“丁维遵”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果20个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器-CN202310567505.5在审
发明人：翁玮呈;丁维遵;刘嵩;梁栋 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器。该垂直腔面发射激光器包括：多个发光单元，发光单元设置有发光区，至少部分相邻设置的发光单元的发光区有交叠。本发明实施例提供的技术方案降低了垂直腔面发射激光器的平面尺寸。
一种垂直发射激光器

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器-CN202310516054.2在审
发明人：翁玮呈;丁维遵;刘嵩;梁栋 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-09 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器，该垂直腔面发射激光器包括：衬底以及位于所述衬底一侧的多个阵列排布的发光单元；所述衬底包括发光区；所述发光单元包括氧化孔径；每一所述发光单元的氧化孔径在所述衬底上的垂直投影均位于所述发光区；多个所述发光单元包括至少一个第一发光单元；所述第一发光单元的第一氧化孔径在所述衬底上的垂直投影包括基础图形和第一辅助图形，所述第一辅助图形与所述发光区的部分边界相邻，且所述第一辅助图形的至少一条边与所述发光区的部分边界平行。本发明提供了一种垂直腔面发射激光器，在不增加发光区的面积的条件下，可以增大垂直腔面发射激光器的有效发光面积，提高发光功率。
一种垂直发射激光器

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器以及制备方法-CN202111331298.0有效
发明人：翁玮呈;丁维遵;彭俊彦;刘嵩;梁栋 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01S5/42 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种垂直腔面发射激光器以及制备方法。该垂直腔面发射激光器包括：衬底；阵列排布的发光单元，发光单元位于衬底的表面；其中，发光单元设置有发光孔、第一通孔和氧化沟槽；发光孔用于出射光线；第一通孔围绕发光孔设置；氧化沟槽围绕发光孔设置；第一通孔和/或氧化沟槽被至少两个发光单元共用。本发明实施例提供的技术方案降低了垂直腔面发射激光器中发光单元之间的尺寸。
一种垂直发射激光器以及制备方法

[发明专利]一种晶圆的氧化孔径的检测方法、装置和设备-CN202211136945.7在审
发明人：刘嵩;翁玮呈;丁维遵 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G01B7/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的氧化孔径的检测方法、装置和设备，检测方法包括：获取参考晶圆的参考氧化孔的直径与参考氧化孔所在参考台阶的电阻值的映射关系；参考晶圆的材质与待测晶圆的材质相同；获取待测晶圆的待测台阶的电信号；待测台阶包括一个待测氧化孔；电信号包括电流信号和电压信号；根据映射关系和待测台阶的电信号，确定待测台阶中待测氧化孔的直径。采用上述技术方案，提高了检测结果的准确性，仅通过待测台阶的电信号和映射关系即可确定待测氧化孔的直径，检测方法简单快速，可以在出货前提前得知待测氧化孔是否合格，避免不良产品出货的风险过高。
一种氧化孔径检测方法装置设备

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制备方法-CN202111042430.6有效
发明人：翁玮呈;梁栋;刘嵩;丁维遵;彭俊彦 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2021-09-07 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，制备方法中通过在同一刻蚀工艺中刻蚀位于N型欧姆层远离衬底一侧的第一钝化层，以及位于发光台面结构中P型接触层远离衬底一侧的第一钝化层，以在N型欧姆层远离衬底一侧形成第一开口暴露N型欧姆层，在发光台面结构中P型接触层远离衬底一侧形成第二开口暴露P型接触层，减少了开口刻蚀工艺的次数，并且在同一金属沉积工艺中，于第一开口中形成第一电极层以及于第二开口中依次形成P型欧姆层和第二电极层，减少了金属沉积工艺的次数以及金属耗材的量，从而提高了激光器的制备效率，缩短了激光器的制备时长，降低了制备成本。
一种垂直发射激光器及其制备方法

