[发明专利]一种铁电二维场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110488620.4 | 申请日： | 2021-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN113206149A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 普勇;韩伟博;杨家驹;郭欣蕾;钮伟;魏陆军 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/24;H01L29/78;H01L21/34 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董成 |
| 地址： | 210012 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种铁电二维场效应晶体管及其制备方法，晶体管包括由下至上依次为底部金电极层、铁电衬底层、沟道层、钛层、顶部金电极层和包覆层，所述底部金电极层用作底栅，所述顶部金电极层用作源极、漏极和顶栅，所述包覆层用于防止器件氧化，所述铁电衬底层用于施加门电压改变沟道层电子掺杂浓度。本发明利用铁电衬底层和沟道层的界面效应，通过加门电压的方式，使得铁电衬底层产生极化，通过不同极化方向来调控沟道的电子掺杂浓度，从而改变沟道层的电阻大小，可使铁电场效应晶体管实现‘导通’和‘断开’的两种状态，对应于器件的低电阻态和高电阻态。由于铁电衬底极化具有非易失性，这种器件存在记忆性，可以实现新型非易失铁电二维存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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