉积底电极金属层、磁性隧道结多层膜和硬掩模；(2)图形化并刻蚀硬掩模和磁性隧道结多层膜，以形成存储器记忆单元，然后沉积第一覆盖层覆盖磁性隧道结和剩余的硬掩模；(3)图形化并刻蚀形成底电极和假底电极，然后沉积第二覆盖层覆盖被刻蚀暴露的底电极和假底电极边缘；(4)沉积电介质并磨平，然后在存储区域制作位线通孔，在逻辑区域制作逻辑通孔。由于在图案化磁性隧道结之后，才对底电极进行图案化，将会避免先进行图案化带来的底电极顶部的表面不平整；由于多加了一道底电极掩模，可以随意调整底电极的大小，有效避免了底电极太小带来的铜损伤或刻蚀不足。
- 一种制备磁性隧道结单元阵列的方法-201910517322.6
- 张云森;郭一民;肖荣福;陈峻 - 上海磁宇信息科技有限公司
- 2019-06-14 - 2022-11-04 - H01L43/12
- 本发明公开了一种制备磁性隧道结单元阵列的方法，具体为，提供表面抛光的带金属连线Mx(x≥1)的CMOS基底；在表面抛光的带金属连线Mx的CMOS基底上，制作底电极通孔；在底电极通孔之上，制作底电极接触/底电极；在平坦化的底电极之上，沉积磁性隧道结多层膜和顶电极，图形化定义磁性隧道结图案，并对顶电极、磁性隧道结和底电极金属进行刻蚀，最后，在刻蚀之后的磁性隧道结的周围沉积一层绝缘覆盖层。该制备磁性隧道结单元阵列的方法，选择在表面抛光的CMOS金属连线上，制作W底电极通孔、非Cu底电极接触/底电极、磁性隧道结和顶电极，并使BEV、BEC、BE、MTJ和TE依次向上叠加并对齐。
- 磁阻式随机存取存储器及其制造方法-201810980685.9
- 林世杰;于淳;威廉·J·加拉格尔 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2018-08-27 - 2022-11-01 - H01L43/12
- 本发明的实施例提供了磁阻式随机存取存储器及其制造方法。在制造半导体器件的方法中，形成磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元结构。MRAM单元结构包括底电极、磁隧道结(MTJ)堆叠件和顶电极。在MRAM单元结构上方形成第一绝缘覆盖层。在第一绝缘覆盖层上方形成第二绝缘覆盖层。形成层间介电(ILD)层。在ILD层中形成接触开口，从而暴露第二绝缘覆盖层。去除第二绝缘覆盖层的部分和第一绝缘覆盖层的部分，从而暴露顶电极。在与顶电极接触的开口中形成导电层。第二绝缘覆盖层具有吸氧特性。
- 一种硬掩模的制备方法及磁随机存储器的制备方法-202110466646.9
- 王曙光;左正笏;李辉辉 - 浙江驰拓科技有限公司
- 2021-04-28 - 2022-10-28 - H01L43/12
- 本发明提供了一种硬掩模的制备方法及磁随机存储器的制备方法，基于初始硬掩模和介质包覆层组成的硬掩模对磁性隧道结薄膜进行刻蚀时，由于介质包覆层包覆初始硬掩模的侧面，进而能够避免在对磁性隧道结薄膜进行刻蚀时，初始硬掩模的侧面导电材质被刻蚀溅射至磁性隧道结薄膜处的情况出现，保证磁随机存储器的制备良率。
- 形成磁阻式随机存取存储器单元的方法-201810579866.0
- 洪庆文;李昆儒 - 联华电子股份有限公司
- 2018-06-07 - 2022-10-28 - H01L43/12
- 本发明公开一种形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，包含有下述步骤。首先，形成一第一介电层于一基底上，其中第一介电层包含一第一金属线。接着，形成一图案化第二介电层覆盖第一介电层，其中图案化第二介电层包含一凹槽暴露出第一金属线。接续，形成一阻障层顺应覆盖凹槽以及图案化第二介电层。续之，一金属填满凹槽以及覆盖阻障层。继之，以阻障层为一停止层平坦化金属至暴露出阻障层。后续，形成一磁性隧穿接面以及一顶电极覆盖金属，因而形成一磁阻式随机存取存储器单元。
- 蚀刻方法-202210269105.1
- 久保卓也;前原大树 - 东京毅力科创株式会社
- 2022-03-18 - 2022-10-18 - H01L43/12
