[发明专利]垂直腔面发射激光器、激光器芯片和激光器发射模组在审
| 申请号： | 202110384310.8 | 申请日： | 2021-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN112968354A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 刘嵩;罗志通;梁栋;李天磊;丁维遵 | 申请（专利权）人： | 常州纵慧芯光半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/42 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 213000 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直腔面发射激光器、激光器芯片和激光器发射模组，垂直腔面发射激光器包括衬底、一台型结构和一沟道，台型结构形成于衬底上且包括一发光孔，还包括：第一欧姆接触层和外延结构；第一欧姆接触层形成在衬底上；外延结构形成在第一欧姆接触层上；外延结构包括第一反射层、至少两个有源层和第二反射层，至少两个有源层之间设置有隧道节；第二欧姆接触层形成在至少一台型结构上；第一电极层形成在第二欧姆接触层上；其中，至少一台型结构为正多边形结构，发光孔为对应的正多边形发光孔，发光孔的边缘距离沟道边缘的距离均相等，正多边形的内角被360整除。从而，实现了大幅度提高单位面积内的发光能量。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发射 激光器 芯片 模组 | ||
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- 张星;张建伟;文玥;徐文伟 - 华为技术有限公司;长春中科长光时空光电技术有限公司
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- 本申请实施例提供一种激光器及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决单模VCSEL纤芯区域尺寸小，且制备成本高的问题。激光器包括：第一分布式布拉格反射镜层、设置于第一分布式布拉格反射镜层上的有源层、设置于有源层远离第一分布式布拉格反射镜层一侧的第二分布式布拉格反射镜层和第三分布式布拉格反射镜层以及电极。其中，第二分布式布拉格反射镜层围绕第三分布式布拉格反射镜层设置，且第三分布式布拉格反射镜层的折射率小于第二分布式布拉格反射镜层的折射率。电极用于为有源层提供电流以使有源层产生光子；第三分布式布拉格反射镜层远离第一分布式布拉格反射镜层一端开设有出光口。
- 面发射激光器-202280014749.4
- 山口修平;渡边秀辉;幸田伦太郎 - 索尼集团公司
- 2022-01-19 - 2023-09-22 - H01S5/183
- 本发明提供一种面发射激光器，能够以良好的产量制造并且具有用于限制电流和光的配置。面发射激光器包括：包括第一多层膜反射器的第一结构；包括第二多层膜反射器的第二结构；以及包括活性层并且布置在第一结构和第二结构之间的谐振器。接合部存在于第一结构的内部、第二结构的内部、谐振器的内部、谐振器与第一结构之间的区域、以及谐振器与第二结构之间的区域中的至少一个位置中。由接合部接合的第一结构和第二结构中的至少一个结构设置有用于限制电流的第一限制部，并且第一结构和第二结构中的至少一个结构设置有用于在电流和光之中至少限制光的第二限制部。
- 一种电调节垂直面发射氮化镓激光器-202311071738.2
- 印新达;张振锋;齐林 - 武汉鑫威源电子科技有限公司
- 2023-08-24 - 2023-09-22 - H01S5/183
- 本发明涉及一种电调节垂直面发射氮化镓激光器，包括本体，沿本体的高度方向，本体依次具有顶部DBR层、p型GaN层、InGaN量子阱有源层以及n型GaN层，顶部DBR层周围环绕设有顶部电极，n型GaN层上的中间导电层上设有中间电极，n型GaN层的下方设有底部电极，顶部电极和底部电极之间施加有工作电压，中间电极与顶部电极之间或者中间电极与底部电极之间施加有调节电压。本发明在激光器内部施加调节电压，形成调节电场，对InGaN基量子阱有源层的局域极化进行调节，不仅可以有效减少InGaN基量子阱的能带倾斜，降低量子斯塔克效应（QCSE），从而提高激光器的效率，也可以通过施加一定信号的调节电压对激光器的发光波长进行调制，实现调频载波信号传输功能。
- 垂直腔面发射激光器件-202280013377.3
- 滨口达史;仲山英次;林贤太郎;横关弥树博;幸田伦太郎 - 索尼集团公司
- 2022-01-11 - 2023-09-22 - H01S5/183
- 本发明解决了提供具有凹面镜型结构并展现出优异的偏振可控性的垂直腔面发射激光元件的问题。根据本技术的垂直腔面发射激光元件设置有第一光反射层、第二光反射层以及层叠体。该层叠体包括第一半导体层、第二半导体层和有源层，并且布置在第一光反射层和第二光反射层之间。所述层叠体具有用于限制电流并且形成电流集中的电流注入区域的电流限制结构。第一光反射层具有凹面镜，凹面镜在层叠体一侧上具有凹面并且在背对层叠体的一侧上具有凸面。当将从发射光的光轴方向观察到的电流注入区域的平面图形定义为第一图形并且将从光轴方向观察到的表示凹面镜离有源层的高度的等高线的平面图形定义为第二图形时，第一图形与第二图形不相似。
- 专利分类