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其的制作方法-CN202011399258.5在审
发明人：翁玮呈;丁维遵;刘嵩;梁栋 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，涉及激光器技术领域，所述垂直腔面发射激光器包括：衬底；第一欧姆接触层，形成在所述衬底的第一表面上；第一反射层，形成在所述第一欧姆接触层背离所述衬底一侧的表面上，包括第一沟槽和多个第二沟槽，第一沟槽暴露至所述第一欧姆接触层，每个所述第二沟槽的底部厚度大于零。其中，刻蚀的第二沟槽无需暴露至第一欧姆接触层，仅需刻蚀部分第一反射层即可，从而在相同的发光面积下，减小了发光单元的电阻，提升了发光单元的光电转换效率，并且减小了发光单元之间的间距，提升了单位面积中的发光面积。
一种垂直发射激光器及其制作方法

[发明专利]垂直腔面发射激光器-CN202110576111.7有效
发明人： 丁维遵;翁玮呈;刘嵩;梁栋 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器，包括：衬底、外延层、第一电极和焊盘；所述外延层设置有发光区和非发光区，所述第一电极包括同层设置的环形部和连接部，所述环形部设置于邻近所述发光区的非发光区且与所述外延层接触，所述环形部沿所述焊盘方向的所述非发光区延伸形成所述连接部；所述非发光区的外延层设置有沟槽，所述沟槽半环绕所述发光区，且所述沟槽在所述衬底上的正投影，与所述连接部在所述衬底上的正投影不交叠；所述焊盘位于所述非发光区，所述焊盘设置于所述外延层远离所述衬底的一侧并与所述连接部搭接。本发明实施例能够降低垂直腔面发射激光器的寄生电容。
垂直发射激光器

[发明专利]一种具有背面正负电极的VCSEL器件及其制备方法-CN202010045300.7有效
发明人： 丁维遵;梁栋 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提供了一种具有背面正负电极的VCSEL器件，包括外延层，所述外延层下表面的正极18和负极17；所述外延层上表面通过氧化沟道22限定出的含P型欧姆金属层5的台面结构24和所述台面结构24内的氧化层19限定出的发光区组成VCSEL器件单元；所述台面结构24水平方向一侧的外延层上形成有凹槽23，与凹槽23对应的外延层下表面设有凹部14；所述台面结构24的P型欧姆金属5层通过金属层与凹槽23和凹部14电连接至所述外延层下表面形成所述正极18。本发明通过利用刻蚀正面时先定义与刻蚀凹槽，减少背面刻蚀所需深度，提高刻蚀晶圆均匀性且不增加黄光道数，同时达成P型金属连接效果。
一种具有背面正负电极 vcsel 器件及其制备方法

[实用新型]垂直腔面发射激光器、激光器芯片和激光器发射模组-CN202120728453.1有效
发明人：刘嵩;罗志通;梁栋;李天磊;丁维遵 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-09 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直腔面发射激光器、激光器芯片和激光器发射模组，垂直腔面发射激光器包括衬底、一台型结构和一沟道，台型结构形成于衬底上且包括一发光孔，还包括：第一欧姆接触层和外延结构；第一欧姆接触层形成在衬底上；外延结构形成在第一欧姆接触层上；外延结构包括第一反射层、至少两个有源层和第二反射层，至少两个有源层之间设置有隧道结；第二欧姆接触层形成在至少一台型结构上；第一电极层形成在第二欧姆接触层上；其中，至少一台型结构为正多边形结构，发光孔为对应的正多边形发光孔，发光孔的边缘距离沟道边缘的距离均相等，正多边形的内角被360整除。从而，实现了大幅度提高单位面积内的发光能量。
垂直发射激光器芯片模组

[实用新型]一种光源的探测设备-CN202120901209.0有效
发明人：罗志通;梁栋;刘嵩;李天磊;张成;翁玮呈;丁维遵 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型提出一种光源的探测设备，包括：载台，用于设置光源；探针卡，位于所述载台上；移动单元，连接所述载台或所述探测卡；其中，所述探针卡包括：基板，包括相对设置的第一表面和第二表面；探针组件，设置在所述基板上，用于接触所述光源；驱动单元，设置在所述探针组件上，用于驱动所述光源。本实用新型提出的光源的探测设备可以为光源提供纳秒级脉宽的电流输入，减少电感对发光芯片的影响。
一种光源探测设备