- 本发明涉及蚀刻方法。提供在使用物理溅射现象的加工方法中，抑制溅射的原子向蚀刻侧壁附着的技术。在一个实施方式的蚀刻方法中，通过使用等离子体中的离子的溅射对晶圆进行蚀刻。在晶圆中，将包含难挥发性材料的多层膜的表面上的掩模层的高度(h)除以限定露出表面的露出空间的一部分的邻接的掩模层的两个侧壁在表面形成的间隔(D)得到的纵横比(h/D)满足将侧壁相对于与侧壁交叉且垂直于表面的垂直面的倾斜角度设为θ、将通过溅射产生的离子向垂直面的入射角度的上限值设为
- 一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结及其制备方法-202011432991.2
- 文丹丹;陈霞;骆大森;黎人溥;崔巍;邸克;刘宇 - 重庆邮电大学
- 2020-12-10 - 2022-10-18 - H01L43/12
- 本发明公开了一种石墨烯掺杂全柔性磁电异质结及其制备方法，属于功能复合材料制备技术领域。柔性聚酰亚胺衬底、多层石墨烯薄膜、P(VDF‑TrFE)铁电层、金属铁磁层和钽保护层从下至上依次设置；本发明的CO
- 半导体结构的制备方法及半导体结构-202110340736.3
- 吴玉雷 - 长鑫存储技术有限公司
- 2021-03-30 - 2022-10-04 - H01L43/12
- 本发明提出一种半导体结构的制备方法及半导体结构；半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底中形成底部接触结构；在所述底部接触结构上形成存储单元；形成包覆所述存储单元的屏蔽结构，其中，所述屏蔽结构包括多个交替布置的介质层和屏蔽层。本发明能够使得半导体结构利用上述屏蔽层和介质层实现对电磁场的多重反射以及吸收，以实现对电磁场更佳的屏蔽效果。
- 一种自旋波传输特征的应力调控单元结构和方法-202010646049.X
- 周浩淼;年迪青;施胜宾;朱明敏;邱阳;杨浛;郁国良 - 中国计量大学
- 2020-07-07 - 2022-10-04 - H01L43/12
- 本发明公开了一种自旋波传输特征的应力调控单元结构和方法，包括以下步骤：通过对附着在控制层上下表面的电极施加电场，使控制层产生应力变化，应力变化通过界面接触传递至附着在控制层上的自旋波波导层，由于逆磁致伸缩效应，自旋波波导层材料的磁各向异性发生变化，实现对自旋波传输特征的调控，其中控制层为铁电或压电材料。本发明可以通过电场控制自旋波波导的磁各向异性的连续性改变，可以高效、快速实现对自旋波传输特征的局部精确控制，为超低功耗和传统CMOS工艺流程兼容的磁振子学器件实际应用提供了可能。
- 三维存储器及其制备、操作方法及系统-202210719372.4
- 黎姗;赵冬雪;孙昌志;刘小欣;夏志良;霍宗亮 - 长江存储科技有限责任公司
- 2022-06-23 - 2022-09-27 - H01L43/12
- 本申请提供了一种三维存储器及其制备方法、操作方法及存储器系统，所述方法包括：在衬底上形成包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层的叠层结构，并形成贯穿叠层结构的多个孔；对靠近孔的部分牺牲层进行刻蚀，以形成第一凹槽；在第一凹槽内形成铁磁自由层；以及在孔内壁依次形成隧穿绝缘层和铁磁钉扎层。
- MTJ器件的制作方法-201911187275.X
- 简红 - 浙江驰拓科技有限公司
- 2019-11-27 - 2022-09-20 - H01L43/12
- 本发明提供一种MTJ器件的制作方法，所述方法包括：在衬底上沉积参考层薄膜、势垒层薄膜和自由层薄膜；在所述自由层薄膜上采用射频磁控溅射工艺沉积第一金属氧化物薄膜；在所述第一金属氧化物薄膜上采用直流磁控溅射工艺沉积第一金属薄膜；对所述第一金属薄膜进行氧化处理，以形成第二金属氧化物薄膜。本发明能够在自由层薄膜和第一金属氧化物薄膜之间形成均匀氧化的界面结构，使得自由层的矫顽力比较均匀。
- 用于处置氧化镁膜的方法-202180012161.0
- 王晓东;雷努·辉格;雷建新;汪荣军 - 应用材料公司
- 2021-04-01 - 2022-09-09 - H01L43/12
- 一种形成磁阻随机存取存储器(MRAM)结构的隧道层的方法包括：通过利用射频(RF)功率溅射MgO靶材来形成第一氧化镁(MgO)层；将第一MgO层暴露给在大约10sccm至大约15sccm的流量下的氧气大约5秒至大约20秒；和通过利用RF功率溅射MgO靶材而在第一MgO层上形成第二MgO层。该方法可在处理腔室的定期维护之后执行，以增加隧道层的隧道磁阻(TMR)。
- 一种基于应力增强铁磁/重金属薄膜体系中电荷流-自旋流有效转换效率的方法-201910883643.8
- 刘二;张志;张想;徐锋 - 南京理工大学
- 2019-09-18 - 2022-09-06 - H01L43/12
- 本发明属于自旋电子技术领域，具体涉及一种基于应力增强铁磁/重金属薄膜体系中电荷流‑自旋流有效转换效率的方法。该方法是，利用柔性基底可弯曲特性在铁磁/重金属薄膜生长过程中施加预应力的方式增强上述铁磁/重金属薄膜体系中电荷流‑自旋流有效换效率。本发明的方法实施简单易行，实现电荷流与自旋流的高效转换，有助于基于自旋轨道耦合的电子器件的开发，具有重要的科学意义和实用价值。
- 半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器-202210577519.0
- 刘晓阳;王晓光 - 长鑫存储技术有限公司
- 2022-05-25 - 2022-09-02 - H01L43/12
- 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器，该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底上依次形成磁性复合层和转移掩膜层；在转移掩膜层上进行第一掩膜刻蚀过程和第二掩膜刻蚀过程，以在转移掩膜层中形成阵列排布的多个转移图案；第一掩膜刻蚀过程的掩膜图案的形状包括条状，第二掩膜刻蚀过程的掩膜图案的形状包括点状；沿转移图案刻蚀磁性复合层，以形成阵列排布的多个柱状结构，柱状结构形成磁性隧道结；相邻的柱状结构之间具有间隙隔离。本申请能够便于制备具有高密度的磁性隧道结的半导体结构，并且可以有效调整磁性隧道结的尺寸，减小半导体结构的制备难度。
- 半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器-202210577529.4
- 刘晓阳;王晓光 - 长鑫存储技术有限公司
- 2022-05-25 - 2022-09-02 - H01L43/12
- 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构和存储器，该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；在衬底上依次形成磁性复合层和转移掩膜层；在转移掩膜层上进行多次掩膜刻蚀过程，以在转移掩膜层中形成阵列排布的多个掩膜图案，至少部分掩膜图案之间的转移掩膜层形成转移图案；沿转移图案刻蚀磁性复合层，以形成阵列排布的多个柱状结构，柱状结构形成磁性隧道结。相邻的柱状结构之间具有间隙隔离。本申请便于制备具有高密度的磁性隧道结的半导体结构，并且能够有效调整磁性隧道结的尺寸，降低半导体结构的制备难度。
- 集成磁通门器件的选择性图案化-201780014032.9
- L·A·斯特林格;M·艾莎;B·小舒力沃;S·切瓦恰罗恩库尔;M·R·基米奇;S·拉文库尔;M·L·詹森 - 德克萨斯仪器股份有限公司
- 2017-03-16 - 2022-08-16 - H01L43/12
- 在所描述的示例中，一种方法包括形成蚀刻停止层(151)、第一钛层(312)、磁芯(130)、第二钛层(342)，以及图案化第一钛层(312)和第二钛层(342)。蚀刻停止层(151)形成在衬底上方。第一钛层(312)形成在蚀刻停止层(151)上。磁芯(130)形成在第一钛层(312)上。第二钛层(342)具有第一部分和第二部分，该第一部分与第一钛层(312)封装磁芯(130)，该第二部分在磁芯(130)之外与第一钛层(312)接合。第一钛层(312)和第二钛层(342)的图案化包括在磁芯区(170)上方形成掩模(352)，并且使用钛蚀刻剂(356，357)和氧化钛蚀刻剂(358)蚀刻由掩模(352)暴露出的第一钛层(312)和第二钛层(342)。