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法与应用-CN202010143277.5有效
发明人： 丁维遵;刘嵩 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提出一种垂直腔面发射激光器阵列及其制造方法与应用，包括，至少两个发射器，每一所述发射器包括至少两个发射单元，所述发射单元之间设置有第一导电连接层；至少一个绝缘区，设置在所述至少两个发射器之间；其中，所述至少两个发射器通过串联连接。本发明提出的垂直腔面发射激光器阵列可以提高发光面积。
一种垂直发射激光器阵列及其制造方法应用

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用-CN202010143255.9有效
发明人：张成;刘嵩;梁栋;翁玮呈;丁维遵;赵励;张鹏飞;毛明明 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提出一种垂直腔面发射激光器及其制造方法与应用，包括，衬底；第一反射层，形成在所述衬底上；至少两个发光单元，形成在所述第一反射层上，每一所述发光单元包括至少两个发光子单元；第一沟槽，形成在所述至少两个发光单元之间，所述第一沟槽暴露出所述衬底；绝缘层，形成在所述第一沟槽内；第一电极，形成在所述至少两个发光单元上，连接所述至少两个发光单元，且每一所述发光单元内的发光子单元通过所述第一电极连接，形成公共阳极；至少两个第二电极，与所述第一反射层接触；其中，所述第一电极覆盖所述发光子单元，所述发光子单元发射的光线通过所述衬底出射。本发明提出的垂直腔面发射激光器应用频率快。
一种垂直发射激光器及其制造方法应用

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制造方法-CN202010143670.4有效
发明人：梁栋;张成;翁玮呈;丁维遵;刘嵩 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提出一种垂直腔面发射激光器，包括，外延结构，包括第一反射层，有源层及第二反射层；至少一个第一沟槽，形成在所述外延结构上，并且贯穿所述外延结构；多个第二沟槽，形成在所述多个第一沟槽之间，贯穿部分所述外延结构，暴露出所述第一反射层，将所述外延结构分成多个发光单元；至少两个绝缘层，形成在所述多个第一沟槽及所述多个第二沟槽内，且部分所述至少两个绝缘层形成在所述多个发光单元之间；第一电极，形成在所述第一反射层的背面上；至少两个第二电极，形成在所述多个第一沟槽及所述多个第二沟槽内，每一所述发光单元内的多个发光子单元通过所述第二电极连接。本发明提出的垂直腔面发射激光器应用频率快。
一种垂直发射激光器及其制造方法

[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制造方法-CN202010143692.0有效
发明人：梁栋;张成;翁玮呈;丁维遵;刘嵩 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明提出一种垂直腔面发射激光器及其制造方法，包括，外延结构，包括第一反射层，有源层及第二反射层；至少一个第一沟槽，形成在所述外延结构内，贯穿所述外延结构，将所述外延结构分成至少两个发光单元；至少两个绝缘层，形成在所述第一沟槽内；至少一个第一电极，形成在所述第一沟槽内，连接所述至少两个发光单元，且所述发光单元内的发光子单元通过所述第一电极连接，以形成公共阳极；至少两个第二电极，形成在所述第一反射层的背面上；其中，每一所述发光子单元包括一发光孔，所述第一电极围绕在所述发光孔的外周。本发明提出的垂直腔面发射激光器应用频率快。
一种垂直发射激光器及其制造方法

[实用新型]一种垂直腔面发射激光器-CN202022856768.2有效
发明人：翁玮呈;丁维遵;刘嵩;梁栋 -专利权人：常州纵慧芯光半导体科技有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直腔面发射激光器，涉及激光器技术领域，所述垂直腔面发射激光器包括：衬底；第一欧姆接触层，形成在所述衬底的第一表面上；第一反射层，形成在所述第一欧姆接触层背离所述衬底一侧的表面上，包括第一沟槽和多个第二沟槽，第一沟槽暴露至所述第一欧姆接触层，每个所述第二沟槽的底部厚度大于零。其中，刻蚀的第二沟槽无需暴露至第一欧姆接触层，仅需刻蚀部分第一反射层即可，从而在相同的发光面积下，减小了发光单元的电阻，提升了发光单元的光电转换效率，并且减小了发光单元之间的间距，提升了单位面积中的发光面积。
一种垂直发射激光器

1
2
下一页»
尾页
共 20 条