- 一种大面积石墨烯基磁阻器件的制备方法-202010961320.9
- 彭蠡;文章;高超 - 杭州高烯科技有限公司
- 2020-09-14 - 2022-08-09 - H01L43/12
- 本发明公开了一种大面积石墨烯基磁阻器件的制备方法，此方法利用简单的热力学调控，通过烧结温度和时间调控，得到了趋向于30度堆叠角度的石墨烯薄膜结构。此薄膜兼具石墨材料稳定性和乱层石墨或者石墨烯的弱耦合电子云状态。将此薄膜上下用金属连接构成欧姆接触，至于磁场下，随着磁场强度波段，石墨烯膜垂直磁阻会随之变化，因此可以制备成磁阻器件，用于检测磁场强度的变化。
- 应用于三轴磁传感器的金属层刻蚀方法-202210420604.6
- 张振兴 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 2022-04-20 - 2022-07-29 - H01L43/12
- 本申请公开了一种应用于三轴磁传感器的金属层刻蚀方法，包括：提供一衬底，该衬底包括三维区域和二维区域，三维区域形成有具有三维形貌的磁传感器，三维区域和二维区域上形成有金属层，金属层从下而上依次包括第一金属层、第二金属层和第三金属层；在第三金属层上覆盖光阻，使目标区域的第三金属层暴露；进行第一刻蚀，刻蚀至第二金属层中的目标深度，形成第一沟槽，在进行第一刻蚀的过程中，通过提高钝化气体的流量比例使第一沟槽呈现为开口宽度大于底端宽度的形貌；进行第二刻蚀，刻蚀停止至第一金属层的表面，形成第二沟槽，在进行第二刻蚀的过程中，通过提高钝化气体的流量比例使第二沟槽呈现为开口宽度大于底端宽度的形貌。
- 一种压控三态磁存储单元的实现方法-202010040488.6
- 唐晓莉;刘梦丽;杜伟;苏桦 - 电子科技大学
- 2020-01-15 - 2022-07-26 - H01L43/12
- 一种压控三态磁存储单元的实现方法，属于磁存储技术领域。以压电基片作为基底，在压电基片的上下表面生长导电层，作为对压电基片施加电压的上电极和下电极，然后在上电极上依次形成磁性存储层和保护层，其中，所述磁性存储层的磁矩初始态为45度角方向，此时可获得一中间值大小的电阻态，在压电基片上施加不同大小的电压，可获得高电阻态和低电阻，这样就可实现高、中、低三种电阻态。本发明通过在压电基片上不施加、施加大于或小于压电基片矫顽电场的电压，来获得高、中、低三种稳定的存储态实现三态存储。由于该三种存储状态只需通过电压大小调制，因此具有结构简单、容易设计且功耗低等优点。
- 磁传感器的制备方法-202011222661.0
- 赵海轮;冷群文;邹泉波;安琪;周汪洋;丁凯文;周良 - 歌尔微电子有限公司
- 2020-11-05 - 2022-07-22 - H01L43/12
- 本发明公开一种磁传感器的制备方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成第一绝缘层，在所述第一绝缘层上形成磁阻复合层，采用光刻技术在所述磁阻复合层表面形成沉积槽，并在所述沉积槽内形成薄膜电极；在所述磁阻复合层以及所述薄膜电极的表面形成第二绝缘层，采用光刻技术去除所述工艺磁阻复合层对应的所述第二绝缘层，以使得所述工艺磁阻复合层表面显露；以所述有效磁阻复合层对应的第二绝缘层为硬质掩膜，刻蚀所述工艺磁阻复合层；采用光刻技术去除部分所述硬质掩膜，以使得所述薄膜电极的表面至少部分显露，提高了所述有效磁阻复合层成型精度，进而提高了产品质量，具有较好的效果。
- 一种基于二维材料的反对称磁电阻器件制备方法-202110125771.3
- 普勇;曹志;钮伟 - 南京邮电大学
- 2021-01-29 - 2022-07-22 - H01L43/12
- 本发明公开了一种基于二维材料的反对称磁电阻器件制备方法，首先制备金属电极；采用匀胶机在硅衬底上旋涂PMMA，用电子束曝光机曝光硅衬底，在EBL系统上设计出输运测量结构区域，并进行曝光；将曝光后的硅衬底放置于显影液中进行显影操作，然后放置于异丙醇中定影；在定影后的硅衬底上蒸镀Ti/Au金属层，并在丙酮中剥离，获取金属电极；然后筛选出厚度不均匀的Fe
- 专利分类
